一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备。所述反应设备至少包括用于将硅晶片进行化学气相沉积的反应容器，此外，在所述反应容器上端设有进气喷头，在所述反应容器的内侧壁设置衬垫，其中，所述衬垫包括：分布在所述衬垫上的多个孔，用于吸附由所述进气喷头进入所述反应容器的反应物气体中的颗粒。本案通过分布了多孔的衬垫来吸附反应物气体及反应容器中的细微颗粒，能够有效减少沉积在硅晶片上的薄膜中的大颗粒和颗粒含量，满足了硅晶片尺寸小、精度高的要求。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备。所述反应设备至少包括用于将硅晶片进行化学气相沉积的反应容器，此外，在所述反应容器上端设有进气喷头，在所述反应容器的内侧壁设置衬垫，其中，所述衬垫包括：分布在所述衬垫上的多个孔，用于吸附由所述进气喷头进入所述反应容器的反应物气体中的颗粒。本案通过分布了多孔的衬垫来吸附反应物气体及反应容器中的细微颗粒，能够有效减少沉积在硅晶片上的薄膜中的大颗粒和颗粒含量，满足了硅晶片尺寸小、精度高的要求。【专利说明】一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备
本技术涉及一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备。
技术介绍
在娃片制造过程中，颗粒能引起电路开路或者短路，还可能在后续制程中造成娃片的缺陷。为了确保硅片的成品率，经过设计者的计算，可以接受的颗粒尺寸必须小于最小器件特征尺寸的一半。随着硅片制造业的发展，半导体器件的特征尺寸在迅速变小，可接受的颗粒尺寸也随之减小。化学气相沉积反应(CVD)的制备过程中，反应物气体被输入反应容器，并在位于所述反应容器的硅晶片上沉积薄膜，无可避免的，所述反应容器和反应物气体中参杂有细微颗粒,在小特征尺寸娃片的CVD制备过程中，细微颗粒对娃晶片及薄I吴的影响尤为严重。为了解决上述问题，现有技术通常采用先沉积薄膜，再进行打磨、清洁等工序。但上述方法不能有效清除渗入到硅晶片中的颗粒，使得沉寂了薄膜后的硅晶片还存有隐患。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备，用于解决现有技术中所述反应容器和反应物气体中参杂的细微颗粒对硅晶片中的电路易造成缺陷的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于化学气相沉积反应设备的衬垫，其中，所述反应设备包括:用于将硅晶片进行化学气相沉积的反应容器，以及在所述反应容器上端设有进气喷头，所述衬垫设置在所述反应容器的内侧壁，其中，所述衬垫至少包括:分布在所述衬垫上的多个孔，用于吸附由所述进气喷头进入所述反应容器的反应物气体中的颗粒。优选地，所述衬垫为圆柱环体，所述衬垫的高度大于所述进气喷头与所述硅晶片之间的距离。优选地，所述衬垫顶部与所述进气喷头之间相距2-5cm。优选地，所述衬垫的厚度为l_2cm。优选地，所述衬垫中的孔的形状为弯折状。优选地，所述衬垫为陶瓷材料。优选地，所述衬垫上均匀分布多个所述孔。优选地，所述衬垫卡固在所述反应容器上。基于上述目的，本技术还提供一种化学气相沉积反应设备，其至少包括:用于将硅晶片进行化学气相沉积的反应容器；在所述反应容器上端设有进气喷头；以及在所述反应容器的内侧壁上设有如上任一所述的衬垫。如上所述，本技术的衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备，具有以下有益效果:采用分布有多孔的衬垫来吸附反应物气体及反应容器中的细微颗粒，能够有效减少沉积在硅晶片上的薄膜中的大颗粒和颗粒含量，满足了硅晶片尺寸小、精度高的要求；另外，所述衬垫的厚度在2-5公分，能够确保所述衬垫中的孔足够弯折，以吸附更多的颗粒，延长所述衬垫的使用寿命；此外，所述衬垫笼罩了几乎整个反应容器的内壁，能够减少所述内壁上所残留的薄膜，并有效防止所述薄膜中的颗粒脱落并残留在所述反应容器中。【专利附图】【附图说明】图1显示为本技术的化学气相沉积反应设备的结构示意图。元件标号说明1化学气相沉积反应设备11 反应容器 12进气喷头 13衬垫 131 孔 2石圭晶片【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。如图1所示，本技术提供一种化学气相沉积反应设备。所述反应设备I包括:反应容器11、进气喷头12及衬垫13。所述反应容器11为进行化学气相沉积的硅晶片2提供反应环境。所述进气喷头12安装在所述反应容器11的上端，用于将在所述硅晶片2上沉积薄膜的反应物气体送入所述反应容器11，所述反应物气体配合所述反应容器11提供的反应环境，将所述反应物气体沉积在所述硅晶片2上，以形成薄膜。所述衬垫13设置在所述反应容器的内侧壁上，且所述衬垫13上分布多个孔131。其中，所述衬垫13的材料应确保在高温和高腐蚀条件下稳定存在的材料，优选地，所述衬垫13由陶瓷材料制得。其中，所述衬垫13的宽度可以按照所述反应容器11的宽度来设计，所述衬垫13不能过薄，优选地，所述衬垫13的厚度在厘米范围。所述衬垫13的形状可按照所述反应容器11的形状来确定。优选地，所述衬垫13为圆柱环体，所述衬垫13的高度大于所述进气喷头12与所述硅晶片2之间的距离。所述衬垫13可以紧邻所述进气喷头12。为了使所述进气喷头12所输出的反应物气体均匀的扩散到所述反应容器11中，所述衬垫13与所述进气喷头12之间相距在cm为优。所述孔131用于吸附由所述进气喷头12进入所述反应容器11的反应物气体中的颗粒。其中，所述孔131可以是漏斗状，其中，所述孔131的小端尺寸小于预设的颗粒直径。为了能够提供优质的吸附功能，所述衬垫13中的孔131的形状为弯折状。具体地，在制备所述衬垫的过程中，按照预设比例在陶瓷材料中参杂造孔剂、分散齐U、塑胶剂、粘结剂等多种添加剂，然后将所混合后的材料放入模板中进行烧制，烧制完成就形成具有弯折状且分布均匀的孔131的衬垫13。为了便于所述衬垫13的更换，可以在所述反应容器11的内侧壁上架设支架，则所述衬垫13可以放置在所述支架上。优选地，所述衬垫13直接卡固在所述反应容器11上。例如，利用卡勾将所述衬垫13固定在所述反应容器11中。当所述衬垫13所吸附的颗粒达到更换标准时，只需解开所述卡勾就能更换所述衬垫13。所述化学气相沉积反应设备I的工作过程举例如下:工作人员/机械手将硅晶片2放置到所述反应容器11中承载部件上，接着利用卡勾将所述衬垫13固定在反应容器11内侧壁，再将进气喷头12安装在所述反应容器11的上端，相距所述衬垫131-2cm的距离之处。当所述进气喷头12向所述反应容器11内喷入反应物气体时，所述反应物气流在散入所述反应容器11时，参杂在所述反应物气体中的细微颗粒将被吸附在所述衬垫13中的孔131的弯折部；同时，在所述衬垫13上还将沉积所述反应物气体所形成的薄膜。当所述衬垫13中的孔隙减小为原来的20%_30%，工作人员/机械手可解开卡勾来更换所述衬垫13。综上所述，本技术的衬垫及所适用的化学气相沉积反应设备，采用分布有多孔的衬垫来吸附反应物气体及反应容器中的细微颗粒，能够有效减少沉积在硅晶片上的薄膜中的大颗粒和颗粒含量，满足了硅晶片尺寸小、精度高的要求；另外，所述衬垫的厚度在2-5公分，能够确保所述衬垫中的孔足够弯折，以吸附更多的颗粒，延长所述衬垫的使用寿命；此外，所述衬垫隔离了几乎本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬垫，应用于化学气相沉积反应设备中，其中，所述化学气相沉积反应设备包括：用于将硅晶片进行化学气相沉积的反应容器，以及在所述反应容器上端设有进气喷头，其特征在于，所述衬垫设置在所述反应容器的内侧壁，其中，所述衬垫至少包括：分布在所述衬垫上的多个孔，用于吸附由所述进气喷头进入所述反应容器的反应物气体中的颗粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈哲敏，李广宁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11