一种挡板及磁控溅射镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种挡板及磁控溅射镀膜设备，所述挡板包括：基板，基板为一矩形的平面板；设置于基板上的多个遮板，多个遮板为形状和尺寸均相同的矩形的平面板，多个遮板均垂直于基板，且平行于基板一组相对的侧面，多个遮板的长度均等于多个遮板所平行于的、基板的一组相对的侧面的长度，相邻两个遮板之间的间距相等。在溅射镀膜时使玻璃基板垂直于遮板运行，基板反射的粒子、运动到挡板区域内的散射粒子和挡板的基板被溅射出来的粒子大部分由于被遮板阻挡，无法穿越挡板，因此不能沉积到玻璃基板的受光面上，从而减少了薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象，提高了光伏组件的光电转换效率，且为激光扫边等后道工序提供了良好的基础。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种挡板及磁控溅射镀膜设备，所述挡板包括：基板，基板为一矩形的平面板；设置于基板上的多个遮板，多个遮板为形状和尺寸均相同的矩形的平面板，多个遮板均垂直于基板，且平行于基板一组相对的侧面，多个遮板的长度均等于多个遮板所平行于的、基板的一组相对的侧面的长度，相邻两个遮板之间的间距相等。在溅射镀膜时使玻璃基板垂直于遮板运行，基板反射的粒子、运动到挡板区域内的散射粒子和挡板的基板被溅射出来的粒子大部分由于被遮板阻挡，无法穿越挡板，因此不能沉积到玻璃基板的受光面上，从而减少了薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象，提高了光伏组件的光电转换效率，且为激光扫边等后道工序提供了良好的基础。【专利说明】一种挡板及磁控溅射镀膜设备
本技术涉及磁控溅射
，更具体地说，涉及一种挡板及磁控溅射镀膜设备。
技术介绍
磁控溅射一种常用的物理气相沉积方法，在现代工业镀膜中被广泛采用。磁控溅射镀膜设备包括：真空室、真空系统，阴极靶材、溅射电源、进气系统及挡板等。进行镀膜时，利用真空系统将真空室中的气体抽出，是真空室内气压达到规定的真空要求，然后利用进气系统向真空室内充入氩气，之后利用溅射电源给真空室内的氩气加上高压，使阴阳极间产生辉光放电，极间氩气分子被离子化而产生带电电荷，其中的正离子受阴极负电位的影响加速运动而撞击阴极靶材上，从而将其中的原子等粒子溅出，溅出的原子则沉积于位于阳极的基板上而形成薄膜。薄膜光伏组件的制作应用了磁控溅射镀膜技术。在制作薄膜光伏组件的过程中，首先利用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相淀积）工艺在TCO玻璃（Transparent Conducting Oxide,透明导电氧化物镀膜玻璃）基板的镀膜面上镀一层硅层，然后利用磁控溅射技术在硅层上镀背电极。如图I所示，玻璃基板101镀膜面朝向靶材（即背电极材料）103，沿方向aa’传动至靶材103的下方，被逐步溅射镀上被电极材料，为一平面板结构的挡板102设置于靶材103的正下方，用于遮挡不会溅射到玻璃基板101上的溅射粒子。但是，在背电极的实际镀膜过程中发现，镀膜会产生绕镀现象，即溅射粒子不仅会沉积在玻璃基板101的镀膜面上，还会沉积到玻璃基板101的受光面（即玻璃基板101背向靶材103的一面)上。绕镀会使光线透过率下降，进而造成薄膜光伏组件的光电转换效率降低,并且会对后续激光扫边工序产生不良影响。
技术实现思路
本技术提供了一种挡板及磁控溅射镀膜设备，以减少薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象，提高薄膜光伏组件的光电转换效率，为镀背电极的后道工序提供良好的基础。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：一种挡板，包括：基板，所述基板为一矩形的平面板；设置于所述基板上的多个遮板，所述多个遮板为形状和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多个遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一组相对的侧面，所述多个遮板的长度均等于所述多个遮板所平行于的、基板的一组相对的侧面的长度，相邻两个所述遮板之间的间距相等。优选的，所述多个遮板的高度均为25?50mm，包括端点值。优选的，所述多个遮板的高度均为30mm。优选的，相邻两个所述遮板之间的间距为3?10mm，包括端点值。优选的，相邻两个所述遮板之间的间距为7mm，包括端点值。优选的，所述挡板还包括:与所述多个遮板一一对应的多个连接部，所述多个连接部均为条状结构，且长度均与所述遮板的长度相等，相对应的所述连接部与所述遮板为一体结构，且呈L型，所述遮板通过贯穿所述连接部的螺栓固定于所述基板上。本技术还提供了一种磁控溅射镀膜设备，所述磁控溅射镀膜设备的挡板为以上任一项所述的挡板。与现有技术相比，本技术所提供的技术方案至少具有以下优点:本技术所提供的挡板及磁控溅射镀膜设备，通过在基板上垂直设置多个遮板，并使多个遮板均匀且平行的分布。在溅射镀膜时，使玻璃基板垂直于遮板运行，挡板的基板反射的粒子、运动到挡板区域内的散射粒子和挡板的基板被溅射出来的粒子大部分由于被遮板阻挡，无法穿越挡板，因此不能沉积到玻璃基板的受光面上，从而减少了薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象，提高了玻璃基板的透光率，进而提高了光伏组件的光电转换效率，并且，由于玻璃基板的受光面上沉积的材料极大减少，因此也为激光扫边等后道工序提供了良好的基础。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中进行薄膜光伏组件背电极镀膜的示意图；图2为本技术实施例所提供的挡板的俯视图；图3为本技术实施例所提供的挡板沿AA’的剖面图；图4为本技术实施例所提供的磁控溅射镀膜设备进行薄膜光伏组件背电极镀膜的示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
所述，薄膜光伏组件背电极的镀膜过程中会发生绕镀现象，对光电转换效率和后道工序产生不良影响。专利技术人研究发现，发生绕镀主要有三方面的原因:如图1中A、B和C三种路径所示，靶材103中溅出的粒子沿路径A运动至挡板102上，被反射沉积至玻璃基板101的受光面上；靶材103中溅出的粒子沿路径B运动至挡板102上，将挡板102的粒子溅出，从挡板102上溅出的粒子可能会沉积在玻璃基板101的受光面上；靶材103中溅出的粒子间相互碰撞，发生散射，可能会沿路径C沉积在玻璃基板101的受光面上。由于上述三种情况的存在，因此玻璃基板的受光面上会被沉积一定量的背电极材料，这对玻璃基板的光线透过率造成不良影响，进而使薄膜光伏组件的光电转换效率下降；另外，由于后续激光扫边工序中激光会从受光面进入产生高温，将玻璃基板101镀膜面上离边沿IOmm内的TCO膜层、硅层和背电极去除掉，绕镀在受光面上的膜层会减弱入射激光的能量，造成镀膜面膜层去除不彻底，因此绕镀不利于后续激光扫边工序的进行。基于此，本技术实施例提供了一种挡板，包括:基板，所述基板为一矩形的平面板；设置于所述基板上的多个遮板，所述多个遮板为形状和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多个遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一组相对的侧面，所述多个遮板的长度均等于所述多个遮板所平行于的、基板的一组相对的侧面的长度，相邻两个所述遮板之间的间距相等。本技术实施例通过提供上述结构的一种挡板作为磁控溅射镀膜设备的挡板，在溅射镀膜时，使玻璃基板垂直于遮板运行，挡板的基板反射的粒子、运动到挡板区域内的散射粒子和挡板的基板被溅射出来的粒子大部分由于被遮板阻挡，无法穿越挡板，因此不能沉积到玻璃基板的受光面上，从而减少了薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象。以上是本技术的核心思想，为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挡板，其特征在于，包括：基板，所述基板为一矩形的平面板；设置于所述基板上的多个遮板，所述多个遮板为形状和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多个遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一组相对的侧面，所述多个遮板的长度均等于所述多个遮板所平行于的、基板的一组相对的侧面的长度，相邻两个所述遮板之间的间距相等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭柱根，伍能，罗洪娜，李先林，王策，
申请(专利权)人：海南汉能光伏有限公司，
类型：实用新型
国别省市：