本发明专利技术提供一种热激活延迟荧光材料、其合成方法及使用该热激活延迟荧光材料的OLED器件，所述热激活延迟荧光材料的分子通式如式（1）所示：式（1），Ar-(Ar1)m-(Ar2)n，其中m=1～4，n=1～8，Ar为强吸电子基团，Ar1为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。所述热激活延迟荧光材料具有聚集诱导发光性质，从而使其具有较高的玻璃化转变温度、高的热稳定性和优异的发光性能，其合成方法工艺简单，容易纯化，产率高，并可通过连接不同基团调节终产物的发光性能、热性能等。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种热激活延迟荧光材料、其合成方法及使用该热激活延迟荧光材料的OLED器件，所述热激活延迟荧光材料的分子通式如式（1）所示：式（1），Ar-(Ar1)m-(Ar2)n，其中m=1～4，n=1～8，Ar为强吸电子基团，Ar1为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。所述热激活延迟荧光材料具有聚集诱导发光性质，从而使其具有较高的玻璃化转变温度、高的热稳定性和优异的发光性能，其合成方法工艺简单，容易纯化，产率高，并可通过连接不同基团调节终产物的发光性能、热性能等。【专利说明】热激活延迟荧光材料、其合成方法及使用该热激活延迟荧光材料的OLED器件
本专利技术涉及一种热激活延迟荧光材料、其合成方法及使用该热激活延迟荧光材料的OLED器件，特别涉及一种具有聚集诱导发光(AIE)性质的热激活延迟荧光(TADF)材料、其合成方法及使用该具有AIE性质的TADF材料的OLED器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)等有机发光器件由于其在柔性显示等方面具有巨大的潜在应用，近年来受到科技界和产业界高度重视，是当前研究与开发的热点之一。但是，目前有机发光器件技术在发展过程中遇到了瓶颈问题，就是发光器件的发光效率和使用寿命还达不到实用化要求，这大大限制了 OLED技术的发展。影响有机发光器件的发光效率和使用寿命的原因是多方面的，但是其发光材料的发光效率和稳定性直接影响到上述有机发光器件的性能。绝大多数发光材料的稀溶液具有高的荧光量子产率，但是其在固体状态则变得荧光很弱或根本不发光，这是由于聚集导致了荧光的淬灭(ACQ)。而作为发光材料，通常情况下必须在固体薄膜状态下使用，因此随着固体薄膜的形成，聚集荧光淬灭现象就无可避免地发生。为了降低发光材料的浓度，解决ACQ问题，绝大多数发光材料采用物理掺杂的方法进行制备。这种掺杂的方法有非常多缺点，例如在真空蒸镀过程中，主客体之间的配比很难控制；主客体之间存在相分离；加工工艺变得复杂。倘若存在这样的发光材料，它越是聚集，发光越强，荧光量子 产率越高，那就有可能解决聚集荧光淬灭这个难题。这种材料就是聚集诱导发光(AIE)材料。自从2001年唐本忠等报道硅杂环戊二烯(Silole)衍生物具有AIE效应以来，引起了人们高度重视。由于AIE材料在固体状态的发光效率要大大高于溶液状态，这对克服OLED发光材料的掺杂问题提供一个很好的解决途径。利用三线态发光的金属配合物磷光材料具有高的发光效率，其绿光和红光材料已经达到使用要求，但是由于金属配合物特殊的电子结构特征，导致其蓝光材料无法达到使用要求。因此，介于荧光和磷光之间的热激活延迟荧光(TADF)材料的出现，大大提高了荧光材料的发光效率，几乎达到磷光材料的发光效率，弥补了磷光蓝光材料的不足。但是已经报道的TADF材料由于存在ACQ效应，只能采用掺杂的方式制备OLED器件。因此，把AIE性质和TADF性质结合在一起，开发出具有AIE性质的TADF材料，是解决上述问题的一个途径。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服热激活延迟荧光材料的ACQ效应，提供一种热激活延迟荧光材料，具有聚集诱导发光性质，从而使其具有较高的玻璃化转变温度、高的热稳定性和优异的发光性能。本专利技术的另一个目的在于提供上述热激活延迟荧光材料的合成方法，其工艺简单，纯化容易，产率高，并可通过连接不同基团调节终产物的发光性能、热性能等。本专利技术的另一个目的在于提供一种使用上述热激活延迟荧光材料的OLED器件，其发光层的荧光效率高和稳定性好，进而使得OLED器件发光效率和使用寿命都能达到实用化要求。为实现上述目的，本专利技术提供一种热激活延迟荧光材料，分子通式如式(I)所示:式(1)，Ar- (Arl)m- (Ar2)n,其中m=l~4，n=l~8，Ar为强吸电子基团，Arl为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。所述Ar选自以下结构:【权利要求】1.一种热激活延迟荧光材料，其特征在于，其分子通式如式(I)所示:式(1)，Ar- (Arl)m- (Ar2)n, 其中m=l~4, n=l~8, Ar为强吸电子基团，Arl为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。2.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述Ar选自以下结构:典錢音本 3.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述Arl选自以下结构: 4.如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，所述Ar2选自以下结构: 5.一种热激活延迟荧光材料的合成方法，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料的分子通式如式(I)所示: 式(I), Ar- (Arl)m- (Ar2)n,其中m=l~4, n=l~8, Ar为强吸电子基团，Arl为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团； 所述热激活延迟荧光材料的合成方法，包括以下步骤: 步骤I，提供Ar I的卤代物和Ar 2的卤代物，取Arl或Ar 2的卤代物中一种，制备对应的硼酸或硼酸酯； 步骤2，取步骤I中制备的Arl或Ar2的卤代物中一种对应的硼酸或硼酸酯与Arl或Ar2的卤代物中另一种进行偶联反应制备相应的取代芳香胺； 步骤3，提供Ar的卤代物，所述Ar的卤代物与步骤2中制备的取代芳香胺反应，得到所述热激活延迟荧光材料。6.如权利要求5所述的热激活延迟荧光材料的合成方法，其特征在于，所述Arl选自以下结构: 7.如权利要求6所述的热激活延迟荧光材料的合成方法，其特征在于，所述Arl的卤代物为溴代或碘代咔唑、溴代或碘代吩噻嗪、溴代或碘代二苯胺。8.如权利要求5所述的热激活延迟荧光材料的合成方法，其特征在于，所述Ar2选自以下结构: 9.如权利要求5所述的热激活延迟荧光材料的合成方法，其特征在于，所述Ar选自以下结构: 10.一种使用热激活延迟荧光材料的OLED器件，其特征在于，包括:基板(10)、形成于基板(10)上的透明导电层(20)、形成于透明导电层(20)上的空穴传输层(30)、形成于空穴传输层(30)上的发光层(40)、形成于发光层(40)上的电子传输层(50)及形成于电子传输层(50 )上的金属层(60 )，所述发光层(40 )包括热激活延迟荧光材料，所述热激活延迟荧光材料的分子通式如式(I)所示: 式(I),Ar-(Arl)m-(Ar2) n ； 其中m=l~4, n=l~8, Ar为强吸电子基团，Arl为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。【文档编号】C07D209/86GK103740359SQ201310739678【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年12月27日 优先权日:2013年12月27日 【专利技术者】许适当, 池振国, 张艺, 许家瑞, 王宜凡, 邹清华 申请人:深圳市华星光电技术有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种热激活延迟荧光材料，其特征在于，其分子通式如式（1）所示：式（1），Ar?(Ar1)m?(Ar2)n，其中m=1～4，n=1～8，Ar为强吸电子基团，Ar1为给电子基团，Ar2为聚集诱导发光基团。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许适当，池振国，张艺，许家瑞，王宜凡，邹清华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。