一种UVCVD制备ZrO2涂层的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备氧化锆涂层的方法，通过用化学气相沉积装置，在紫外和近真空的条件下在制备氧化锆涂层，以氮气或者氩气等惰性气体作为载气，沉积温度小于300℃，其前驱体可以是ZrCl(tmhd)3、ZrCl2(tmhd)2(其中tmhd＝2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷聚脂)、Zr(OR)4或者ZrCl4+H2O中的一种，反应的基底要求熔点大于300℃的金属或者玻璃化转变温度大于300℃非金属材料，所用的紫外光波长范围是150nm～400nm。本发明专利技术的主要优点是：(1)可以在较低温度下制备氧化锆涂层，扩展了基体的选择范围，进而也扩展了氧化锆涂层的应用范围；(2)通过开关紫外光发生装置来开始和终止反应，使得反应可控制性很强，也就有利于涂层本身的厚度和形貌特征的控制，有利于多层材料的制备；(3)工艺简单，造价低廉，实用性很强。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种UVCVD制备ZrO2涂层的方法，其特征在于通过用化学气相沉积装置，以氮气或者氩气等惰性气体作为载气，沉积温度小于300℃，反应室内近真空和紫外辅助的条件下下合成ZrO2涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈照峰，吴操，
申请(专利权)人：太仓派欧技术咨询服务有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32