本发明专利技术提供一种电容含浸工艺，所述工艺为：将待含浸的电容芯有序放入含浸缸，然后进行抽真空，抽真空后施加正压，然后对电容芯进行含浸，含浸后进行释压；然后重复抽真空、施压、含浸两次即成；本发明专利技术的优点在于：操作简单、方便，可以使含浸时间大大缩短，且电容芯子含浸效果好，常规含浸需要15-20小时，采用本工艺只需5-8小时即可，大大缩短含浸时间，提高了生产效率，且产品质量得到明显提高，电解液也得到最大限度的利用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种电容含浸工艺，所述工艺为：将待含浸的电容芯有序放入含浸缸，然后进行抽真空，抽真空后施加正压，然后对电容芯进行含浸，含浸后进行释压；然后重复抽真空、施压、含浸两次即成；本专利技术的优点在于：操作简单、方便，可以使含浸时间大大缩短，且电容芯子含浸效果好，常规含浸需要15-20小时，采用本工艺只需5-8小时即可，大大缩短含浸时间，提高了生产效率，且产品质量得到明显提高，电解液也得到最大限度的利用。【专利说明】一种电容含浸工艺
本专利技术涉及电容器制造
，尤其是指一种电容芯子含浸工艺。
技术介绍
现有电容器的芯包含浸大多是直接将芯包放入装有含浸液体的容器里通过长时间的浸泡，使含浸液体渗透到正箔、负箔、纸中，这种方式的浸泡生产效率低，浸泡时间长，含浸效果不理想，生产成本高；而且甩干后的液体不能重复使用，对环境造成一定污染；目前还有一种方式是采用点注，即用专用注射器将电解液注入芯子，这种方式生产效率低，劳动强度大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种含浸效果好、速度快的电容含浸工艺。为实现上述目的，本专利技术所提供的技术方案为:一种电容含浸工艺，所述工艺包括以下步骤: 1)、将待含浸的电容芯有序放入含浸缸，电容芯放入后将含浸缸密封； 2)、将含浸缸抽真空,抽真空的 同时使得电容芯内的水分和空气被抽出； 3 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 4)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40~120分钟； 5)、释放含浸缸压力为常态，保持15~20分钟； 6)、再次将含浸缸抽真空； 7 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 8)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40~120分钟； 9)、释放含浸缸压力为常态，保持10-15分钟； 10)、再次将含浸缸抽真空； 11)、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 12)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40-120分钟； 13)、释放含浸缸压力为常态，使含浸液在压力差的作用下流回储液桶； 14)、将含浸后的电容芯取出，甩干即成。本专利技术的优点在于:操作简单、方便，可以使含浸时间大大缩短，且电容芯子含浸效果好，常规含浸需要15-20小时，采用本工艺只需5-8小时即可，大大缩短含浸时间，提高了生产效率，且产品质量得到明显提高，电解液也得到最大限度的利用。【具体实施方式】下面对本专利技术作进一步说明，本专利技术的较佳实施例为:本实施例所述的电容含浸工艺包括以下步骤: 1)、将待含浸的电容芯有序放入含浸缸，电容芯放入后将含浸缸密封； 2)、将含浸缸抽真空,抽真空的同时使得电容芯内的水分和空气被抽出； 3 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 4)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40-120分钟； 5)、释放含浸缸压力为常态，保持15~20分钟； 6)、再次将含浸缸抽真空； 7 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 8)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.3MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40-120分钟； 9)、释放含浸缸压力为常态，保持10-15分钟； 10)、再次将含浸缸抽真空； 11)、打开连通阀，使 储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； 12)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40~120分钟； 13)、释放含浸缸压力为常态，使含浸液在压力差的作用下流回储液桶； 14)、将含浸后的电容芯取出，甩干即成。以上所述之实施例只为本专利技术之较佳实施例，并非以此限制本专利技术的实施范围，故凡依本专利技术之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本专利技术的保护范围内。【权利要求】1.一种电容含浸工艺，其特征在于:所述工艺包括以下步骤: . 1)、将待含浸的电容芯有序放入含浸缸，电容芯放入后将含浸缸密封； . 2)、将含浸缸抽真空,抽真空的同时使得电容芯内的水分和空气被抽出； . 3 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀；. 4)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40~120分钟； . 5)、释放含浸缸压力为常态，保持15~20分钟； .6)、再次将含浸缸抽真空； . 7 )、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； . 8)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40~120分钟； .9)、释放含浸缸压力为常态，保持10-15分钟； .10)、再次将含浸缸 抽真空； . 11)、打开连通阀，使储液桶中的电解液抽入含浸缸，关闭连通阀； . 12)、给抽真空后的含浸缸施加正压，正压值为1.2MPa^l.5MPa，保压，然后对电容芯进行含浸，含浸时间为40-120分钟； . 13)、释放含浸缸压力为常态，使含浸液在压力差的作用下流回储液桶； .14)、将含浸后的电容芯取出，甩干即成。【文档编号】H01G13/04GK103745841SQ201410008885【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月9日 优先权日:2014年1月9日 【专利技术者】龙立平, 胡拥军, 张学军, 刘长辉, 贺国文, 周攀登 申请人:益阳市和天电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：龙立平，胡拥军，张学军，刘长辉，贺国文，周攀登，
申请(专利权)人：益阳市和天电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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