一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。【专利说明】一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置。
技术介绍
液晶显示屏主要由对向基板，阵列基板，以及位于该两基板之间的液晶层组成。其中，在阵列基板面向液晶层的一侧设置有栅线、数据线、像素电极以及取向层等，在对向基板面向液晶层的一侧设置有黑矩阵和彩膜层等。在阵列基板的实际制作工艺中，栅线和数据线一般为金属线，其厚度一般为2 μ m至3 μ m ;像素电极一般为诸如氧化铟锡(ΙΤ0)等的透明导电氧化物膜层，其厚度一般为400 A至700 A。公共电极可以位于对向基板面向液晶层的一侧，即扭转向列(TN)型液晶显示屏，也可以位于阵列基板面向液晶层的一侧，即高级超维场开关(ADS)型液晶显示屏。以TN型液晶显不屏为例，如图1所不，阵列基板包括:衬底基板101以及位于衬底基板101上的像素电极102、栅线103、数据线(图1中未示出)和取向层104。由于像素电极102的厚度与栅线103和数据线的厚度相差较大，会导致在像素电极102、栅线103和数据线上形成的取向层104的表面不平坦，使取向层104在栅线103和数据线的边缘处存在台阶(如图1所示的虚线框所示)，这样后续在对取向层104进行摩擦处理时，会使与栅线103和数据线的边缘处相对应的取向层104摩擦不充分，导致与栅线103和数据线边缘处相对应的取向层104对液晶分子的取向作用较弱。并且，在取向层104的摩擦方向与栅线103的延伸方向相同时，液晶分子的初始排列方向与栅线103的延伸方向平行，这样位于栅线103边缘附近的液晶分子由于受到栅线103水平电场的作用而发生旋转，导致在栅线103边缘处产生严重的漏光问题；同理，在取向层104的摩擦方向与数据线的延伸方向相同时，液晶分子的初始排列方向与数据线的延伸方向平行，这样位于数据线边缘附近的液晶分子由于受到数据线水平电场的作用而发生旋转，导致在数据线边缘处产生严重的漏光问题。虽然通过增加黑矩阵的宽度，可以避免在栅线103或数据线边缘处的漏光问题，但是，这样会降低液晶显示屏的开口率。因此，如何在不影响开口率的前提下，避免在栅线或数据线边缘处的漏光问题，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置，用以在不影响开口率的前提下，避免在栅线或数据线边缘处的漏光问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的金属线和透明导电氧化物膜层，以及位于所述金属线和所述透明导电氧化物膜层上的取向层；还包括:位于所述衬底基板与所述取向层之间的透明的厚度补偿层；所述透明导电氧化物膜层在所述衬底基板上的投影位于所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影内，且所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影与所述金属线在所述衬底基板上的投影互不重合；所述厚度补偿层的厚度与所述透明导电氧化物膜层的厚度之和等于所述金属线的厚度。本专利技术实施例提供的上述阵列基板，由于在衬底基板与取向层之间增加一层与金属线互不重合的透明的厚度补偿层，且透明导电氧化物膜层与厚度补偿层的重叠面积为透明导电氧化物膜层的面积，且厚度补偿层的厚度与透明导电氧化物膜层的厚度之和与金属线的厚度相同，这样补偿了透明导电氧化物膜层与金属线的厚度差异，避免了与金属线边缘处相对应的取向层摩擦不充分，出现对位于金属线边缘附近的液晶分子的取向作用较弱，而使液晶分子在金属线的水平电场作用下发生旋转所导致的漏光问题，进而改善了液晶显示屏的对比度。具体地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述金属线为栅线，所述取向层的摩擦方向与所述栅线的延伸方向相同。具体地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述金属线为数据线，所述取向层的摩擦方向与所述数据线的延伸方向相同。具体地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述透明导电氧化物膜层为像素电极和/或公共电极。较佳地，为了减少制作工序，提高生产效率，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述厚度补偿层的材料为光刻胶，所述光刻胶位于所述透明导电氧化物膜层上，且与所述透明导电氧化物膜层的图形一致。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示屏，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述液晶显示屏。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括:在衬底基板上形成包括金属线和透明导电氧化物膜层的图形；在形成有所述金属线和所述透明导电氧化物膜层的图形的衬底基板上形成取向层；所述在衬底基板上形成包括透明导电氧化物膜层的图形，具体包括:在衬底基板上依次形成透明导电氧化物膜层和光刻胶薄膜；对所述光刻胶薄膜进行曝光、显影处理，得到所述光刻胶的图形；对所述透明导电氧化物膜层进行刻蚀处理，得到与所述光刻胶的图形一致的透明导电氧化物膜层的图形，其中，作为厚度补偿层的光刻胶的厚度和所述透明导电氧化物膜层的厚度之和与所述金属线的厚度相同。具体地，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，所述金属线为栅线，在形成取向层之后，还包括:沿所述栅线的延伸方向摩擦所述取向层。具体地，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，所述金属线为数据线，在形成取向层之后，还包括:沿所述数据线的延伸方向摩擦所述取向层。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之二 ；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程图之一；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程图之二。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板、其制作方法、液晶显示屏及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。附图中各膜层的形状和厚度不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，如图2所示，包括衬底基板1，位于衬底基板I上的金属线5和透明导电氧化物膜层6，以及位于金属线5和透明导电氧化物膜层6上的取向层4 ;还包括:位于衬底基板I与取向层4之间的透明的厚度补偿层7 ；透明导电氧化物膜层6在衬底基板I上的投影位于厚度补偿层7在衬底基板I上的投影内，且厚度补偿层7在衬底基板I上的投影与金属线5在衬底基板I上的投影互不重合；厚度补偿层7的厚度与透明导电氧化物膜层6的厚度之和等于金属线5的厚度。图2是以厚度补偿层7位于透明导电氧化物膜层6上为例进行说明的，还可以将透明导电氧化物膜层6设置于厚度补偿层7上，在此不做限定。并且，图2是以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的金属线和透明导电氧化物膜层，以及位于所述金属线和所述透明导电氧化物膜层上方的取向层；其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述取向层之间的透明的厚度补偿层；所述透明导电氧化物膜层在所述衬底基板上的投影位于所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影内，且所述厚度补偿层在所述衬底基板上的投影与所述金属线在所述衬底基板上的投影互不重合；所述厚度补偿层的厚度与所述透明导电氧化物膜层的厚度之和等于所述金属线的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传宝，杨怀伟，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司， 京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34