晶片载具制造技术

一种用于沉积薄膜的装置，包含：承载盘，包含：具有一第一圆心的第一上表面；第一群组的晶片载具，围绕该第一圆心；以及第二群组的晶片载具，围绕该第一群组的晶片载具，其中该第一群组的晶片载具的其中之一包含一第一支撑部以及至少一第二支撑部，且该第一支撑部具有一特征尺寸大于该第二支撑部的特征尺寸。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种晶片载具，其包含一具有一高度以及一凹口的承载主体，其中凹口的底面为一曲面；以及多个支撑柱位于承载主体的一周边。本专利技术另一方面提供晶片载具的一制造方法。方法包含于一成长基板上形成一外延层以形成一晶片结构；量测晶片结构的一翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供上述的晶片载具。【专利说明】晶片载具
本专利技术涉及一种晶片载具，尤其是涉及一种具有一承载主体及多个支撑柱位于承载主体的一周边的晶片载具。
技术介绍
在发光二极管的制作工艺中，外延层需要成长在一基板上，基板的功能类似于晶片拉晶时的晶种层。当基板的晶格常数与外延层的晶格常数相近，在外延层成长时可以减少外延层与基板之间晶格的差排、错位等缺陷。基板的选择以与外延层的材料相近为佳，因为基板与外延层的晶格常数等物理特性相近，在外延层成长于基板的过程中较不会因为不同的反应炉温度范围，而在外延层与基板之间产生应力，形成翘曲，影响外延层的品质。但是对某些外延层材料而言，并无相同于外延层材料的基板可供使用，也无相同于外延层晶格常数的材料可以使用。此外，即便有理想的基板材料选择，其生产成本也可能过高。综合上述原因，一旦基板材料与外延层材料不同，亦或是外延层的组成材料有数种，只要其中一种或一种以上的外延层材料与基板的材料不同，或是晶格常数不同、膨胀系数不同、硬度不同，都将导致外延层成长于基板的过程中，因不同的反应炉温度而在外延层与基板之间产生不同的应力，形成不同的翘曲或形变。轻度的应力可能造成外延层因受热不均匀而导致外延品质不佳，且外延层形变所造成的弯曲也会影响后续的制作工艺。如果所产生的应力过大，则可能导致外延层破裂。一般用于发光二极管外延层成长的方式包含气相外延法(VPE)或有机金属化学气相沉积法(MOCVD)。其中，有机金属化学气相沉积法(MOCVD)是最常用的外延技术，通常用来成长GaN、AlGaInP等薄膜。首先，将一基板放置于一载具(carrier)上，然后将位在载具上的基板移至反应炉中成长外延层，形成晶片结构。在外延层成长的过程中，反应炉温度会持续变化。由于外延层和基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片结构会产生不同程度的翘曲和形变。晶片结构的翘曲会使晶片无法与载具完全贴合，造成晶片结构表面温度分布不均匀，如果此时正在成长一发光层，晶片结构表面温度分布不均匀将会影响到晶片结构上不同区域的发光层发光波长分布不同。图1描述了现有技术中一晶片载具10，包含一承载主体100具有一凹口 102，凹口102的底面103为一平面。一晶片104包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层,其中外延层包含一发光层。在外延层成长于成长基板的过程中，反应炉温度会持续变化。因外延层和成长基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片会产生不同程度的翘曲和形变。如图1所示，晶片104的侧视图为一凸面，当成长发光层于成长基板上时，因晶片104与载具凹口 102的底面103顶触的区域只有晶片104周围部分区域，此时用于成长发光层的反应炉温度设定如果以晶片104的中心区域为考虑，将导致晶片104周边的成长温度与晶片104中心区域的成长温度不同。由于成长于成长基板上的发光层因晶片104上不同的区域有不同的成长温度，其发光波长也不同。图2描述了现有技术中一晶片载具20，包含一承载主体200具有一凹口 202，凹口202的底面203为一平面。一晶片204包含成长基板及成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。如图2所示，晶片204的侧视图为一凹面，当成长发光层于成长基板上时，因晶片204与载具凹口 202的底面203顶触的区域只有晶片204中心区域，晶片204容易晃动。当晶片载具20闻速旋转时，晶片204可能飞出。图3A所示为另一现有晶片载具30，包含一承载主体300具有一凹口 302，凹口 302的底面303为一平面；以及一支撑环305位于承载主体300的周边。一晶片304包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。图3B所示为现有晶片载具30的上视图，支撑环305的上视形状大约为一圆形。支撑环305沿着晶片304周围将晶片304架高，使晶片304不会因只有晶片304的中心区域与载具凹口 302的底面303相顶触而容易晃动。但是，支撑环305与晶片304外围直接接触使晶片外围的成长温度与晶片中心区域的成长温度不同。由于成长于成长基板上的发光层因晶片304外围与中心区域有不同的成长温度，其发光波长也不同。
技术实现思路
一晶片载具，包含一具有一高度以及一凹口的承载主体，其中凹口的底面为一曲面；以及多个支撑柱位于承载主体的一周边。本专利技术另一方面提供晶片载具的一制造方法。方法包含于一成长基板上形成一外延层以形成一晶片结构；量测晶片结构的一翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供上述的晶片载具。【专利附图】【附图说明】图1是现有的晶片载具首I]视图；图2是现有的晶片载具首I]视图；图3A是现有的晶片载具首I]视图；图3B是现有的晶片载具上视图；图4A是本专利技术第一实施例的晶片载具剖视图；图4B是本专利技术第一实施例的晶片上视图；图5A是本专利技术第二实施例的晶片载具剖视图；图5B是本专利技术第二实施例的晶片上视图；图6是本专利技术第一、二实施例的晶片载具上视图；图7是本专利技术第一、二实施例晶片载具的各多个支撑柱上视图；图7A是本专利技术一实施例的晶片载具上视图；图8A是本专利技术第一、二实施例晶片载具的平边上视图；图8B是本专利技术第一、二实施例晶片及晶片载具的上视图；图9是本专利技术一实施例的承载盘上视图；图10是本专利技术一实施例的加热器上视图。符号说明晶片载具10、20、30、40、40b、50、60、60a、701、80承载主体100、200、300、400、500、600承载主体高度401、501承载主体凹口102、202、302、402、502底面103、203、303、403、503凸面高度403a凹面深度503a晶片104、204、304、404、504、804支撑环305支撑柱405、505、605、704、601第一支撑柱606第二支撑柱605a支撑柱高度405a、505a第一侧边702第二侧边703第三侧边6062第四侧边6061平边803、4041、5041、8041承载盘9第一上表面400s第一圆心92内圈93外圈91第一支撑部906第二支撑部905第三支撑部907加热器10第二上表面102第二圆心100内加热器101外加热器105中间加热器103【具体实施方式】为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。在附图或说明中，相似或相同的部分是使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未绘示或描述的元件，可以是熟习此技术的人士所知的形式。如图4A所示，依据本专利技术第一实施例的一晶片载具40的剖视图如下:如图4A所示，本专利技术第一实施例的晶片载具40，包含一具有一高度401的承载主体400，承载主体400具有一凹口 402，凹口 402的底面403为一曲面；以及多个支撑柱405位于承载主体400的周边。本专利技术第一实施例的晶片载具40的凹口 402的上视本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于沉积薄膜的装置，包含：承载盘，包含：具有一第一圆心的第一上表面；第一群组的晶片载具，围绕该第一圆心；以及第二群组的晶片载具，围绕该第一群组的晶片载具，其中该第一群组的晶片载具的其中之一包含一第一支撑部以及至少一第二支撑部，且该第一支撑部具有一特征尺寸大于该第二支撑部的特征尺寸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张中英，罗云明，沈圻，曾楹珍，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：