改善透明导电层断线的方法及其结构技术

本发明专利技术提出一种改善透明导电层断线的方法及其结构，其系于制备薄膜晶体管时，透过提升氮化硅膜在涂布光阻材料过程中的旋转速率，以及调整氮化硅膜与光阻膜的蚀刻速率比，两者相配合之下，进而使蚀刻后的氮化硅膜的通孔具有缓和的蚀刻角度，不会造成倒角的结构，使后续所设置于其上的透明导电层不会产生断线，具良好的质量。

【技术实现步骤摘要】
改善透明导电层断线的方法及其结构
本专利技术涉及一种改善透明导电层断线的方法及其结构，尤指一种应用于改善薄膜晶体管的透明导电层断线问题的方法及其结构。
技术介绍
在显示面板领域中，薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)的基本结构为在两片玻璃基板中间夹住一层液晶，上方的玻璃基板是制作成彩色滤光片，而下方的玻璃基板上则是制作薄膜晶体管(Thin Film Transistor)数组。而当此薄膜晶体管在应用为显示面板组件的一时，其上方系设置有透明导电层，但在沉积透明导电层于薄膜晶体管之上的过程中，透明导电层可能会有不连续的结构产生，而导致断线的缺陷情况发生。请参考图1，现有技术在制作薄膜晶体管时，在进行蚀刻的前会于氮化硅所组成的底膜22上设置光阻膜，然后将光阻膜的进行图案化，接着经过蚀刻而形成通孔，但通孔的蚀刻侧面61会向两侧延伸而形成倒角结构，使后续所沉积上的透明导电层7在此倒角处产生不连续面，造成前述的断线状态。若要改善此结构上的缺陷，则需要在光阻膜的制备和处理上进行调整。过去曾有透过光阻硬烤的方式来改善光阻形状，但如此一来就增加了一道硬烤程序而使制备的时间和成本都相应增加。另外，在制作不同形式的薄膜晶体管时，氮化硅膜的厚度不尽相同，而若氮化硅膜的厚度较厚，则单纯只靠改变光阻形状并不能让蚀刻后的倒角状况得到改善。再者，若单纯改变光阻形状，例如将的厚度降低、薄化，在氮化硅膜的厚度固定之下，在蚀刻的过程中可能会造成破孔的问题，也就是光阻膜亦被蚀刻贯穿而丧失功能。因此，基于薄膜晶体管在制备时可能产生的倒角结构会引致透明导电层的断线问题，本专利技术提出一种改善透明导电层断线的方法及其结构，以克服此重要课题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，系提供一种改善透明导电层断线的方法，其系于薄膜晶体管在制备过程中，调整光阻膜的厚度至较薄形式并提升氮化硅膜的蚀刻速率，以缩短蚀刻时间并使所蚀刻出的通孔结构不会具有倒角。本专利技术的另一目的，系提供一种改善透明导电层断线的方法，其系透过提升氮化硅膜在涂布光阻材料时的旋转速度，因而使所形成的光阻膜形状较和缓且较薄。本专利技术的再一目的，系提供一种改善透明导电层断线的结构，其透明导电层所覆盖的氮化硅膜经蚀刻后不具有倒角，因此透明导电层不会在沿着经蚀刻而产生的通孔沉积时，与栅极或源极接触的路径中产生断线。为了达到上述的目的，本专利技术揭示了一种改善透明导电层断线的方法，其步骤系包含:旋转一底膜，使之具有一转速介于1000?1350转/分钟；涂布一光阻材料于该底膜之上，以形成一光阻膜于该底膜之上；图案化该光阻膜，使之包含至少一通孔；调整该底膜与该光阻膜的一蚀刻速率比介于1.6~2.2 ;蚀刻该底膜，使该底膜具有该通孔，且该通孔的一蚀刻侧壁与一蚀刻底面的一夹角系大于90° ;移除该光阻膜；以及设置一透明导电层于该底膜之上，并覆盖该通孔。如此方法处理之下，所形成的薄膜晶体管不会在蚀刻的过程中产生会让透明导电层产生断线的倒角结构，因而可以确保最终所制成的面板的质量和良率。实施本专利技术产生的有益效果是:透过本专利技术所揭示的方法及所制备而成的结构，蚀刻侧壁与蚀刻底面的间所形成的夹角可控制在大于90°的范围内，也就是不会形成向蚀刻出的通孔的两侧下方深入的倒角，因而可避免设置于底膜上的透明导电层产生断线的状况。在薄膜晶体管的制备质量因本专利技术所揭示的方法而获得确保和提升之下，意味着产品的良率受到了保障，故本专利技术实为提供一具经济价值的改善透明导电层断线的方法及其结构。【附图说明】图1:其为先前技术的薄膜晶体管结构示意图；图2:其为本专利技术的一较佳实施例的步骤流程图；图3A:其为本专利技术的一较佳实施例的涂布光阻材料于底膜上的示意图；图3B:其为本专利技术的一较佳实施例的光阻膜形成于底膜上的示意图；图4:其为本专利技术的一较佳实施例的通孔示意图；图5A~5E:其为本发 明的一较佳实施例的薄膜晶体管制备流程结构图；图6:其为本专利技术的一较佳实施例的蚀刻前示意图；以及图7:其为本专利技术的一较佳实施例的蚀刻后示意图。【图号对照说明】I玻璃基板 21绝缘膜22底膜3光阻膜30光阻材料 31通孔41通道层42源极43漏极5栅极51第一栅极 52第二栅极61蚀刻侧壁 62蚀刻底面63夹角7透明导电层【具体实施方式】为了使本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，特用较佳的实施例及配合详细的说明，说明如下:由于过往的薄膜晶体管在蚀刻阶段的过程中会形成倒角，让透明导电层在设置后产生断线的可能，故为了克服该些技术缺陷，提出本专利技术以改善及解决相关课题。首先，请参考图2，其系为本专利技术改善透明导电层断线的方法流程，也就是于制备薄膜晶体管时，使用者可透过此方法而改善透明导电层可能面临的断线问题，其步骤系包含:步骤S1:旋转一底膜，使之具有一转速介于1000?1350转/分钟之间；步骤S2:涂布一光阻材料于该底膜之上，以形成一光阻膜于该底膜之上；步骤S3:图案化该光阻膜，使之包含至少一通孔；步骤S4:调整该底膜与该光阻膜的一蚀刻速率比介于1.6?2.2之间；步骤S5:蚀刻该底膜，使该底膜具有该通孔，且该通孔的一蚀刻侧壁与一蚀刻底面的一夹角系大于90° ;步骤S6:移除该光阻膜；以及步骤S7:设置一透明导电层于该底膜之上，并覆盖该通孔。于步骤SI中，是先将待蚀刻的底膜进行旋转，使其达到一个适当的转速，然后才将光阻材料涂布于底膜之上，以形成光阻膜于底膜之上。请参考图3A，由于底膜22有进行旋转，因此光阻材料30在涂布于底膜22的过程中将会有较均匀的分布，其形状较为圆滑和缓。另由于转速快，因此厚度可以较薄。在本专利技术一较佳的实施例中，底膜的厚度系介于7000?10000埃(A)之间，而光阻膜的厚度则系介于12000?18000埃之间。此光阻材料30为一般半导体制程所使用的材质即可，也就是将感光剂(Sensitizer)、树脂(Resin)及溶剂混合而成。待如图3B形成光阻膜3,且经过软烤(Softbake)程序去除溶剂成份后，接着即是将此光阻膜3进行图案化处理，也就是藉由显影制程中的曝光程序，将所要获得的加工形状透过曝光的方式，将一光罩的图案转移至光阻膜3上。此图案依欲加工的产品不同而各有差异，但至少包含一通孔的样式。而后再通过硬烤等一般程序，移除残余的显影液或清洗液，并减少小孔洞(PinHole)的发生以及增加平坦度后，接着就是于步骤S4调整底膜22与光阻膜3的蚀刻速率t匕。在此，是基于前述已增加了底膜22转速而使光阻膜3的厚度薄化之下，更进一步在的后的蚀刻过程中能够增加底膜22与光阻膜3的蚀刻量差异。本专利技术系将底膜22与光阻膜3的蚀刻速率比调整为1.6?2.2的范围，且在干蚀刻(dry etching)制程之下，于此改变蚀刻速率比的方式则是透过变更干蚀刻气氛比，也就是调整氧以及六氟化硫或四氟甲烷的比例,进而改变使用诸如电浆蚀刻的过程中的蚀刻速率；另外,也可以透过改变电浆射频功率的技术手段来达成。由于底膜22厚度不尽相同且非为制备时的操控条件，因此使用者在应用本方法时，也可以透过改变底膜22在光阻材料30涂布时的转速和变化蚀刻速率比的相互搭配，让本专利技术所揭示的方法可以弹性地适用于处理不同厚度的底膜22。接着于步骤S5中，即系进行蚀刻制程，请参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善透明导电层断线的方法，其特征在于，其步骤包含：旋转一底膜，使之具有一转速介于1000～1350转/分钟；涂布一光阻材料于该底膜之上，以形成一光阻膜于该底膜之上；图案化该光阻膜，使之包含至少一通孔；调整该底膜与该光阻膜的一蚀刻速率比介于1.6～2.2；蚀刻该底膜，使该底膜具有该通孔，且该通孔的一蚀刻侧壁与一蚀刻底面的一夹角大于90°；移除该光阻膜；以及设置一透明导电层于该底膜之上，并覆盖该通孔。

【技术特征摘要】
2012.09.05 TW 1011324231.一种改善透明导电层断线的方法，其特征在于，其步骤包含: 旋转一底膜，使之具有一转速介于1000~1350转/分钟； 涂布一光阻材料于该底膜之上，以形成一光阻膜于该底膜之上； 图案化该光阻膜，使之包含至少一通孔； 调整该底膜与该光阻膜的一蚀刻速率比介于1.6~2.2 ; 蚀刻该底膜，使该底膜具有该通孔，且该通孔的一蚀刻侧壁与一蚀刻底面的一夹角大于 90° ; 移除该光阻膜；以及 设置一透明导电层于该底膜之上，并覆盖该通孔。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于调整该底膜与该光阻膜的该蚀刻速率比的步骤中，透过改变一干蚀刻气氛比或一电浆射频功率以调整该蚀刻速率比。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该干蚀刻气氛比的气氛包含氧以及选自于六氟化硫以及四氟甲烷所组成的群组其中的一者。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该夹角介于135°~110°之间。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中于涂布该光阻材料于该底膜的步骤前，进一步包含步骤: 设置复数个栅极于一玻璃基板上； 沉积一绝缘膜于该玻璃基板之上，并覆盖该些栅极； 沉积一通道层于该绝缘膜之上，该通道层相隔该绝缘膜而覆盖于至少一该栅极之上；形成一源极以及一漏极于该通道层之上，该源极以及该漏极分别覆盖该通道层，并透过蚀刻而暴露出该通道层的一部分；以及形成该底膜于该绝缘膜之上，并且覆盖该源...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国昇，吴瑞钦，
申请(专利权)人：凌巨科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71