压模式发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种压模式发光装置及其制造方法。压模式发光装置包括基板、发光芯片、封装胶体及保护层。基板具有阶梯结构环绕于基板的表面边缘上。发光芯片设于基板上。封装胶体包覆发光芯片，且具有外侧面。保护层位于阶梯结构上且覆盖封装胶体的外侧面。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种。压模式发光装置包括基板、发光芯片、封装胶体及保护层。基板具有阶梯结构环绕于基板的表面边缘上。发光芯片设于基板上。封装胶体包覆发光芯片，且具有外侧面。保护层位于阶梯结构上且覆盖封装胶体的外侧面。【专利说明】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有阶梯结构的。
技术介绍
传统压模式发光二极管制作完成后，需要在摄氏60度及90%湿度下进行信赖性实验。然而，传统压模式发光二极管在经过信赖性试验后，其封装胶体的转换效率受到破坏，导致在市场上的使用寿命降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提一种，可改善压模式发光装置在试验后寿命降低的问题。为达上述目的，本专利技术提出一种压模式发光装置。压模式发光装置包括一基板、一发光芯片、一封装胶体及一保护层。基板具有一阶梯结构环绕于基板的表面边缘上。发光芯片设于基板上。封装胶体包覆发光芯片，且具有一外侧面。保护层位于阶梯结构上且覆盖封装胶体的外侧面。根据本专利技术的另一实施例，提出一种压模式发光装置的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；设置数个发光芯片于基板上；形成一封装胶体包覆此些发光芯片；形成数个贯穿封装胶体及基板的部分表面的切割道，使得各发光芯片周围均被此些切割道环绕；在各切割道内分别形成一保护层；以及，在各切割道上施以一切割程序，以形成数个具有保护层的压模式发光装置。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下:【专利附图】【附图说明】图1A为本专利技术一实施例的压模式发光装置的剖视图；图1B为图1A的俯视图；图2A至图21为本专利技术一实施例的压模式发光装置的制造过程图。主要元件符号说明100:压模式发光装置110:基板111:阶梯结构110u、130u、140u:上表面IlOsl:第一外侧面110s2:第二外侧面112:第一电极113:第二电极114:电性隔离件115:第一导线116:第二导线120:发光芯片130:封装胶体130s、140sl:外侧面140、141:保护层140’:保护层材料140s2:内侧面150:网版151:沟槽H:热量P1、P2:切割道【具体实施方式】请参照图1A，其绘示依照本专利技术一实施例的压模式发光装置的剖视图。压模式发光装置100包括基板110、发光芯片120、封装胶体130及保护层140。保护层140可保护封装胶体130，减少或避免封装胶体130经过信赖性试验或其它试验后受到过度的破坏，由此可提升产品寿命。以下详细说明压模式发光装置100的元件。基板110具有阶梯结构111及上表面110u，其中阶梯结构111环绕于基板110的上表面IlOu的边缘上。此外，基板110的材料例如是金属或陶瓷，本实施例以金属基板为例说明。基板Iio包括第一电极112、第二电极113及电性隔离件114，电性隔离件114电性隔离第一电极112与第二电极113。发光芯片120设于基板110的上表面IlOu上。第一导线115连接发光芯片120与第一电极112,而第二导线116连接发光芯片120与第一电极112。另一例中，发光芯片120可以是倒装式芯片，在此设计下可省略第一导线115及第二导线116。封装胶体130包覆发光芯片120，且具有外侧面130s及上表面130u。保护层140具有上表面140u，其与封装胶体130的上表面130u实质上对齐，例如是共面。此外，封装胶体130可含有波长转换物质，此波长转换物质可选自荧光粉、色素、颜料、其混合物或其它合适材料。保护层140位于阶梯结构111上且覆盖封装胶体130的外侧面130s，可保护封装胶体130，减少或避免封装胶体130经过信赖性试验或其它试验后受到过度的破坏，由此可提升产品寿命。保护层140具有遮光性，可避免发光芯片120的光线通过保护层140出光。保护层140具有外侧面140sl，而基板110具有第一外侧面IIOsl，其中保护层140的外侧面140sl与基板110的第一外侧面IlOsl实质上对齐，例如是共面。此外，保护层140具有内侧面140s2，而基板110具有第二外侧面110s2，其相对第一外侧面IlOsl系内缩，也就是说，第二外侧面110s2比第一外侧面IlOsl更靠近发光芯片120。第二外侧面110s2与保护层140的内侧面140s2实质上对齐，例如是共面。此外，保护层140的材料包含热塑性树月旨，例如是白色聚邻苯二酰胺(PPA)。请参照图1B，其绘示图1A的俯视图。保护层140呈一封闭环形环绕发光芯片120，且定义出压模式发光装置100的边界。另一例中，保护层140也可呈一开放环形。请参照第2A至21图，其绘示依照本专利技术一实施例的压模式发光装置的制造过程图。如图2A所示，提供基板110，其中基板110包括至少一电性隔离件114，且定义至少一第一电极112及至少一第二电极113,其中电性隔离件114形成于第一电极112与第二电极113之间。如图2B所不,设置至少一发光芯片120于基板110的上表面IlOu上，并以第一导线115连接发光芯片120与第一电极112，而以第二导线116连接发光芯片120与第二电极113。如图2C所示，可采用例如是模压制作工艺，形成封装胶体130包覆发光芯片120、第一导线115及第二导线116。如图2D所示，可采用例如是机械或激光钻孔制作工艺，形成数个切割道P1，其中切割道Pl贯穿封装胶体130及基板110的部分厚度，各发光芯片120周围被对应的切割道Pl环绕。本例中，从图2D的俯视方向看去，环绕发光芯片120的切割道Pl呈封闭环形，然而也可呈开放环形。此外，切割道Pl于基板110形成阶梯结构111及第二外侧面110s2，且于封装胶体130形成外侧面130s，其中外侧面130s与第二外侧面110s2实质上对齐，例如是共面。接下来，可采用下列步骤在各切割道Pl内分别形成保护层140。如图2E所示，提供网版150，其具有数个沟槽151。如图2E所示，放置网版150于封装胶体130上，网版150的各沟槽151的位置位于所对应的切割道Pl上。如图2F所示，通过网版150的沟槽151，填充保护层材料140’于切割道Pl内，详细来说，是使用网版150印刷保护层材料140’于封装胶体130的上表面130u及沟槽151中。另一例中，可用刮刀或其它合适工具把保护层材料140’挤入切割道Pl内。另一例中，也可省略网版150，直接形成保护层材料140’全面地覆盖封装胶体130的上表面130u及切割道P1。此外，保护层材料140’例如是热塑性树脂。本例中，沟槽151的宽度大于切割道Pl的宽度，然而也可小于或实质上等于切割道Pl的宽度。然后，移除网版150。然后，如图2G所示，施加热量H于保护层材料140’(图2F)上，以固化充保护层材料140’，而形成保护层140。如图2H所示，可采用例如是抛光方式、机械加工、化学方法或其它合适移除制作工艺，移除形成于封装胶体130的上表面130u的保护层141。抛光后，保护层140形成上表面140u，其与封装胶体130的上表面130u实质上对齐，例如是共面。如图21所示，对应各切割道Pl的位置，形成切割道P2贯穿保护层140及基板110，以形成至少一具有保护层140的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压模式发光装置，包括：基板，具有阶梯结构，环绕于该基板表面边缘上；发光芯片，设于该基板上；封装胶体，包覆该发光芯片，且具有一外侧面；以及保护层，位于该阶梯结构上且覆盖该封装胶体的该外侧面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈明煌，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71