一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，包括以下步骤：(1)将表面活性剂加入到羟基化合物中混合溶解；(2)向混合溶液中加入由羟基化合物溶解的银盐和卤化物，搅拌混合形成种子溶液；(3)加入作为生长液的羟基化合物溶解的银盐；(4)一定温度下，在光源照射下控制银纳米线的生长，得到不同直径和长度的银纳米线。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术提供一种通过光源照射来控制银纳米线生长来制备不同直径和长度的银纳米线方法，该方法具有极好的可控性，且该方法生产成本低、工艺简单、生产快速，具有良好的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通过光源照射来控制银纳米线生长的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：(1)将表面活性剂加入到羟基化合物中混合溶解；(2)向混合溶液中加入由羟基化合物溶解的银盐和卤化物，搅拌混合形成种子溶液；(3)加入作为生长液的羟基化合物溶解的银盐；(4)一定温度下，在光源照射下控制银纳米线的生长，得到不同直径和长度的银纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾宏伟，鲁英杰，
申请(专利权)人：苏州创科微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：