降低电源关断时负载功耗的电路制造技术

本发明专利技术公开了一种降低电源关断时负载功耗的电路。该电路的电压源连接至第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极，并通过第一电阻连接至第一PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的漏极；第一PMOS晶体管的漏极和第二PMOS晶体管的栅极连接至第一控制信号输出端；第三PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的源极连接至第二控制信号输出端；第一NMOS晶体管的漏极连接至第三PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极，源极通过第二电阻接地。本发明专利技术的有益效果是：降低电源关断时的负载功耗，减小关断时的电流，减小大电流对元器件寿命的影响。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种降低电源关断时负载功耗的电路，其特征在于，包括第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；电压源（VDD）连接至第一PMOS晶体管（P1）的源极和第二PMOS晶体管（P2）的源极，并通过第一电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和第二NMOS晶体管（N2）的漏极；第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极连接至第一控制信号输出端（Vout1）；第三PMOS晶体管（P3）的栅极和第二NMOS晶体管（N2）的源极连接至第二控制信号输出端（Vout2）；第一NMOS晶体管（N1）的漏极连接至第三PMOS晶体管（P3）的漏极、第一NMOS晶体管（N1）的栅极和第二NMOS晶体管（N2）的栅极，源极通过第二电阻（R2）接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王纪云，吴勇，王晓娟，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41