一种硅块抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种硅块抛光方法，包括：采用金刚砂磨石进行研磨，对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理；采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨，去除硅块表面的损伤层；其中，所述毛刷包括第一毛刷和第二毛刷；所述第一毛刷位于毛刷的内部；所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧，其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷；所述硅块的进给速度为14mm/S～16mm/S，所述金刚砂磨石转速为2600r/min～2800r/min，所述毛刷转速为1000r/min～1200r/min。该方法使用金刚砂磨石和毛刷分前后两道工序，并采用特定的进给速度和转速对硅块进行抛光，可显著提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损，保证硅片切割质量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括：采用金刚砂磨石进行研磨，对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理；采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨，去除硅块表面的损伤层；其中，所述毛刷包括第一毛刷和第二毛刷；所述第一毛刷位于毛刷的内部；所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧，其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷；所述硅块的进给速度为14mm/S～16mm/S，所述金刚砂磨石转速为2600r/min～2800r/min，所述毛刷转速为1000r/min～1200r/min。该方法使用金刚砂磨石和毛刷分前后两道工序，并采用特定的进给速度和转速对硅块进行抛光，可显著提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损，保证硅片切割质量。【专利说明】一种娃块抛光方法
本专利技术涉及太阳能硅块加工制造
，特别是对硅块在切割成硅片之前进行抛光处理的方法。
技术介绍
目前，在硅片生产车间，硅锭要通过线切割方式处理成硅块(即开方)，然后再切割成硅片，工作人员在开方的实际操作中，只要稍有疏忽就会影响硅块的切割质量，主要分为切割的硅块表面有锯痕、硅块的尺寸出现中间“鼓肚”、断线引起的局部硅块形状弯曲等现象，这些缺陷都会给后续抛光造成困难，另外经过钢线切割的硅块表面会产生约20微米的损伤层，损伤层会造成硅块或者硅片裂纹等质量问题。抛光工序的工作内容是对娃块进行形状修正和表面处理,娃块表面的抛光质量直接影响硅片切割的质量，因此是晶体硅太阳能行业十分重要的一个工序。现有技术主要应用毛刷对硅块进行研磨，毛刷抛光可去除损伤层，降低隐形裂纹、崩边、碎片的数量，缺点是毛刷质地柔软，抛光速度慢，消耗快，如果使用毛刷式的砂轮抛光，不能完全去除由于切割造成的锯痕，对于“鼓肚”问题的硅块，由于毛刷式的砂轮的抛光能力有限，不能把中间大的尺寸去除，从而影响抛光质量。此外，现有技术中的硅块进给速度(即工作台速度)与毛刷速度不匹配，造成硅块表面存在毛刷印，粗糙度值较大，抛光质量较低。若工作台速度过快，虽然有助于增大产量，但是会导致抛光质量降低，而且毛刷电机转速过快会导致电机温度过热，影响电机使用寿命；若工作台速度过慢，又会造成同一部位多次研磨，形成圆状毛刷印，粗糙度较大，且毛刷消耗过快。因此，如何提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。该方法使用金刚砂磨石和毛刷分前后两道工序，并采用特定的进给速度和转速对硅块进行抛光，可显著提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损，保证硅片切割质量。为实现上述目的，本专利技术提供一种一种娃块抛光方法，包括:第一抛光工序，采用金刚砂磨石进行研磨，对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理；第二抛光工序，采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨，去除硅块表面的损伤层；其中，所述毛刷为组合毛刷，包括第一毛刷和第二毛刷；所述第一毛刷位于毛刷的内部；所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧，其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷；所述娃块的进给速度为14mm/S?16mm/S,所述金刚砂磨石转速为2600r/min?2800r/min,所述毛刷转速为 1000r/min ?1200r/min。优选地,所述娃块的进给速度为15mm/S,所述金刚砂磨石转速为2700r/min,所述毛刷转速为1100r/min。优选地，所述第一毛刷的刷毛目数为200?300，所述第二毛刷的刷毛目数为700 ?900。优选地，所述第一毛刷的刷毛目数为240，所述第二毛刷的刷毛目数为800。优选地,所述第二毛刷比第一毛刷的刷毛前探0.3mm?0.5mm。优选地，所述第二毛刷比第一毛刷的刷毛前探0.4_。优选地，所述第二抛光工序的研磨深度为0.2mm?0.3mm。优选地，在所述第一抛光工序中，向金刚砂磨石表面供给充足的冷却水。优选地，所述金刚砂磨石为天然或人工金刚砂砂轮。优选地，所述金刚砂磨石的结合剂为树脂型结合剂。本专利技术将金刚砂磨石和毛刷配合使用对硅块进行研磨，其中金刚砂磨石用于对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理，由于金刚砂磨石磨削能力强，因此能够很好的处理硅块表面的锯痕、硅块尺寸出现的中间“鼓肚”、断线引起的局部硅块形状弯曲等现象，毛刷用于对经过金刚砂磨石处理的硅块进行再次研磨，去除硅块表面的损伤层，毛刷不仅具有质地软、损伤小的特点，而且分为粗细、长度不同的两种毛刷，在粗毛刷进行预研磨之后，由细毛刷进一步精细研磨，可有效降低硅块上隐形裂纹、崩边、碎片的数量，由于采用了特定的进给速度和研磨转速，因此可显著提高硅块抛光质量、降低材料消耗、控制设备磨损，保证硅片切割质量。【专利附图】【附图说明】图1为使用普通树脂砂轮抛光后硅块表面在高清显微镜下的结构示意图；图2为使用金刚砂磨石抛光后硅块表面在高清显微镜下的结构示意图；图3为采用金刚砂磨石初步研磨之后，经过和不经过毛刷研磨的合格率抽检对比示意图；图4为采用金刚砂磨石初步研磨之后，经过和不经过毛刷研磨的其他不合格率抽检对比示意图。【具体实施方式】为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步的详细说明。在一种【具体实施方式】中，本专利技术提供的硅块抛光方法的工作原理是将硅块放置在工作台上，工作台按照设定的速度进给，金刚砂磨石、毛刷通过电机按照设定的转速对硅块进行抛光处理。具体包括以下步骤:第一抛光工序，采用金刚砂磨石进行研磨，对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理，利用金刚砂磨石较强的研磨能力，把开方机切割造成的一些硅块表面的问题，如切割的硅块表面有锯痕、硅块的尺寸出现中间“鼓肚”、断线引起的局部硅块形状弯曲等现象，进行基本的抛光。在实际操作中需要注意，在金刚砂磨石抛光时，应该给予充足的冷却水，保证水路畅通，使冷却水均匀的撒开到金刚砂磨石上。金刚砂磨石为天然或人工金刚砂砂轮，金刚砂是碳的一种超高硬度形态，其对铁有亲和性而能够形成快速磨损，其结合剂可选用树脂型结合剂，树脂型结合剂对摩擦中的震动有一定的阻尼作用。第二抛光工序，采用毛刷对经过第一抛光工序处理的硅块进行研磨，去除硅块表面的损伤层。毛刷为组合毛刷，包括第一毛刷和第二毛刷，第一毛刷位于毛刷的内部，呈环形排列，第二毛刷位于第一毛刷的外侧，亦呈环形排列，第二毛刷的刷毛目数和刷毛长度均大于第一毛刷。具体地，第一毛刷为240#毛刷(即240目，目即每平方英寸上的数量，240即指每平方英寸上有240个刷毛，刷毛直径为1/240平方英寸)，第二毛刷为800#毛刷(即800目，目即每平方英寸上的数量，800即指每平方英寸上有800个刷毛，刷毛直径为1/800平方英寸)，且第二毛刷比第一毛刷的刷毛前探约0.4mm，其中第一毛刷的数量为9束，第二毛刷的数量为24束。在整个研磨过程中，娃块的进给速度为15mm/S,金刚砂磨石的转速为2700r/min,毛刷转速为1100r/min,第二抛光工序的研磨深度控制在0.2mm~0.3mm之间。当然，也可以不局限于上述具体参数，只需满足硅块的进给速度为14mm/S~16mm/S,金刚砂磨石转速为 2600r/min~2800r/min,毛刷转速1000r/min~1200r/min,第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅块抛光方法，包括：第一抛光工序，采用金刚砂磨石进行研磨，对开方后的硅块进行形状修正和初步表面处理；第二抛光工序，采用毛刷对经过所述第一抛光工序处理的硅块进行研磨，去除硅块表面的损伤层；其中，所述毛刷为组合毛刷，包括第一毛刷和第二毛刷；所述第一毛刷位于毛刷的内部；所述第二毛刷位于所述第一毛刷的外侧，其刷毛目数和刷毛长度均大于所述第一毛刷；所述硅块的进给速度为14mm/S～16mm/S，所述金刚砂磨石转速为2600r/min～2800r/min，所述毛刷转速为1000r/min～1200r/min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马帅，王鑫波，王康，
申请(专利权)人：天津英利新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：