半导体IC内藏基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种超薄型的半导体IC内藏基板。其中，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂并具有以在平面上看被芯材和树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔（112a）的预浸料坯（111a）。接着，将半导体IC（120）容纳于贯通孔（112a），通过在该状态下热压预浸料坯（111a）而使树脂的一部分流入到贯通孔（112a），由此由流入的树脂将容纳在贯通孔（112a）的半导体IC（120）埋入。在本发明专利技术中，在半导体IC（120）的上下没有芯材的状态下，由流入的树脂将半导体IC（120）埋入，因而可以得到在半导体IC（120）的上下不存在芯部的超薄型构造。

【技术实现步骤摘要】
半导体IC内藏基板及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体IC内藏基板及其制造方法，特别是涉及一种超薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。
技术介绍
在一般的印制基板中，在基板的表面安装有多个半导体IC等电子器件，并经由基板内部的配线层来进行这些电子器件之间的连接。然而，由于这种类型的印制基板要对整体厚度实施减薄是困难的，因此作为面向智能手机等要求薄型化的设备的印制基板，有时使用将半导体IC埋入到树脂层的类型的半导体IC内藏基板(参照专利文献I)。现有技术文献专利文献1:日本特开2002-246761号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，专利文献I所记载的半导体IC内藏基板由于将半导体IC容纳于设置在芯层(内层)的凹部，因此在半导体IC的下部也存在有芯层(内层)。因此，要进一步减薄整体厚度是困难的。虽然为了进一步减薄整体厚度可以考虑削除位于半导体IC下部的芯层，但在这种情况下，导致不能够正确地保持半导体1C。因此，本专利技术的目的在于提供一种更薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。解决技术问题的手段本专利技术所涉及的半导体IC内藏基板，其特征在于，具备树脂基板、以及埋入到所述树脂基板的半导体1C，所述树脂基板包含芯材浸溃于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部，所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂。根据本专利技术，半导体IC被埋入到贯通芯部而设置的容纳部，因而在半导体IC的上下不存在芯部。因此，可以将整体厚度做得很薄。而且，由于浸溃芯部的树脂和填充在容纳部的树脂相同，因此不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。[0011 ] 在本专利技术中，优选地，还具备形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层、以及覆盖所述配线层的抗蚀膜。据此，可以用简单的构造来将半导体IC的外部端子连接于外部。在本专利技术中，优选地，在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层。据此，配线层仅为I层，因而可以进一步减薄整体厚度。在本专利技术中，优选地，所述树脂基板的厚度中，所述容纳部比所述芯部薄，由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状。据此，可以在内藏有半导体IC的部分进一步减薄树脂基板的厚度。在本专利技术中，优选地，所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方的一部分用粘接剂覆盖，剩余的部分用所述规定的树脂覆盖。或者，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方仅一部分用所述规定的树脂覆盖，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖。由此，由于半导体IC上下的热膨胀系数之差变小，因此在半导体IC难以发生翘曲或开裂。在此情况下，优选地，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖，特别更优选地，所述半导体IC的侧面不存在用所述粘接剂覆盖的部分。据此，可以切实地保护半导体IC并且防止半导体IC的翘曲或开裂。另外，可以在制造过程中防止粘接剂附着于用于处理半导体IC的安装机的头部分。本专利技术所涉及的半导体IC内藏基板的制造方法，其特征在于，具备:第I工序，准备芯材浸溃于未硬化状态的树脂而成并具有以在平面上看被所述芯材和所述树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔的预浸料坯;第2工序，将半导体IC容纳于所述贯通孔；以及第3工序，通过按压所述预浸料坯而使所述树脂的一部分流入到所述贯通孔，由此由所述流入的树脂将容纳在所述贯通孔的所述半导体IC埋入。根据本专利技术，在半导体IC的上下没有芯材的状态下，由树脂将半导体IC埋入，因而可以得到在半导体IC上下不存在芯部的构造。而且，由于浸溃于芯材的树脂和将半导体IC埋入的树脂相同，因此也不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。在本专利技术中，优选地，所述第2工序包含将在载体上搭载所述半导体IC的工序、以所述半导体IC位于所述贯通孔的形式在所述载体贴附所述预浸料坯的工序。据此，可以正确地处理非常薄的预浸料坯并进行按压。优选地，搭载所述半导体IC的工序包含在所述载体贴附第I金属箔的工序、在所述第I金属箔上涂布粘接剂的工序、以及通过在所述粘接剂上搭载所述半导体IC而在所述第I金属箔粘接所述半导体IC的工序。据此，第I金属箔介于载体与半导体IC之间，因而载体的操作容易。优选地，所述第3工序通过在所述预浸料坯的表面贴附第2金属箔并由此在所述贯通孔的上下被所述第I和第2金属箔覆盖的状态下按压来进行。据此，可以通过第I和第2金属箔来正确地规定流入到贯通孔的树脂的表面位置。[0021 ] 在本专利技术中，优选地，还具备:第4工序，对所述第I金属箔图案化；第5工序，以所述图案化后的所述第I金属箔作为掩模，在存在于所述贯通孔的所述树脂或者所述粘接剂形成通孔，由此使所述半导体IC的外部端子露出；以及第6工序，形成与所述露出的外部端子相连接的配线层。据此，可以面朝下地搭载半导体1C，并且将第I金属箔作为掩模来利用。在本专利技术中，优选地，还具备:第4工序，对所述第2金属箔图案化；第5工序，以所述图案化后的所述第2金属箔作为掩模，在存在于所述贯通孔的所述树脂形成通孔，由此使所述半导体IC的外部端子露出；以及第6工序，形成与所述露出的外部端子相连接的配线层。据此，可以面朝上地搭载半导体1C，并且将第2金属箔作为掩模来利用。优选地，粘接所述半导体IC的工序，以所述半导体IC的主面和背面的一方的一部分接触于所述粘接剂而剩余的部分不接触于所述粘接剂的形式粘接所述半导体1C，特别更优选地，以所述半导体IC的侧面不接触于所述粘接剂的形式粘接所述半导体1C。据此，可以防止粘接剂附着于用于处理半导体IC的安装机的头部分。专利技术效果如此，根据本专利技术，可以提供超薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。【附图说明】图1是表示本专利技术优选的第I实施方式所涉及的半导体IC内藏基板100外观的大致斜视图。图2是沿着图1所示的A-A线的截面图。图3是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。图4是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。图5是用于说明半导体IC内藏基板100的制造方法的工序图。图6是用于说明预浸料坯Illa的形状的大致斜视图。图7是本专利技术优选的第2实施方式所涉及的半导体IC内藏基板200的截面图。图8是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。图9是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。图10是用于说明半导体IC内藏基板200的制造方法的工序图。图11是本专利技术优选的第3实施方式所涉及的半导体IC内藏基板300的截面图。图12是本专利技术优选的第4实施方式所涉及的半导体IC内藏基板400的截面图。符号说明:100, 200, 300, 400 半导体 IC 内藏基板110树脂基板110a, IlOb 表面111 芯部Illa预浸料坯112容纳部112a 贯通孔120 半导体 IC120a半导体IC的主面120b半导体IC的背面120c半导体IC的侧面121外部端子122，122a芯片附着膏体130配线层130a 镀层130b 覆膜131连接部140抗蚀膜150 载体160粘接薄片170, 180 金属箔1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体IC内藏基板，其特征在于：具备树脂基板、以及埋入到所述树脂基板的半导体IC，所述树脂基板包含芯材浸渍于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部，所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂。

【技术特征摘要】
2012.09.21 JP 2012-2085661.一种半导体IC内藏基板,其特征在于: 具备树脂基板、以及埋入到所述树脂基板的半导体1C， 所述树脂基板包含芯材浸溃于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部， 所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂。2.如权利要求1所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 还具备形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层、以及覆盖所述配线层的抗蚀膜。3.如权利要求2所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层。4.如权利要求3所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 所述树脂基板的厚度中，所述容纳部比所述芯部薄，由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状。5.如权利要求1~4中的任一项所述的半导体IC内藏基板,其特征在于: 所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方的一部分用粘接剂覆盖，剩余的部分用所述规定的树脂覆盖。6.如权利要求5所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖。7.如权利要求5所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 所述半导体IC的侧面不存在用所述粘接剂覆盖的部分。8.如权利要求1~4中的任一项所述的半导体IC内藏基板，其特征在于: 所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面， 所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方，仅一部分用所述规定的树脂覆盖， 所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方，整个面用所述规定的树脂覆盖。9.一种半导体IC内藏基板的制造方法，其特征在于: 具备: 第I工序，准备芯材浸溃于未硬化状态的树脂而成，并具有以在平面上看被所述芯材和所述树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔的预浸料坯； 第2工序，将半导体IC容纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：露谷和俊，大川博茂，铃木义弘，望月强，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：