磁性记录介质的制造方法及其装置制造方法及图纸

技术编号:9867907 阅读:120 留言:0更新日期:2014-04-03 04:35
本公开提供了一种磁性记录介质的制造方法和装置。在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P3>P1、且P3>P2的关系的气体压力P3的区域。根据本发明专利技术方法和装置,可以防止所形成的层的质量的下降,同时提高生产率。

【技术实现步骤摘要】
磁性记录介质的制造方法及其装置
[0001 ] 本专利技术涉及磁性记录介质的制造方法及其装置。
技术介绍
近年来,磁性记录装置搭载于个人计算机、视频录像机、数据服务器等各种各样的产品上,其重要性不断增加。磁性记录装置是具有通过磁性记录保存电子数据的磁性记录介质的装置,例如,包括磁盘装置、软盘设备、磁带装置等。磁盘装置例如包含硬盘驱动器(HDD:Hard Disk Drive)等。—般的磁性记录介质具有例如在非磁性基板上按顺序成膜基础层、中间层、磁性记录层和保护层,并在保护层的表面涂敷润滑层而成的多层膜层积结构。为了防止在形成磁性记录介质的各层之间混入杂质等,在制造磁性记录介质的制造时使用能在减压状态下连续层积各层的直列式真空成膜装置(例如专利文献I)。在直列式真空成膜装置中,具有可在基板上成膜的成膜装置的多个成膜室与进行加热处理的腔室和预备腔室等一起,通过闸阀连接,形成一条成膜生产线。在支架上安放基板,在使其通过成膜生产线期间,在基板上成膜预定的层,制造所希望的磁性记录介质。一般地,成膜生产线设置成环状,在成膜生产线上,具有将基板安放到支架上或从基板上拆卸的基板装卸腔室。在成膜腔室间转了一圈的支架被运到基板装卸腔室,将成膜后的基板从支架卸下,同时,在卸下了成膜后的基板的支架上安放新的基板。另外,作为在磁性记录介质的表面形成润滑层的方法,有在真空容器内安放磁性记录介质,在真空容器内放入气化润滑剂的气相润滑成膜法(Vapor-Phase Lubrication)(例如、专利文献2)。如上所述,以直列式真空成膜装置制造具有多层膜层积结构的磁性记录介质时,例如,使用依据溅射法的真空成膜装置形成磁性记录层,使用依据离子束方法的真空成膜装置形成保护层,使用依据气相润滑成膜法的真空成膜装置形成润滑层。这样,可以在使被层积体不与大气接触的状态下进行从磁性记录层到润滑层的形成工序(或成膜工序)。可是,作为形成磁性记录层的工艺气体(或溅射气体),可以使用氩气,作为形成保护层的工艺气体,可以使用例如碳氢气体、氢气、氩气等,作为形成润滑层的工艺气体,可以使用例如高分子化合物。因此,在相邻的工序磁性记录层形成工序和保护层形成工序之间,由于两个形成工序的工艺气体混合产生的影响比较小。另一方面,另外,在保护层的形成工序和润滑层的形成工序之间,两个形成工序的工艺气体的物理特性差异较大,如两个形成工序的工艺气体混合,会对在两个形成工序中形成的层带来较大的不良影响,使形成的层的质量(或膜的质量)下降。这样,为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量的下降,最好是例如在各形成工序结束后将残留在成膜容器内的工艺气体充分排出。可是,为了将成膜容器内的工艺气体充分排出,必须增加排出时间,而使得直列式真空成膜装置的生产率显著下降。现有技术文献专利文献专利文献1:特开平8 - 274142号公报专利文献2:特开2004 - 002971号公报
技术实现思路
在将磁性记录介质的从磁性记录层到润滑层的形成工序在使被层积体不与大气接触的状态下连续进行的制造装置中,为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量下降,在各形成工序结束后最好把成膜容器内残留的工艺气体充分排出。可是,为了充分排出成膜容器内的工艺气体,必须加长排出时间,从而使得磁性记录介质的制造装置的生产率显著下降。因此,现有的磁性记录介质的制造方法和装置很难在防止形成的层的质量下降的同时,提高生产率。因此,本专利技术的目的在于提供一种既能防止层的质量下降,又能提高生产率的磁性记录介质的制造方法和装置。根据本专利技术的一个观点,提供一种磁性记录介质的制造方法,在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P 1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P 2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系的气体压力P 3的区域。根据本公开的磁性记录介质的制造方法和装置,可以在防止形成的层的质量下降的同时,提高生产率。【附图说明】图1是示例表示本专利技术的一实施方式的磁性记录介质的制造装置的模式图。图2是示例表示由图1的制造装置制造的磁性记录介质的截面图。图3是示例表示具有根据本实施方式制造的磁性记录介质的磁性记录装置的构成的立体图。【具体实施方式】以下,参考图面对本专利技术的各实施方式的磁性记录介质的制造方法和装置进行说明。在使用直列式真空成膜装置,制造具有所述多层膜层积结构的磁性记录介质的情况下,作为形成磁性记录层的工艺气体(或溅射气体),可以使用氩气,作为形成保护层的工艺气体,可以使用例如碳氢气体、氢气、氩气等,作为形成润滑层的工艺气体,可以使用例如高分子化合物。因此,在相邻的工序磁性记录层形成工序和保护层形成工序之间,由于两个形成工序的工艺气体混合产生的影响比较小。另一方面,另外,在保护层的形成工序和润滑层的形成工序之间,两个形成工序的工艺气体的物理特性差异较大,如两个形成工序的工艺气体混合,会对在两个形成工序中形成的层带来较大的不良影响,使形成的层的质量(或膜的质量)下降。这样,为了防止相邻的形成工序的工艺气体混合导致的层的质量的下降,最好是例如在各形成工序结束后将残留在成膜容器内的工艺气体充分排出。因此,为了防止这样的层的质量下降,可以考虑在两个形成工序结束后,将成膜容器内残留的工序气体充分排出,此后,打开两个成膜容器之间的闸阀,进行基板的替换。可是,为了将成膜容器内残留的工序气体充分排出,需要加长排出时间,从而使得直列式真空成膜装置的生产率显著下降。另外,可以考虑在两个成膜容器之间设置备用的真空容器,增加两个成膜容器之间的距离。可是,根据本专利技术人的研究发现,即使扩大两个成膜容器之间的距离,两个成膜容器之间只产生一点点工序气体的混合。并且,根据本专利技术人的研究发现,在运送基板的支架上会附着工序气体,通过支架,产生工序气体的混合。因此,在本专利技术的一实施方式中,在具有按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的多层膜层积结构的磁性记录介质的制造方法和装置中,在被层积体上形成保护层后,在该被层积体不与大气接触的状态下用气相润滑成膜方法形成润滑层,防止在保护层和润滑层之间混入杂质等。使保护层的成膜时的工艺气体压力为P 1,根据气相润滑成膜方法成膜润滑层时的工艺气体压力为P 2时,在形成保护层后至形成润滑层间的被层积体的运送路线上设置气体压力为P 3的区域,使其满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系,由此可以防止形成保护层的工艺气体和形成润滑层的工艺气体相混合而导致在两个形成工序中形成的保护层和润滑层的质量的下降。也即,在保护层的成膜容器和润滑层的成膜容器之间,设置比两个成膜容器压力高的容器,容器之间的气体从压力高的容器流向低的容器,其结果,可以防止形成保护层的工艺气体和形成润滑层的工艺气体的混合。特别地,通过使用惰性气体作为形成气体压力P 3的气体,由于流入保护层的成膜容器和润滑层的成膜容器的气体是惰性气体,可以降低对保护层和润滑层两个层的成膜的影响。在本本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的磁性记录介质的制造方法,在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层,当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P3>P1、且P3>P2的关系的气体压力P3的区域。

【技术特征摘要】
2012.09.14 JP 202998/20121.一种在被层积体上按顺序形成磁性记录层、保护层、以及润滑层的磁性记录介质的制造方法, 在使形成了所述保护层后的所述被层积体不与大气接触的状态下,用气相润滑成膜方法形成所述润滑层, 当所述保护层成膜时的工艺气体压力为P 1,所述润滑层成膜时的工艺气体压力为P2时,在从形成所述保护层后到形成所述润滑层之间的所述被层积体的运送路线上,设置满足P 3 >P 1、且P 3 >P 2的关系的气体压力P 3的区域。2.如权利要求1所述的磁性记录介质的制造方法,其特征在于:形成所述气体压力P3的气体是惰性气体。3.如权利要求1或2所述的磁性记录介质的制造方法,其特征在于:所述气体压力PI在I P a?20 P a的范围内,所述气体压力P 2在IPa?50 Pa的范围内,所述气体压力P 3在10 P a?500 P a的范围内。4.如权利要求3所述的磁性记录介质的制造方法,其特征在于:所述气体压力P3在10 P a?200 P a的范围内。5.如权利要求1至4中任一项所述的磁性记录介质的制造方法,其特征在于: 由第I运送装置运送到形成所述保护层阶段的被层积体, 由与所述第I运送装置不同的第2运送装置运...

【专利技术属性】
技术研发人员:茑谷泰之盐见大介上野谕太田一朗冈部健彦
申请(专利权)人:昭和电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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