【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种调压电路。该电路包括NMOS晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NMOS晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。体积较小、功耗小、速度高、适用于集成，电路结构简单。【专利说明】调压电路
本专利技术涉及一种调压电路。
技术介绍
调压是电路中经常用到的电路模块，用于调整电路功能电压。现有电路中一般采用晶闸管作为调压的件，但是晶闸管的面积较大，发热较大，消耗的功率也较大，根本不适用于集成电路，一般是在芯片外接调压电路。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于:针对上述存在的问题，提供一种M0S结构的调压电路。本专利技术采用的技术方案是这样的:本专利技术的一种调压电路，该电路包括NM0S晶体管、NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述NM0S晶体管的栅极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，漏极连接至肖特基势垒二极管的负极端、NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。在上述的电路中，所述第一电阻和第二电阻为参数相同的电阻。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是:该电路体较小、功耗小、速度高、适用于集成，且电路结构...
【技术保护点】
一种调压电路，其特征在于，包括NMOS晶体管（Q1）、NPN双极型晶体管（T1）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、可调电阻（RW1）和肖特基势垒二极管（Z1）；所述NMOS晶体管（Q1）的栅极通过第一电阻（R1）连接至电压源（VDD）并通过可调电阻（RW1）连接至地（GND），源极接地（GND），漏极连接至肖特基势垒二极管（Z1）的负极端、NPN双极型晶体管（T1）的基极以及通过第二电阻（R2）连接至电压源（VDD）；肖特基势垒二极管（Z1）的正极端接地；NPN双极型晶体管（T1）的源极接地（GND），集电极作为输出端（Vout）的负极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周晓东，王晓娟，王纪云，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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