高压硅堆装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。本实用新型专利技术设置了保护电阻，以适应直流发生器在试品闪络放电时产生频率较高的过电压的电压施加在保护电阻上，减小了二极管的反向电压，减小二极管击穿的概率，此均压和保护措施的设计，经使用达到了满意的均压效果。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，其特征在于，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张炳生，冀东旭，
申请(专利权)人：扬州市鑫源电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：