【技术实现步骤摘要】
用于晶圆的ICP刻蚀装置[
]本技术涉及一种晶圆刻蚀装置，具体涉及一种用于晶圆的ICP刻蚀装置。[
技术介绍
]晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电收女口蹄广口口。晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，因此在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。其中刻蚀一般采用ICP (Inductively Coupled Plasma)刻蚀，即反应耦合等离子体刻蚀，是一种非常重要的半导体干法刻蚀技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。[
技术实现思路
]为了使ICP更好的用于晶圆的刻蚀，并且为了能够增加刻蚀设备的寿命，提供一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，其结构如下:包括腔体、下电极和托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6?1_。上述ICP刻蚀装置还具有如下优化结构:所述的限位凸块优选为与所述下电极螺...
【技术保护点】
一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，包括腔体、下电极和托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形排列若干用于放置晶圆的容置槽，容置槽深0.6～1mm。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的ICP刻蚀装置，包括腔体、下电极和托盘，其特征在于所述的腔体侧壁上开设支撑槽，所述的下电极一端设置于支撑槽内部，所述的下电极上部设有一圆形托盘，下电极沿托盘周缘设有限位凸块，所述的圆形托盘表面环形...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宇杰，董庆安，杨辉，吴伟，
申请(专利权)人：上海博恩世通光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。