机电转换元件及其制造方法技术

提供一种即使有横跨斜方晶向正方晶相变的温度的温度变化，也难以发生压电特性经时劣化的机电转换元件。机电转换元件（10）具有碱金属铌酸盐系压电陶瓷组合物（11）和粘接在压电陶瓷组合物（11）的主面（21）上的刚体（12）。压电陶瓷组合物（11）的结晶构造为，在比斜方晶向正方晶相变的温度低的温度侧为斜方晶，在比斜方晶向正方晶相变的温度高且比正方晶向立方晶相变的温度低的温度侧为正方晶，在比正方晶向立方晶相变的温度高的温度侧为立方晶。刚体（12）的杨氏模量为60GPa以上。处于距压电陶瓷组合物（11）和刚体（12）的粘接点2mm以下范围的压电陶瓷组合物（11）的体积相对于压电陶瓷组合物（11）的整体体积的体积比例为40%以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种机电转换元件，其特征在于，采用了压电陶瓷组合物，该压电陶瓷组合物的结晶构造为，在比斜方晶向正方晶相变的温度低的温度侧为斜方晶，在比斜方晶向正方晶相变的温度高且比正方晶向立方晶相变的温度低的温度侧为正方晶，在比正方晶向立方晶相变的温度高的温度侧为立方晶，具有刚体，该刚体直接粘接在上述压电陶瓷组合物的主面上，或者经由形成于上述主面上的电极而粘接在该主面上，该刚体的杨氏模量为60GPa以上，处于距上述压电陶瓷组合物和上述刚体的粘接点2mm以下范围的上述压电陶瓷组合物的体积相对于上述压电陶瓷组合物的整体体积的体积比例为40%以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：流田贤治，村井勇气，林敦浩，舞田雄一，
申请(专利权)人：本多电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP