【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种拆除光罩保护薄膜组件后的光罩的清洗方法，其特征在于，包括：对光罩进行第一清洗，所述第一清洗采用的第一清洗剂为超临界流体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张士健，林益世，胡华勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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