双面光刻机的对位结构及对位方法技术

本发明专利技术公开了一种双面光刻机的对位结构及对位方法，该对位标记包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，所述“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，所述辅助对位标记为阶梯状，每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。本发明专利技术通过采用“+”字型的主对位标记与主对位标记上下左右的辅助对位标记进行对位，有利于肉眼分辨对位位置，提供了对位精度，减少手动对位引起的误差，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，该对位标记包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，所述“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，所述辅助对位标记为阶梯状，每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。本专利技术通过采用“+”字型的主对位标记与主对位标记上下左右的辅助对位标记进行对位，有利于肉眼分辨对位位置，提供了对位精度，减少手动对位引起的误差，提高了生产效率。【专利说明】
本专利技术涉及半导体光刻
，特别是涉及一种双面光刻机的对位标记结构及对位方法。
技术介绍
双面光刻机中可供选择的对准方法有多种，如红外对准、四物镜对准、双掩膜对准及光栅相位对准等。但是，在这些对准方法中，都存在着一定的缺陷。其中，红外对准的不足之处在于:红外显微镜观察条件差，对准精度低，且对准速度慢，生产率低，晶片达到一定厚度时，红外线穿透能力降低，对准很困难，且不能用于不透红外光的晶片曝光；四物镜对准原理的不足之处是:光学系统复杂，设计、装配、调试困难，体积庞大且设备造价高，操作不便，生产率低；双掩膜对准原理的主要缺点是:设备零件要求精度高且复杂，容易因掩膜变形而使曝光分辨率降低；光栅相位对准更是一个非常复杂的系统，它不仅涉及光、机、电、材料、工艺及计算机等多学科理论，而且，光刻机其它诸多子系统的任何一项性能的好坏都有可能影响到对准系统的精度，另外，由于光栅对准要求有自动扫描精密工件台，使得这种对准方式在接近接触式光科技中的应用收到了限制。正常的曝光都需要预对准和对位，在掩膜版和圆片对上位后才进行曝光，以保证圆片的对位偏差在规范之内。MEMS的双面光刻机EVG620完全手动放置圆片和对位，机台对位精度只有2 μ m,对位精度比较大；机台误差加上手动对位(使用现有的“ + ”字标记)，做出来的产品对位偏差较大，很多时候满足不了产品，经常需要返工。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种双面光刻机的对位标记结构及对位方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种对位精度更小的双面光刻机的对位标记结构及对位方法。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供的技术方案如下:一种双面光刻机的对位结构，所述对位结构包括“ + ”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，所述“ + ”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，所述辅助对位标记为阶梯状，每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。作为本专利技术的进一步改进，所述辅助对位标记设置为八个，主对位标记上下左右分别设有两个辅助对位标记，所述两个辅助对位标记沿水平主对位标记或垂直主对位标记的对称轴线对称设置。作为本专利技术的进一步改进，所述每个辅助对位标记中的相邻的两个长方形有一条边在同一条直线上，且同一个辅助对位标记中所有长方形的与长垂直的对称轴线为同一条直线。作为本专利技术的进一步改进,所述主对位标记的水平主对位标记和垂直主对位标记均为长方形，长度均设为100 μ m,宽度均设为20 μ Hlo作为本专利技术的进一步改进，所述辅助对位标记中长方形的宽度设为10 μ m，长度为公差等于2μπ?的等差数列。作为本专利技术的进一步改进，所述辅助对位标记中长度最小的长方形与主对位标记的水平距离或垂直距离最大，且辅助对位标记中长方形的最小长度设为8 μ m。作为本专利技术的进一步改进，所述辅助对位标记与主对位标记的水平距离或垂直距离设为40 μ m，相邻的两个辅助对位标记的水平距离或垂直距离设为8 μ m。相应地，一种双面光刻机中对位结构的对位方法，所述方法包括:S1、通过CXD成像系统获取静态掩膜版上的左右两个对位结构，并通过图像采集系统采集图像数据并通过计算机进行对位结构的处理、定位及显示，其中，所述对位结构包括“ + ”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，所述“ + ”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，所述辅助对位标记为阶梯状，辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成；S2、将圆片放置于掩膜版上，调节圆片的位置，使圆片上的左右两个对位结构与掩膜版上的左右两个对位结构重合，完成圆片的正面曝光；S3、 翻转圆片放置于掩膜版上，调节圆片的位置，使圆片上的左右两个对位结构与计算机中记录的掩膜版上左右两个对位结构重合，完成圆片的背面曝光。本专利技术的有益效果是:本专利技术通过采用“ + ”字型的主对位标记与主对位标记上下左右的辅助对位标记进行对位，有利于肉眼分辨对位位置，提供了对位精度，减少手动对位引起的误差，提闻了生广效率。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一实施方式中双面光刻机一个对位结构的不意图；图2为本专利技术一实施方式中双面光刻机对位结构中辅助对位标记的结构不意图(图1的中的局部放大图)；图3为本专利技术一实施方式中双面光刻机对位方法的具体流程图。【具体实施方式】本专利技术公开了一种双面光刻机的对位结构，对位结构包括“ + ”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，“ + ”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成,辅助对位标记为阶梯状，每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。本专利技术还公开了一种双面光刻机对位方法，该方法包括:S1、通过CXD成像系统获取静态掩膜版上的左右两个对位结构，并通过图像采集系统采集图像数据并通过计算机进行对位结构的处理、定位及显示，其中，对位结构包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，辅助对位标记为阶梯状，辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成；S2、将圆片放置于掩膜版上，调节圆片的位置，使圆片上的左右两个对位结构与掩膜版上的左右两个对位结构重合，完成圆片的正面曝光；S3、翻转圆片放置于掩膜版上，调节圆片的位置，使圆片上的左右两个对位结构与计算机中记录的掩膜版上左右两个对位结构重合，完成圆片的背面曝光。本专利技术通过采用“ + ”字型的主对位标记与主对位标记上下左右的辅助对位标记进行对位，有利于肉眼分辨对位位置，提供了对位精度，减少手动对位引起的误差，提高了生产效率。为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。参图1所不为本专利技术一优选实施方式中双面光刻机一对位结构的不意图。双面光刻机中掩膜版上的对位结构通常设为位于一条直线上的左右两个，通过两个对位结构对圆片进行定位。在本实施方式中对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面光刻机的对位结构，其特征在于，所述对位结构包括“+”字型的主对位标记及若干对称设于主对位标记上下左右的辅助对位标记，所述“+”字型的主对位标记由水平主对位标记和垂直主对位标记垂直交叉形成，所述辅助对位标记为阶梯状，每个辅助对位标记由若干宽度相同、长度成等差数列的长方形组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春云，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32