半导体器件及其制造方法技术

半导体元件包括在主表面上的多个电极、覆盖半导体元件的侧表面的至少一部分的密封树脂、以及形成在半导体元件的主表面、半导体元件的侧表面的一部分和密封树脂上的第一绝缘层。该第一绝缘层具有形成在其中的第一开口以允许通过第一开口暴露出在主表面上的多个电极，以及设置在侧表面的一部分上的倒角。该半导体元件还包括布线层和第二绝缘层，该布线层以电连接到多个电极的方式形成在第一开口中，并还形成在第一绝缘层上；该第二绝缘层具有形成在第一绝缘层和布线层上的第二开口。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】半导体元件包括在主表面上的多个电极、覆盖半导体元件的侧表面的至少一部分的密封树脂、以及形成在半导体元件的主表面、半导体元件的侧表面的一部分和密封树脂上的第一绝缘层。该第一绝缘层具有形成在其中的第一开口以允许通过第一开口暴露出在主表面上的多个电极，以及设置在侧表面的一部分上的倒角。该半导体元件还包括布线层和第二绝缘层，该布线层以电连接到多个电极的方式形成在第一开口中，并还形成在第一绝缘层上；该第二绝缘层具有形成在第一绝缘层和布线层上的第二开口。【专利说明】相关申请的交叉参考本申请基于并要求于2012年10月I日提交的日本专利申请N0.2012-219729的优先权的权益，其全部内容通过弓I用并入本文。
本文描述的实施例涉及一种半导体器件和该半导体器件的制造方法。
技术介绍
近来，诸如手机和数字媒体播放器的产品都在被小型化。随着这些产品的小型化，对安装在这些产品中的小型化半导体器件的需求也正在提高。近来，已开发了包括一种被称作芯片级封装(CSP)的小型半导体器件(其包含由树脂密封的半导体元件)的紧凑型半导体器件。然而，由于受到用于在安装有半导体器件的基板上定位电极焊盘和布线的精细布线技术的限制，而导致难以在产品上提供紧凑型半导体器件。为了克服这个问题，需要具有扇出结构的半导体器件，其中半导体元件的电极被重新布线以增加电极距。根据本领域中具有扇出结构的半导体器件的制造方法，半导体元件开始安装在设置有固定部件的支撑部件上，并且该半导体元件由树脂密封。在支撑部件被分离之后，在半导体元件和密封树脂上形成绝缘层。随后，形成布线层和阻焊层，最后，将半导体元件彼此分割成分离件。
技术实现思路
在形成布线层的工艺或热处理阻焊层的工艺期间，由于弯曲或热扩散系数差，而导致在半导体元件以及密封树脂这两个组件和绝缘层之间产生应力。根据相关领域的半导体器件，半导体元件和密封树脂的表面基本上是均质的，并因此在半导体元件以及密封树脂这两个组件和绝缘层之间的粘附力变得不足，从而可能会导致绝缘层的分离。在这种情况下，半导体器件无法提供足够的可靠性。因此，由实施例实现的目标是提供具有较高可靠性的半导体器件。为了实现上述目标，根据一实施例的半导体器件包括:半导体元件，其具有在主表面上的多个电极；密封树脂，其覆盖所述半导体元件的侧表面的至少一部分；第一绝缘层，其形成在所述半导体元件的主表面、所述半导体元件的侧表面的一部分、以及密封树脂上，并具有以允许通过第一开口暴露出在所述主表面上的多个电极的方式而设置的所述第一开口，并具有设置在所述侧表面的一部分上的倒角(fillet);布线层，其以电连接到所述多个电极的方式形成在所述第一开口中，并且还形成在第一绝缘层上；以及第二绝缘层，其具有第二开口，并形成在第一绝缘层和布线层上。根据一实施例的半导体器件的制造方法包括:将半导体元件定位在第一绝缘层上，由形成在支撑部件上的固定部件将该第一绝缘层固定到支撑部件上，将该第一绝缘层图案化，以具有第一开口并在所述半导体元件的侧表面上产生倒角；将密封树脂至少形成在所述第一绝缘层和所述半导体元件上；将所述固定部件与所述支撑部件分离，以暴露出所述第一开口 ；在所述第一开口中和所述第一绝缘层上形成布线层；将具有第二开口的第二绝缘层至少形成在所述第一绝缘层和所述布线层上；以及将所述半导体元件彼此分割，以产生分离的半导体元件。【专利附图】【附图说明】图1是根据实施例的半导体器件的截面图。图2A至2E是示意性示出根据该实施例的半导体器件的制造方法的步骤的截面图。图3A至3C是示意性示出根据该实施例的半导体器件的制造方法的附加步骤的截面图。图4A和4B是示意性示出根据该实施例的半导体器件的制造方法的附加步骤的截面图。图5是根据该实施例的半导体器件的第一修改示例的截面图。图6是根据该实施例的半导体器件的第二修改示例的截面图。图7是根据该实施例的半导体器件的第三修改示例的截面图。【具体实施方式】下面参照附图来描述实施例。相同的元件在相应附图中采用相同的附图标记，并且相同的细节描述将不再重复。图1是根据该实施例的半导体器件的截面图。在该实施例中的半导体器件I包括半导体元件2、绝缘层3、密封树脂4、布线层5、阻焊剂6和连接部件7。该半导体元件2具有在主表面2a上的多个电极2b、和以围绕该多个电极2b的方式设置在主表面2a上的绝缘部件2c。当多个电极2b被通电时，该绝缘部件2c防止连续穿过相邻的电极2b。在该实施例中以围绕多个电极2b的这种方式而设置的绝缘部件2c可以覆盖多个电极2b的一部分并围绕电极2b,同时允许暴露多个电极2b。该半导体元件2是四角柱形，并且由逻辑型LSI元件、诸如二极管的分离式半导体、存储元件或其它元件构成。在该实施例中为四角柱形的半导体元件可以具有其它形状，例如多边柱形和圆柱形。绝缘层3 (第一绝缘层)具有倒角3a，其覆盖半导体元件2的侧表面2d的一部分。该侧表面2d与主表面2a之间基本成直角。通过绝缘层3沿着侧表面2d的一部分上升而形成该倒角3a。该倒角3a覆盖绝缘部件2c和侧表面2d的一部分。至少设置在该半导体元件2的绝缘部件2c上的该绝缘层3形成第一开口 Hl，以允许通过第一开口 Hl暴露多个电极2b。更具体地，绝缘层3的第一开口 Hl被形成为实现下述布线层5的电连接。根据该实施例的围绕多个电极2b的绝缘层3可以接触多个电极2b的一部分，例如只要可以通过该绝缘层3暴露出多个电极2b。设置在绝缘部件2c上的绝缘层3和倒角3a被连续形成。绝缘层3覆盖半导体元件2的侧表面2d的一部分的结构可以增加绝缘层3和半导体元件2以及密封树脂4的组件之间的粘接面积，因而增加绝缘层3与组件2和4之间的粘附力。因此，该结构能够防止绝缘层3的分离。该实施例中由包括聚酰亚胺的材料制成的绝缘层3可以由其它材料制成，只要该材料可使多个电极2b之间彼此绝缘。在半导体元件2的与主表面2a相反一侧的表面、侧表面2d的一部分、以及绝缘层3上设置密封树脂4。密封树脂4的材料可以是例如环氧树脂，但并不限于该材料。布线层5被电连接到半导体元件2的多个电极2b，并填充在绝缘层3的第一开口Hl中。布线层5形成在绝缘层3的与设置密封树脂4的一侧相反的一侧上，并具有基本均匀的厚度。布线层5由诸如Cu和Al的导电金属制成。将阻焊剂6 (第二绝缘层)设置在绝缘层3和布线层5上，并被定位成围绕设置在布线层5上的连接部件7的区域。阻焊剂6的材料是包含聚酰亚胺的材料，但并不限于该材料。连接部件7被设置在阻焊剂6的第二开口 H2中并电连接到布线层5。在该实施例中每个连接部件7由焊球组成，但也可以由其它材料形成，只要包括导电金属。现在参照图2A至4B来说明根据该实施例的半导体器件的制造方法。首先，如图2A所示制备包括多个电极2b和绝缘部件2c的晶圆W，该绝缘部件2c以能够通过绝缘部件2c暴露电极2b的方式围绕多个电极2b。如图2B所示，晶圆W定位在第一支撑部件10上，并利用切割刀D将其切割成分离件以形成半导体元件2。在该实施例中，该第一支撑部件10由诸如切割带的薄片组成。然而，第一支撑部件10可以由其它只要能够被切割的材料形成。如图2C所示，在第二支撑部件11上形成具有粘附力的固定部件12，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体元件，其包括在主表面上的多个电极；密封树脂，其覆盖所述半导体元件的侧表面的至少一部分；第一绝缘层，其形成在所述半导体元件的所述主表面、所述半导体元件的所述侧表面的一部分、以及所述密封树脂上，并以如下方式设置有第一开口，即允许通过所述第一开口暴露出在所述主表面上的所述多个电极，并且所述第一绝缘层包括设置在所述侧表面的一部分上的倒角；布线层，其以电连接到所述多个电极的方式形成在所述第一开口中，并且还形成在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，其设置有第二开口，并至少形成在所述第一绝缘层和所述布线层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本间恭子，下川一生，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP