一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其特征在于：在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，包括在玻璃基板上依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层以及第三绝缘层，第一金属层与第二金属层相互平行形成第一电容。在第三绝缘层上设有第三金属层，第三金属层与第二金属层相互平行形成第二电容，第二绝缘层与第三绝缘层对应第一金属层与第三金属层位置形成有接触洞，第二金属层形成有用于避开接触洞的避让区域，第三金属层与第一金属层通过接触洞接触导通，从而形成第一电容与第二电容的并联连接。通过在第一电容上增加一第三金属层，使其与第二金属层构成第二电容，通过接触洞使得第二电容与第一电容并联，即减小电容面积，还可维持电容容量。【专利说明】
本专利技术涉及一种AMOLED背板像素布局工艺，尤其涉及一种。
技术介绍
目前AMOLED背板像素布局占用面积最大的就是储存电容，如图1和图2所示，储存电容由上下两层平行金属层21和22构成，金属层面积越大电容值越大，储存能力越强，若可以减小储存电容的面积，则可大大缩小像素面板的面积，从而达到高精确像素内插(Precise Pixel Interpolation,简称PPI)需求。但若储存电容面积减小，电容的容值就会跟着减小，影响像素电路驱动能力。随着AMOLED产品解析度增加，同时画面质量需求提升，像素尺寸越来越小，像素电路越来越复杂。如何在储存电容平面面积减小的情况下，又可以维持电容容量，保持电性需求，是一个关键的技术研究方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可以在维持电容容量不变的情况下，减小电容平面布局面积，达到提高像素质量的有机电激发光二极体储存电容结构。为实现上述技术效果，本专利技术公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶娃层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其中:在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。本专利技术由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果是:通过在立体空间上在第一金属层与第二金属层构成的第一电容上增加一层第三金属层，并使得其与第二金属层构成一第二电容，再通过接触洞使得第一金属层与第三金属层接触导通，使得第二电容与第一电容构成两个相互并联的电容结构，这样就可以在减小存储电容平面面积的情况下，维持电容容量，不影响像素电路驱动能力。本专利技术进一步的改进在于，所述避让区域的面积大于所述接触洞的面积，且所述第三绝缘层的材料沉积填充于所述避让区域与接触洞之间。在制作第二金属层时，需要避开接触洞对应的位置，并且避让范围要比接触洞大，这样第三绝缘层顺势沉积下来，接触洞蚀刻完成后，在第二金属层的侧壁仍可以保留一定的第三绝缘层材料，避免沉积第三金属层时流进接触洞内与侧面第二金属层接触。本专利技术还公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构的制备方法，依次在玻璃基板上制作一多晶娃层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，使得所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其中:在制作所述第二金属层时形成一避让区域，于所述第二金属层上制作所述第三绝缘层，并且所述第三绝缘层的材料顺势沉积于所述避让区域；于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层和避让区域位置形成接触洞；于所述第三绝缘层上制作一第三金属层，使得所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，并且通过所述接触洞使得所述第三金属层与所述第一金属层接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。【专利附图】【附图说明】图1是现有的储存电容结构的示意图。图2是图1的局部剖面图。图3是本专利技术有机电激发光二极体储存电容结构的示意图。图4是图3的局部剖面图。图5是本专利技术有机电激发光二极体储存电容结构的局部电路意图。【具体实施方式】下面结合附图以及【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构，参阅图3?图5所示，包括在玻璃基板11上依次设置有一多晶娃层12、一第一绝缘层13、一第一金属层14、一第二绝缘层15、一第二金属层16以及一第三绝缘层17,第一金属层14与第二金属层16相互平行形成一第一电容Cl。在第三绝缘层17上设有一第三金属层18,第三金属层18与第二金属层16相互平行形成一第二电容C2。第二绝缘层15与第三绝缘层17对应第一金属层14与第三金属层18位置形成有接触洞19，第二金属层16形成有用于避开接触洞19的避让区域190，避让区域190的面积大于接触洞19的面积，且第三绝缘层17的材料沉积填充于避让区域190与接触洞19之间，接触洞19蚀刻完成后，在第二金属层16的侧壁仍可以保留一定的第三绝缘层17材料，避免沉积第三金属层18时流进接触洞19内与侧面第二金属层16接触，第三金属层18通过接触洞19直接与第一金属层14接触导通，从而形成第一电容Cl与第二电容C2的并联连接。本专利技术的有机电激发光二极体储存电容结构的制备方法主要包括:在玻璃基板11上蒸镀制作多晶硅层12，在多晶硅层12上沉积第一绝缘层13，在第一绝缘层13上沉积第一金属层14并进行蚀刻，在第一金属层14上再沉积第二绝缘层15,并且在第二绝缘层15再沉积第二金属层16进行蚀刻,第一金属层14与第二金属层16相互平行形成第一电容Cl，在沉积第二金属层16时在第二金属层16蚀刻形成避让区域190，于第二金属层16上沉积第三绝缘层17，并且使得第三绝缘层17的材料顺势沉积于避让区域190内缘，在第二金属层16的侧壁仍可以保留一定的第三绝缘层17材料。然后于第二绝缘层15与第三绝缘层17对应第一金属层14和避让区域190位置形成接触洞19 ；于第三绝缘层17上沉积一第三金属层18并进行蚀刻，使得第三金属层18与第二金属层16相互平行形成一第二电容C2，并且通过接触洞19使得第三金属层18与第一金属层14接触导通，从而形成第一电容Cl与第二电容C2的并联连接。本专利技术的有机电激发光二极体储存电容结构通过在立体空间上在第一金属层14与第二金属层16构成的第一电容Cl上增加一层第三金属层18,并使得其与第二金属层16构成一第二电容C2，再通过接触洞19将第一金属层14与第三金属层18接触导通，使得第二电容C2与第一电容Cl构成两个相互并联的电容结构，这样就可以在减小存储电容平面面积的情况下，维持电容容量，不影响像素电路驱动能力。以上结合附图实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本专利技术做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本专利技术的限定，本专利技术将以所附权利要求书界定的范围作为本专利技术的保护范围。【权利要求】1.一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶娃层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其特征在于：在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖丽娜，王焕楠，冯佑雄，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。