薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。该薄膜晶体管形成于衬底基板上，包括栅极、有源层、源极和漏极，栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分分别位于第二部分的两侧，第一部分与源极的位置相对应，第三部分与漏极的位置相对应；衬底基板上形成有两个凹陷，第一部分和第三部分分别位于两个凹陷中；第一部分和第三部分上方覆盖有填充层；填充层和第二部分上方覆盖有栅绝缘层；有源层设置于栅绝缘层上；源极和漏极位于有源层上方，且均与有源层相连。本发明专利技术可应用于液晶电视、手机、平板电脑等显示装置。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示
。解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。该薄膜晶体管形成于衬底基板上，包括栅极、有源层、源极和漏极，栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第三部分分别位于第二部分的两侧，第一部分与源极的位置相对应，第三部分与漏极的位置相对应；衬底基板上形成有两个凹陷，第一部分和第三部分分别位于两个凹陷中；第一部分和第三部分上方覆盖有填充层；填充层和第二部分上方覆盖有栅绝缘层；有源层设置于栅绝缘层上；源极和漏极位于有源层上方，且均与有源层相连。本专利技术可应用于液晶电视、手机、平板电脑等显示装置。【专利说明】薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无福射等优点,在平板显示领域中占据了主导地位。如图1所示，薄膜晶体管通常包括栅极、有源层、源极和漏极，栅极与有源层之间隔有栅绝缘层，对栅极输入驱动信号时，漏极就可以通过有源层与源极导通。目前，越来越多的薄膜晶体管中，采用氧化物(Oxide)半导体材料作为有源层。在这种情况下，通常还会在有源层上覆盖刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，简称ESL)，以保护有源层，并且刻蚀阻挡层上形成有过孔，源极和漏极通过过孔与有源层相连。本专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，现有技术至少存在以下问题:采用氧化物半导体材料作为有源层的方案中，特别是采用了刻蚀阻挡层之后，栅极与源极、栅极与漏极之间的重叠面积较大，导致栅极与源极之间形成的电容Cgs，以及栅极与漏极之间形成的电容Cgd较大，影响了薄膜晶体管的导电性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，设有该薄膜晶体管的阵列基板，以及设有该阵列基板的显示装置，解决了现有的薄膜晶体管中的Cgs和Cgd较大的技术问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管形成于衬底基板上，所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧，所述第一部分与所述源极的位置相对应，所述第三部分与所述漏极的位置相对应；所述衬底基板上形成有两个凹陷，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中；所述第一部分和所述第三部分上方覆盖有填充层；所述填充层和所述第二部分上方覆盖有栅绝缘层； 所述有源层设置于所述栅绝缘层上；所述源极和所述漏极位于所述有源层上方，且均与所述有源层相连。优选的，所述凹陷的厚度为0.3~1.0 μ m，特别是0.5 μ m。优选的，所述有源层的材料为氧化物半导体。进一步，所述有源层`上方覆盖有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上开设有过孔，所述源极和所述漏极通过所述过孔与所述有源层相连。优选的，所述填充层的材料为透明树脂，特别是聚丙烯酰胺树脂。本专利技术还提供了上述薄膜晶体管的制造方法，包括:对衬底基板进行刻蚀，形成两个凹陷；通过构图工艺在所述衬底基板上形成栅极的图形，所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中；在完成上述步骤的基础上，在所述栅极上覆盖填充层；去除掉位于所述第二部分上方的填充层；在完成上述步骤的基础上，通过构图工艺形成栅绝缘层的图形；在完成上述步骤的基础上，通过构图工艺形成有源层的图形；在完成上述步骤的基础上，通过构图工艺形成源极和漏极的图形，所述源极与所述第一部分的位置相对应，所述漏极与所述第三部分的位置相对应。优选的，所述有源层的材料为氧化物半导体。进一步，所述通过构图工艺形成有源层的图形之后，还包括:在完成上述步骤的基础上，通过构图工艺形成刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层上开设有过孔；后续形成的所述源极和所述漏极通过所述过孔与所述有源层相连。本专利技术还提供一种阵列基板，所述阵列基板上设置有呈阵列式排布的若干个上述的薄膜晶体管。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本专利技术所提供的上述技术方案具有如下优点:在衬底基板上形成两个凹陷，使栅极中与源极对应的第一部分，以及与漏极对应的第三部分均位于凹陷中，并且在第一部分和第三部分上方增加了填充层，所以增大了第一部分与源极之间的间距，以及第三部分与漏极之间的间距，从而减小了 Cgs和Cgd的大小，提高了薄膜晶体管的导电性能。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为本专利技术的实施例所提供的薄膜晶体管的示意图；图2a至图2h为本专利技术的实施例所提供的薄膜晶体管制造过程的示意图；图3为本专利技术的实施例所提供的阵列基板的示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。如图1所示，本专利技术实施例所提供的薄膜晶体管，包括栅极1、有源层2、源极31和漏极32，且该薄膜晶体管形成于衬底基板4上。栅极I包括第一部分11、第二部分12和第三部分13，第一部分11和第三部分13分别位于第二部分12的两侧，第一部分11与源极31的位置相对应，第三部分13与漏极32的位置相对应。衬底基板4上形成有两个凹陷40，第一部分11和第三部分13分别位于两个凹陷40中。凹陷40的厚度为0.3?1.0ym,优选为0.5 μ m。凹陷40的尺寸与源极31和漏极32的尺寸相对应。第一部分11和第三部分13上方覆盖有填充层5,填充层5和第二部分12上方覆盖有栅绝缘层6。填充层5的材料优选为透明树脂，本实施例中采用的是聚丙烯酰胺树脂。有源层2设置于栅绝缘层6上，源极31和漏极32位于有源层2上方，且均与有源层2相连。作为一个优选方案，有源层2的材料为氧化物半导体。在其他实施方式中，有源层2的材料也可以是其他种类的半导体。进一步，有源层2上方还覆盖有刻蚀阻挡层7，用于保护氧化物半导体材料的有源层2。刻蚀阻挡层7上开设有过孔70，源极31和漏极32通过过孔70与有源层2相连。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管中，在衬底基板4上形成两个凹陷40，使栅极I中与源极31对应的第一部分11，以及与漏极32对应的第三部分13均位于凹陷40中，并且在第一部分11和第三部分13上方增加了填充层5，所以增大了第一部分11与源极31之间的间距，以及第三部分13与漏极32之间的间距，从而减小了 Cgs和Cgd的大小，提高了薄膜晶体管的导电性能。本专利技术还提供了上述薄膜晶体管的制造方法，包括:S1:如图2a所示，对衬底基板4进行刻蚀，形成两个凹陷40。衬底基板4通常可采用玻璃基板。本步骤中，可以采用常规的刻蚀玻璃的方法对衬底基板4进行刻蚀，例如，采用照射激光的方法对衬底基板4进行刻蚀；或者，也可以采用构图工艺，经曝光、显影、刻蚀等过程，在衬底基板4上刻蚀形成两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管形成于衬底基板上，其特征在于：所述栅极包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述第二部分的两侧，所述第一部分与所述源极的位置相对应，所述第三部分与所述漏极的位置相对应；所述衬底基板上形成有两个凹陷，所述第一部分和所述第三部分分别位于所述两个凹陷中；所述第一部分和所述第三部分上方覆盖有填充层；所述填充层和所述第二部分上方覆盖有栅绝缘层；所述有源层设置于所述栅绝缘层上；所述源极和所述漏极位于所述有源层上方，且均与所述有源层相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，金熙哲，宋泳锡，刘聖烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11