高过载背压式绝压传感器模块及其制造工艺制造技术

技术编号:9841131 阅读:117 留言:0更新日期:2014-04-02 04:16
本发明专利技术公开了高过载背压式绝压传感器模块,包括盖板、硅芯片以及金属基座,硅芯片上设置有硅弹性膜区,盖板与硅芯片的正面密封连接,盖板上设置有背腔形成绝压真空腔,所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中,绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接,硅芯片背面与金属基座连接,金属基座上设置有容置外部被测介质的通道,硅芯片的背面对应通道设置有背腔区,背腔区与所述硅弹性膜区对应,所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛,该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙,实现了背压式绝压传感器的高过载性能,结构简单,过载能力大,实施成本低廉,很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高过载背压式绝压传感器模块,包括盖板、硅芯片以及金属基座,硅芯片上设置有硅弹性膜区,盖板与硅芯片的正面密封连接,盖板上设置有背腔形成绝压真空腔,所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中,绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接,硅芯片背面与金属基座连接,金属基座上设置有容置外部被测介质的通道,硅芯片的背面对应通道设置有背腔区,背腔区与所述硅弹性膜区对应,其特征在于:所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛,该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈绍群罗小勇
申请(专利权)人:新会康宇测控仪器仪表工程有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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