硫化亚铜纳米环状结构半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明专利技术还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和CuCl溶液，然后均匀混合；加入反应釜中，密封，在150℃下反应5小时；反应完成后，将反应物置于硅片上，在55℃下烘烤，得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明专利技术具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其特征是：包括片状物构成的层级结构和由颗粒构成的多孔环状结构；其中，所述层级结构是由20nm左右厚度的硫化亚铜纳米片构成，所述多孔环状结构由60nm左右的硫化亚铜纳米颗粒构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彬，郁可，李守川，朱自强，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：