【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
[0001 ] 本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。现有的发光二极管封装结构是采用单色光发光二极管晶粒配合荧光粉的结构发出白光。然而，当该种结构的发光二极管封装结构运用在显示器等作为背光模组时，单色光发光二极管晶粒配合荧光粉的结构产生白光的色彩表现度不高，且显示器显示的颜色的对比度较低。因此，如何提高运用到背光模组的发光二极管封装结构的色彩表现度成为了业界一直探索的问题。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种色彩表现度较高的发光二极管封装结构。—种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距。上述发光二极管封装结构中，由于利用不同间距的光子晶粒作为多层光波转变层覆盖于发光二极管芯片上，而不同间距的光子晶体可使光线的原有波长转变为不同的波长，因此光线穿射过不同层的光波转变层后即可成为不同波长的光线，从而使单色发光二极管芯片的封装结构能够发出具有更多波长种类的光线，从而使波长范围加宽，提高色彩表现度，并提高光线颜色对比度。`【附图说明】图1是本专利技术第一实施方式提供的一种...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于：还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于:还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层自基板的上表面向远离基板的方向层叠设置。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层包括第一光波转变层、第二光波转变层和第三光波转变层，该第一光波转变层平铺于基板的上表面，并将发光二极管芯片覆盖于第一光波转变层以内，第二光波转变层叠设于第一光波转变层上，第三光波转变层叠设于第二光波抓转变层上。4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一光波转变层的光子晶体结构的间距为180纳米，第二光波转变层的光子晶体结构的间距为210纳米，第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪孟贤，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司， 荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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