本发明专利技术提供了一种环形电阻结构,包括:通过以环形电阻结构的第一端为中心使得环形电阻结构的第二端向外环绕而形成的环形结构;其中,所述第一端和所述第二端分别为所述环形电阻结构的两端;而且,所述环形电阻结构由集成电路的一个金属布线层中的金属布线形成。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种环形电阻结构,包括:通过以环形电阻结构的第一端为中心使得环形电阻结构的第二端向外环绕而形成的环形结构;其中,所述第一端和所述第二端分别为所述环形电阻结构的两端;而且,所述环形电阻结构由集成电路的一个金属布线层中的金属布线形成。【专利说明】环形电阻结构
本专利技术涉及半导体制造领域,更具体地说,本专利技术涉及一种环形电阻结构。
技术介绍
常规链状(chain)结构的蛇形电阻在版图(layout)中占用面积较多,所以随着切割道的日益减小,则需要减小器件版图的占用面积,才能存放更多器件。图1示意性地示出了根据现有技术的蛇形电阻结构。如图1所示,根据现有技术的蛇形电阻结构100在第一电阻端1和第二电阻端2形成蛇形的弯曲结构。其中第一电阻端1和第二电阻端2分别连接至一个电路焊盘(pad)。而且其中,蛇形电阻结构100形成在集成电路的同一金属布线层中。但是,随着切割道的日益减小,则需要减小器件版图的占用面积,才能存放更多器件;因此,希望能够进一步减小电阻结构所占用的面积。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够减小电阻结构所占用的面积的环形电阻结构。为了实现上述技术目的,根据本专利技术,提供了 一种环形电阻结构,其特征在于包括:通过以环形电阻结构的第一端为中心使得环形电阻结构的第二端向外环绕而形成的环形结构;其中,所述第一端和所述第二端分别为所述环形电阻结构的两端;而且,所述环形电阻结构由集成电路的一个金属布线层中的金属布线形成。优选地,所述环形电阻结构环绕的圈数介于3至6圈之间。优选地,所述环形电阻结构环绕的圈数不是整数圈。优选地,所述环形电阻结构200的金属布线之间的距离等于金属布线的线宽。 本专利技术通过利用环形的链状结构电阻代替蛇形链状结构电阻,可以缩小电阻的占用面积,能够在有效的版图中,绘制更多的器件进行测试,从而提高经济效益。【专利附图】【附图说明】结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:图1示意性地示出了根据现有技术的蛇形电阻结构。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构。图3示意性地示出了根据现有技术的蛇形电阻结构的具体示例。图4示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构的具体示例。需要说明的是,附图用于说明本专利技术,而非限制本专利技术。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。【具体实施方式】为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。由于现有技术的蛇形链状结构的电阻占用面积较多,为此本专利技术设计一种环形的链状结构电阻代替蛇形链状结构电阻,可以缩小电阻的占用面积。具体地说,图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构。如图2所示,根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构200包括通过以环形电阻结构200的第一端为中心使得环形电阻结构200的第二端向外环绕而形成的环形结构;其中,所述第一端和所述第二端分别为所述环形电阻结构200的两端;而且,所述环形电阻结构200由集成电路的一个金属布线层中的金属布线形成。优选地,所述环形电阻结构200环绕的圈数介于3至6圈之间。而且,虽然示出了所述环形电阻结构200环绕的圈数为整数圈的示例,但是实际上,所述环形电阻结构200环绕的圈数可以不是整数圈,以增大设计灵活性。优选地,所述环形电阻结构200的金属布线之间的距离等于金属布线的线宽。例如,其中所述第一端和所述第二端可分别连接至一个各自单独的电路焊盘。下面参考图3和图4来比较现有技术的电阻结构与根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构。对于金属布线层中电阻版图结构的引入,可以运用串联电路电流处处相同阿基米德定律,并结合WAT (waferacceptancetest,晶片可接受性测试)测试平台,进行归一化计算,输出单位长度下的电阻结构的电阻值。对于现有技术的电阻结构,在测试出总电阻后R,进行电阻归一化:R2=R*宽/长。根据阿基米德螺线定律,根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构的长度计算公式为:长度L=M r/2,其中n为圈数,r为环形电阻最外圈的圆的的半径。本专利技术优选实施例的环形电阻结构的归一化电阻:R2=R*宽/长=R*W/ (n n r/2)。如图3所示,对于现有技术的电阻结构,假设金属布线的宽度W=I (假设的单位宽度),其中金属布线之间的间隔与金属布线的长度相同,假设蛇形链状结构的长度LI和宽度wl 皆为 5,面积 s=wl*Ll=5*5=25,周长 C=5*2.5+5=17.5。如图4所示,对于根据本专利技术优选实施例的环形电阻结构,假设金属布线的宽度W=I (假设的单位宽度),半径r=5 (实际上,如图4所示,r=Wl/2=Ll/2),圈数如图所示n=5,测试总电阻R=IOOO欧姆,R2=R*宽/长=R*W/n n r/2=25欧姆。而且,面积S=pi*r*r=3.14*2.5*2.5=19.6 周长 C=n n r/2=2.5*3.14*2.5/2=9.81。本专利技术通过利用环形的链状结构电阻代替蛇形链状结构电阻,可以缩小电阻的占用面积,能够在有效的版图中,绘制更多的器件进行测试,从而提高经济效益。此外,需要说明的是,除非特别说明或者指出,否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等,而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是,虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本专利技术技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本专利技术技术方案的内容,依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。【权利要求】1.一种环形电阻结构,其特征在于包括:通过以环形电阻结构的第一端为中心使得环形电阻结构的第二端向外环绕而形成的环形结构;其中,所述第一端和所述第二端分别为所述环形电阻结构的两端;而且,所述环形电阻结构由集成电路的一个金属布线层中的金属布线形成。2.根据权利要求1所述的环形电阻结构,其特征在于,所述环形电阻结构环绕的圈数介于3至6圈之间。3.根据权利要求1或2所述的环形电阻结构,其特征在于,所述环形电阻结构环绕的圈数不是整数圈。4.根据权利要求1或2所述的环形电阻结构,其特征在于,所述环形电阻结构200的金属布线之间的距离等于金属布线的线宽。5.根据权利要求1或2所述的环形电阻结构,其特征在于,所述第一端和所述第二端分别连接至一个单独的电路焊盘。【文档编号】H01L23/64GK103745974SQ201410042490【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月29日 优先权日:2014年1月29日 【专利技术者】沈茜, 莫保章 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:沈茜,莫保章,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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