一种紫玉兰的组织培养方法，其特征在于，该组织培养方法是在开放式条件下进行，其方法包括以下步骤：(1)对进行紫玉兰组织培养的场地的消毒灭菌；(2)外植体的选择：选择直径为1～2cm带有腋芽的紫玉兰枝条为外植体；(3)外植体的消毒：先用自来水冲洗8～12min，然后用浓度为0.1％的升汞和吐温混合物浸泡7～13min，最后用无菌水冲洗4～6次；(4)初始诱导培养：将灭菌后的外植体用2％PVP浸泡2～5min，然后将该茎段按末端向上插入基本培养基WPM中，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下进行初始培养；3～5天后观察，将未污染的植物茎段转入新的培养基中，继续培养10～15天至新芽长出；(5)伸长培养：将长出新芽的外植体茎段转插入伸长培养基中进行新芽的伸长培养，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下培养15～20天，至新芽伸长到0.2～0.6cm；(6)增殖培养：将长出的新芽接入含有生长调节物质BA1.0mg/L和NAA0.1mg/L的WPM基本培养基中，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下培养23～26天；(7)生根培养：将增殖培养得到的组培苗在4～7℃冷藏10～14天，转接到加入了NAA1.0mg/L的WPM培养基中继续培养15～20天；将组培苗转接到加入2％PVP的WPM培养基中继续培养10～15天，生根后进行炼苗；将生根苗移接到室外进行培养。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，该紫玉兰组织培养方法是在开放式条件下进行，该方法其中包括对对紫玉兰组织培养场地的灭菌抑菌处理、外植体的选择、外植体的灭菌消毒、外植体的初代培养，增殖培养和生根培养等步骤。本专利技术中紫玉兰组织培养方法在开放式条件下进行，可以在开放的条件下进行，节约了成本；对紫玉兰的灭菌保证了外植体无菌污染，提高其培养成活率；用2％PVP浸泡外植体以及在培养基中加入2％PVP，减轻了外植体的褐化，提高其成活率。该紫玉兰组织培养方法是在操作简单，时间短，成本低廉，成活率高、生根率高，能实现短期内的出瓶移栽，并能够保持原品种的优良性状，为良种繁育和产业化生产奠定基础。【专利说明】—种紫玉兰组织培养方法
本专利技术涉及植物组织培养领域，主要涉及的的是紫玉兰的组织培养方法。
技术介绍
紫玉兰，又名木兰、辛夷，为中国特有植物，分布在中国云南，福建，湖北，四川等地，生长于海拔300至1600米的地区，一般生长于山坡边缘。紫玉兰花朵艳丽怡人，芳香淡雅，孤植或丛植都很美观，是优良的庭园、街道绿化植物，又是中国传统的花卉和中药，但是紫玉兰不易移植和养护，已经被录入《世界自然保护联盟》植物红色名录，是非常珍贵的花木。现在随着技术的发展，很多地区都在开展紫玉兰培养的方法，想在本地区培育种植紫玉兰。传统的紫玉兰一般采用播种、扦插、嫁接、压条和分株繁殖等培养方式。这些培养方式的耗时长，而且繁育不易成活。现有的一些紫玉兰组织培养方式是在封闭的无菌条件下进行的，所需成本较大，而且还存在着组织培养中外植体容易褐化，成活率不高的问题，不能用于紫玉兰的大量繁殖。【专利技术内容】本专利技术针对现有的技术问题，提出，该方法在开放式条件下进行，不用置备一个封闭式无菌环境，节约了成本；对紫玉兰灭菌处理，保证了外植体无菌污染，提高其培养成活率高；用2% PVP浸泡外植体以及在培养基中加入2% PVP，减轻了外植体的褐化，提高了外植体的成活率。该紫玉兰组织培养方法是在操作简单，时间短，成本低廉，成活率高、生根率高，并能实现短期内的出瓶移栽。本专利技术的组织培养方法能够保持原品种的优良性状，为良种繁育和产业化生产奠定基础。本专利技术的紫玉兰组织培养方法通过如下的操作来实现上述目的:1、使用抑菌剂为杀菌保果、代森锰锌和次氯酸中一种或几种对进行紫玉兰组织培养的场地做灭菌抑菌处理；2、外植体的选择:选择直径为1~2cm带有腋芽的紫玉兰枝条为外植体，剪去枝条的叶片，并将其剪成1~2cm的带腋芽的茎段；3、外植体的消毒灭菌:先用自来水把外植体冲洗6~lOmin，然后把外植体浸没在浓度为0.1 %的升汞溶液里，并加入2~3ml吐温溶液，把外植体浸泡在该混合溶液中7~13min,最后用无菌水把外植体冲洗4~6次；4、初始诱导培养:将消毒灭菌后的外植体用2% PVP浸泡2~5min，然后将该茎段按末端向上插入WPM基本培养基中，在22~26°C，光强2000~3000Lxt条件下进行初始培养；3~5天后观察，将未污染的植物茎段转入新的培养基中，继续培养10~15天至新芽长出；5、伸长培养:将长出新芽的外植体茎段转插入伸长培养基中，即是基本培养基WPM 中加入 6-BA0.2 ~0.6mg/L、NAA0.3 ~0.6mg/L、GA30.2 ~0.4mg/L 以及 ΝΑΑ0.8 ~1.0g/L，在伸长培养基中进行新芽的伸长培养，在22~26°C，光强2000~3000Lxt条件下培养15~20天，至新芽伸长到0.2~0.6cm ；6、增殖培养:将长出的新芽接入含有生长调节物质BA0.8~1.2mg/L和ΝΑΑ0.08~0.12mg/L的WPM培养基中，在22~26°C，光强2000~3000Lxt条件下培养23~26天;7、生根培养:将增殖培养得到的组培苗在4~7°C冷藏10~14天，转接到生根培养基中，该生根培养基为:WPM基本培养基中加入0.8~1.0mg/LNAA，在生根培养集中继续培养15~20天；之后再将该组培苗转接到含有2% PVP的WPM培养基中继续培养10~15天，生根后进行炼苗；将生根苗移接到室外进行培养。本专利技术的有益之处:与现有技术相比，本专利技术针对现有的技术问题，提出，该方法在开放式条件下进行，不用置备一个封闭式无菌环境，节约了成本；对紫玉兰的灭菌保证了外植体无菌污染，提高其培养成活率；用2% PVP浸泡外植体以及在培养基中加入2% PVP，减轻了外植体的褐化，提高了外植体的成活率。该紫玉兰组织培养方法是在操作简单，时间短，成本低廉，成活率高、生根率高，并能实现短期内的出瓶移栽。本专利技术的组织培养方法能够保持原品种的优良性状，为良种繁育和产业化生产奠定基础。【具体实施方式】以下对本专利技术做进一步的说明。实施例1 使用抑菌剂为杀菌保果、代森锰锌和次氯酸中一种或几种对进行紫玉兰组织培养的场地做灭菌抑菌处理；外植体的选择:选择直径为1.5cm带有腋芽的生长健壮，无病虫毒害的紫玉兰枝条为外植体，剪去枝条的叶片，并将其剪成1.5cm的带腋芽的茎段；外植体的消毒灭菌:先用自来水把外植体冲洗6min，然后把外植体浸没在浓度为0.1 %的升汞溶液里，并加入2ml吐温溶液，把外植体浸泡在该混合溶液中7min，最后用无菌水把外植体冲洗4次；初始诱导培养:将消毒灭菌后的外植体用2% PVP浸泡2min，然后将该茎段按末端向上插入WPM基本培养基中，在22°C，光强2000Lxt条件下进行初始培养；3天后观察，将未污染的植物茎段转入新的培养基中，继续培养10天至新芽长出；伸长培养:将长出新芽的外植体茎段转插入伸长培养基中，即是基本培养基WPM中加入6-BA0.2mg/L、NAA0.3mg/L、GA30.2mg/L以及IAA0.8g/L，在伸长培养基中进行新芽的伸长培养，在22°C，光强2000Lxt条件下培养15天，至新芽伸长到0.2cm ；增殖培养:将长出的新芽接入含有生长调节物质ΒΑ0.8mg/L和NAA0.08mg/L的WPM培养基中，在22°C，光强2000Lxt条件下培养23天；生根培养:将增殖培养得到的组培苗在4°C冷藏10天，转接到生根培养基中，该生根培养基为:WPM基本培养基中加入0.8mg/LNAA，在生根培养集中继续培养15天；之后再将该组培苗转接到含有2% PVP的WPM基本培养基培养基中继续培养10天，生根后进行炼苗；将生根苗移接到室外进行培养。实施例2使用抑菌剂为杀菌保果、代森锰锌和次氯酸中一种或几种对进行紫玉兰组织培养的场地做灭菌抑菌处理；外植体的选择:选择直径为1.5cm带有腋芽的生长健壮，无病虫毒害的紫玉兰枝条为外植体，剪去枝条的叶片，并将其剪成1.5cm的带腋芽的茎段；外植体的消毒灭菌:先用自来水把外植体冲洗8min，然后把外植体浸没在浓度为0.1 %的升汞溶液里，并加入2.5ml吐温溶液，把外植体浸泡在该混合溶液中lOmin，最后用无菌水把外植体冲洗5次； 初始诱导培养:将消毒灭菌后的外植体用2% PVP浸泡4min，然后将该茎段按末端向上WPM基本培养基中，在24°C，光强2500Lxt条件下进行初始培养；4天后观察，将未污染的植物茎段转入新的培养基中，继续培养12天至新芽长出；伸长培养:将长出新芽的外植体茎段转插入伸长培养基中，即本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种紫玉兰的组织培养方法，其特征在于，该组织培养方法是在开放式条件下进行，其方法包括以下步骤：(1)对进行紫玉兰组织培养的场地的消毒灭菌；(2)外植体的选择：选择直径为1～2cm带有腋芽的紫玉兰枝条为外植体；(3)外植体的消毒：先用自来水冲洗8～12min，然后用浓度为0.1％的升汞和吐温混合物浸泡7～13min，最后用无菌水冲洗4～6次；(4)初始诱导培养：将灭菌后的外植体用2％PVP浸泡2～5min，然后将该茎段按末端向上插入基本培养基WPM中，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下进行初始培养；3～5天后观察，将未污染的植物茎段转入新的培养基中，继续培养10～15天至新芽长出；(5)伸长培养：将长出新芽的外植体茎段转插入伸长培养基中进行新芽的伸长培养，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下培养15～20天，至新芽伸长到0.2～0.6cm；(6)增殖培养：将长出的新芽接入含有生长调节物质BA1.0mg/L和NAA0.1mg/L的WPM基本培养基中，在22～26℃，光强2000～3000Lxt条件下培养23～26天；(7)生根培养：将增殖培养得到的组培苗在4～7℃冷藏10～14天，转接到加入了NAA1.0mg/L的WPM培养基中继续培养15～20天；将组培苗转接到加入2％PVP的WPM培养基中继续培养10～15天，生根后进行炼苗；将生根苗移接到室外进行培养。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈凤花，
申请(专利权)人：陈凤花，
类型：发明
国别省市：
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