一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光方法。它的步骤如下：将葡萄糖与麦芽糖混合，加热，得到混合糖浆溶液；将抛光盘放在加热装置上预热到75℃；将混合糖浆溶液滴到转动的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面；将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀；再在待抛光硅片上加压，冷却；用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光硅片进行抛光，再置于热水溶液中超声，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。本发明专利技术具有应用范围广、工艺简单、硅片抛光去厚一致性好、低成本和环保节能的特点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。它的步骤如下：将葡萄糖与麦芽糖混合，加热，得到混合糖浆溶液；将抛光盘放在加热装置上预热到75℃；将混合糖浆溶液滴到转动的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面；将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀；再在待抛光硅片上加压，冷却；用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光硅片进行抛光，再置于热水溶液中超声，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。本专利技术具有应用范围广、工艺简单、硅片抛光去厚一致性好、低成本和环保节能的特点。【专利说明】
本专利技术涉及抛光方法，尤其涉及。
技术介绍
半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，90%以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和硅外延片上。抛光使晶体基片表面光洁如镜，达到器件生产线上对晶体衬底片的质量要求。也可以说，抛光的目地是为器件制造提供尽可能完美、无机械损伤层和无杂质粘污的镜面表面。晶体基片质量的优劣，对器件与集成电路的电学性能和成品率有着极重要的影响。抛光质量的关键是抛光材料和抛光工艺条件的选择。在传统的单面化学机械抛光中，根据贴片工艺的不同可以分为两大类:有蜡抛光(使用蜡把硅片固定在陶；p6 }$ B+ T& t* p& H$G) b’ \8 U瓷板上进行抛光)与无蜡抛光(使用模板装片法、真空吸片法等方法将硅片固定，然后进行抛光)。有蜡抛光产品硅片的抛光去厚一致性好，但背面的蜡不易清除干净；无蜡抛光方法虽然工艺简单，清洗方便，但硅片抛光去厚一致性的控制性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供。采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光的方法的步骤如下: 1)将重量百分比为I?3:3的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至155?165°C，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液； 2)将抛光盘放在加热装置上预热到75°C； 3)将混合糖浆溶液滴到转速为1400?1600转/分的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面； 4)将待抛光娃片贴在抛光盘上，用橡胶模块挤压待抛光娃片，使待抛光娃片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀； 5)再在待抛光硅片上加压，压力为0.2MP，加压时间为4?8分钟，冷却至35 °C，使硅片牢固地粘贴在抛光盘上； 6)用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光娃片上表面采用抛光液进行化学机械抛光，抛光温度为35?45°C，抛光液pH值为8.7?9.7，待抛光硅片去除厚度达到10?20微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于60?70°C的热纯水溶液中超声清洗10?20分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。所述的抛光液以重量百分比计的组成为:二氧化硅溶胶:有机碱:活性剂:水=0.75:0.1:0.5:20。本专利技术以一定比例组份配制成多种不同熔点的混合糖浆，以耐高温糖浆取代高温蜡用作传统的抛光过程中硅片与抛光盘间的粘贴剂。由于糖浆溶于热水和易清洗，采用本专利技术方法既省掉传统有蜡抛光的去蜡清洗操作，又节约了大量的化学清洗试剂，具有应用范围广、工艺简单、娃片抛光去厚一致性好(厚度偏差在5微米以内)、低成本(较有蜡抛光减少80%清洗成本)和环保节能的特点。不仅适用于硅片抛光，同样适用于金属、陶瓷、玻璃、蓝宝石等材料的抛光加工，具有良好的经济效益。【专利附图】【附图说明】图1为采用糖浆粘贴硅片抛光示意图； 图中，抛光液输送装置1、抛光盘2、混合糖浆溶液3、待抛光硅片4、抛光机工作台5。【具体实施方式】本专利技术采用的抛光液以重量百分比计的组成为:二氧化硅溶胶:有机碱:活性剂:水=0.75:0.1: 0.5:20。如图1所示，采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光的方法的步骤如下: 1)将重量百分比为I?3:3的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至155?165°C，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液3 ； 2)将抛光盘2放在加热装置上预热到75°C； 3)将混合糖浆溶液3滴到转速为1400?1600转/分的抛光盘2上，使糖浆溶液3均匀覆盖整个抛光盘2上表面； 4)将待抛光娃片4贴在抛光盘上,用橡胶模块挤压待抛光娃片4,使待抛光娃片4下表面的混合糖浆溶液3厚度分布均匀； 5)再在待抛光硅片4上加压，压力为0.2MP，加压时间为4?8分钟，冷却至35 °C，使硅片牢固地粘贴在抛光盘2上； 6)用抛光液输送装置I将抛光液输送到抛光机工作台5上,在抛光机工作台5上对待抛光娃片4上表面米用抛光液进行化学机械抛光,抛光温度为35?45°C,抛光液pH值为8.7?9.7，待抛光硅片4去除厚度达到10?20微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于60?70°C的热纯水溶液中超声清洗10?20分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。实施例1 1)将重量百分比为I:3的葡萄糖(C6H12O6)与麦芽糖(C12H22011.H20)混合，加热至155°C，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液； 2)将抛光盘放在加热装置上预热到75°C； 3)将混合糖浆溶液滴到转速为1400转/分的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面； 4)将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀； 5)再在待抛光硅片上加压，压力为0.2MP，加压时间为4分钟，冷却至35°C，使硅片牢固地粘贴在抛光盘上； 6)用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光娃片上表面米用抛光液进行化学机械抛光，抛光温度为35°C,抛光液pH值为8.7,待抛光娃片去除厚度达到10微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于60°C的热纯水溶液中超声清洗10分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。实施例2 1)将重量百分比为2:3的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至160°C，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液； 2)将抛光盘放在加热装置上预热到75°C； 3)将混合糖浆溶液滴到转速为1500转/分的抛光盘上，使糖浆溶液均匀覆盖整个抛光盘上表面； 4)将待抛光硅片贴在抛光盘设定位置上，用橡胶模块挤压待抛光硅片，使待抛光硅片下表面的混合糖浆溶液厚度分布均匀； 5)再在待抛光硅片上加压，压力为0.2MP，加压时间为6分钟，冷却至35°C，使硅片牢固地粘贴在抛光盘上； 6)用抛光液输送装置将抛光液输送到抛光机工作台上，在抛光机工作台上对待抛光娃片上表面米用抛光液进行化学机械抛光，抛光温度为40°C,抛光液pH值为9.2,待抛光娃片去除厚度达到15微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于65°C的热纯水溶液中超声清洗15分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。实施例3 1)将重量百分比为1:1的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至165°C，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液； 2)将抛光盘放在加热装置上预热到75°C； 3)将混合糖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用混合果糖粘贴硅片的硅抛光的方法，其特征在于它的步骤如下： 1)将重量百分比为1～3：3的葡萄糖与麦芽糖混合，加热至155～165℃，边加热边搅拌使其完全融化，得到混合糖浆溶液（3）；2)将抛光盘（2）放在加热装置上预热到75℃；3)将混合糖浆溶液（3）滴到转速为1400～1600转/分的抛光盘（2）上，使糖浆溶液（3）均匀覆盖整个抛光盘（2）上表面；4)将待抛光硅片（4）贴在抛光盘上，用橡胶模块挤压待抛光硅片（4），使待抛光硅片（4）下表面的混合糖浆溶液（3）厚度分布均匀；5)再在待抛光硅片（4）上加压，压力为0.2MP，加压时间为4～8分钟，冷却至35℃，使硅片牢固地粘贴在抛光盘（2）上；6)用抛光液输送装置（1）将抛光液输送到抛光机工作台（5）上，在抛光机工作台（5）上对待抛光硅片（4）上表面采用抛光液进行化学机械抛光，抛光温度为35～45℃，抛光液pH值为8.7～9.7，待抛光硅片（4）去除厚度达到10～20微米后停止抛光，用纯水冲洗，去除抛光硅片表面残留抛光液，再置于60～70℃的热纯水溶液中超声清洗10～20分钟，使已抛光的硅片从抛光盘上分离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛建军，陈福元，胡煜涛，扬希望，任亮，苏云清，
申请(专利权)人：杭州晶地半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33