非固体电解质钽电解电容器内部改进结构制造技术

技术编号:9975045 阅读:130 留言:0更新日期:2014-04-26 15:09
本实用新型专利技术公开了一种非固体电解质钽电解电容器内部改进结构,属于非固体电解质钽电解电容器;旨在提供一种能够承受高频振动的非固体电解质钽电解电容器。它包括顶部镶嵌有钽丝的钽块、位于该钽块顶部并套在所述钽丝上的柱塞;所述柱塞由套在钽丝(1)上的上柱塞(2)和下柱塞(3)构成,其中,上柱塞(2)的为底面有圆柱形凹坑、侧面有环形槽的圆柱体结构,下柱塞(3)的下半段为圆锥体结构、上半段是与所述圆柱形凹坑相适配的圆柱体结构;钽块(4)的顶部有与所述圆锥体相适配的圆锥形凹坑。本实用新型专利技术可有效减弱因柱塞晃动而加载于钽丝上的应力,提高了电容器的抗振能力;是一种非固体电解质钽电解电容器的改进。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种非固体电解质钽电解电容器内部改进结构,属于非固体电解质钽电解电容器;旨在提供一种能够承受高频振动的非固体电解质钽电解电容器。它包括顶部镶嵌有钽丝的钽块、位于该钽块顶部并套在所述钽丝上的柱塞;所述柱塞由套在钽丝(1)上的上柱塞(2)和下柱塞(3)构成,其中,上柱塞(2)的为底面有圆柱形凹坑、侧面有环形槽的圆柱体结构,下柱塞(3)的下半段为圆锥体结构、上半段是与所述圆柱形凹坑相适配的圆柱体结构;钽块(4)的顶部有与所述圆锥体相适配的圆锥形凹坑。本技术可有效减弱因柱塞晃动而加载于钽丝上的应力,提高了电容器的抗振能力;是一种非固体电解质钽电解电容器的改进。【专利说明】 非固体电解质钽电解电容器内部改进结构
本技术涉及一种非固体电解质钽电解电容器,尤其涉及一种非固体电解质钽电解电容器内部改进结构。
技术介绍
目前,非固体钽电解电容器的内部结构从底部往上依次是下垫片、钽块、上垫片(部分电容器没有上垫片)、带有O形圈的塞柱、绝缘子。该结构虽然简单,但当受到振动时,套在钽丝上的垫片或塞柱容易晃动,从而造成钽丝根部的氧化膜因受力过大受损损坏,最终导致产品性能劣化,因此不宜在高振动量级的环境下工作。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷,本技术旨在提供一种能够承受高频振动的非固体电解质钽电解电容器内部改进结构。为了实现上述目的,本技术采用以下技术方案:它包括顶部镶嵌有钽丝的钽块、位于该钽块顶部并套在所述钽丝上的柱塞;所述柱塞由套在钽丝上的上柱塞和下柱塞构成,其中,上柱塞为底面有圆柱形凹坑、侧面有环形槽的圆柱体结构,下柱塞的下半段为圆锥体结构、上半段是与所述圆柱形凹坑相适配的圆柱体结构;钽块的顶部有与所述圆锥体相适配的圆锥形凹坑。与现有技术比较,本技术由于采用了上述技术方案,在传统圆柱体柱塞的下端面增加了一个呈圆锥体结构的下柱塞,并在钽块的顶部设置了一个与下柱塞的圆锥体部分相适配的圆锥形凹坑;因此可有效减弱因柱塞晃动而加载于钽丝上的应力,进而保护了钽丝根部的氧化膜、提高了电容器的抗振能力。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中:钽丝1、上柱塞2、下柱塞3、钽块4。【具体实施方式】下面结合附图和具体的实施例对本技术作进一步说明:如图1所示:镶嵌在钽块4的钽丝I从该钽块的顶部向上伸出,钽块4的顶部有圆锥形的凹坑,钽丝I上套有下柱塞3和上柱塞2 ;下柱塞3的下半段是与所述凹坑相适配的圆锥体结构、该下柱塞的上半段为圆柱体结构,上柱塞2呈圆柱体结构,该上柱塞底面有与下柱塞3的上半段相适配的圆柱形凹坑、该上柱塞的侧面设有环形槽。【权利要求】1.一种非固体电解质钽电解电容器内部改进结构,包括顶部镶嵌有钽丝的钽块、位于该钽块顶部并套在所述钽丝上的柱塞;其特征在于:所述柱塞由套在钽丝(I)上的上柱塞(2)和下柱塞(3)构成,其中,上柱塞(2)的为底面有圆柱形凹坑、侧面有环形槽的圆柱体结构,下柱塞(3)的下半段为圆锥体结构、上半段是与所述圆柱形凹坑相适配的圆柱体结构;钽块(4)的顶部有与所述圆锥体相适配的圆锥形凹坑。【文档编号】H01G9/14GK203562316SQ201320399758【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年7月7日 优先权日:2013年7月7日 【专利技术者】肖毅, 张勇, 杨槐香, 王兴伟, 王刚 申请人:中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖毅张勇杨槐香王兴伟王刚
申请(专利权)人:中国振华集团新云电子元器件有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:

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