无方向性的高频功率分配器制造技术

本发明专利技术涉及一种改进的无方向性的高频功率分配器，其具有如下特征：包括外导体（1）和/或外导体壳体（1′）；包括第一内导体（11），该第一内导体（11）在外导体（1）中或在外导体壳体（1′）中延伸；包括第二内导体（13）；该第二内导体（13）在间隔空间（15）中延伸，该间隔空间在第一内导体（11）和外导体（1）或外导体壳体（1′）之间形成；该第二内导体（13）电连接于或设有从其引开的分支导线；第二内导体（13）在其相对于第一内导体（11）的距离和/或相对于外导体（1）或相对于外导体壳体（1′）的距离方面相对能调节/或能定位，以实现变化的功率分配。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无方向性的高频功率分配器
本专利技术涉及一种无方向性的高频(HF)功率分配器。
技术介绍
用于分配或合并高频功率(HF功率)的功率分配器例如由DE102006056618已知。这种在先已知的功率分配器具有包括外导体和在其中引导的转换内导体的同轴导体。在外导体的端侧的端部上设置有同轴的求和门。在外导体的对置的端部上构成有包括至少两个并且优选三个或四个单门的头部件，所述单门具有外导体端子。各单门在此被内导体轴向贯穿，该内导体与转换内导体在其上端部上连接。所述在先已知的HF功率分配器的特点在于，头部件与各单门在避免机械的连接部位的情况下一件式地构成并且在此由锻造件、铸造件或铣削件构成。所述类型的用于实现无方向性的功率分配的HF电路例如也由“TaschenbuchderHochfrequenztechnik”，H.Meinke和F.W.Gundlach，Springer-Verlag，Berlin/Heidelberg/NewYork，1968，373和374页获知。无方向性的功率分配在此独立于波在主导线中的传播方向。在那里描述了一种串联分支，其除了外导体和其中延伸的同轴的内导体之外还具有在设置各存在的导体之间的第三导体，并且更确切地说是作为同心地包围内导体的管设置。利用这样的结构能够连接两个用电器，所述两个用电器关于到达的波如同两个串联连接的处于分配面中的用电器而作用。未分开的导线的波阻在此分成用于第一和用于第二用电器的对应的波阻。该原理的对应的实现方案由相同类别的US7026888B2获知。在这种无方向性的HF功率分配器中，在形成外导体的壳体中在相对置的端侧上分别设置有一个用于连接同轴线的耦合器，其中所述形成外导体的壳体设有轴向的中心孔，在该中心孔中，第一或主内导体以同轴的设置在同轴的连接件之间延伸地设置。在内导体或主导体和外导体之间的空间中此外设置有包围内导体的管，该管形成第二内导体。该第二内导体在结构上相对于第一或主内导体通过电介质的盘保持。径向且垂直延伸的分接导线然后从构成为管的第二内导体通过外导体壳体中的孔向外引导，这里设置有用于连接同轴的分支导线的串联的同轴的第三耦连器。由此同样实现固定地预先确定的HF功率分配。与以包括三门电路的无方向性的功率分配器的形式的相同类别的所述现有技术不同，在原则上也已知如下定向耦合器，该定向耦合器是一种四门电路，因此涉及另一种作用原理，在其中此外第四门例如通过终端电阻封闭。对于这样的四门定向耦合器代表性的情况可参阅US3166723A，其在第一和第二门之间在外导体壳体中具有常见的内导体，其中在所述相同的外导体壳体中此时在第三和第四门之间也还形成导线连接并且是利用U形的耦合分支形成导线连接。该U形的耦合分支可以通过调节机构横向于在第一和第二门之间延伸的内导体调节，即靠近内导体或远离内导体。该由US3166723A已知的微波定向耦合器可双向运行，其中在不同的门上出现输出的信号。按照相应的四门技术的定向耦合器例如由US2009/0045887A1已知。这种定向耦合器具有两个探测导线或耦合导线，从第一向第二门延伸的内导体设置成在所述探测导线或耦合导线之间经过。两个探测导线或耦合导线短于关于工作频率的四分之一波长。优选该波长应该例如在工作波长的1/12的数量级中。基于这种相互连接应该以短的导线实现高的方向性效果。最后，一种用于使用在按照隔断方法连接的高频电源中的耦合装置也由DE1192714A获知。该耦合装置在此具有包括内导体和外导体的输出电路。此外设置有包括耦合导体的耦合装置，该耦合装置――从中心位置出发――不仅朝导线回路的内导体的方向而且朝导线回路的外导体的方向可移动地设置。按照上述在先公开文献的第3栏、第13至20行，耦合导线件应该通过弹簧弓尽可能波阻正确地连接在两个通过导线上。
技术实现思路
与此相对本专利技术的任务是，从相同类别的现有技术出发提供一种改善的无方向性的高频功率分配器，利用该高频功率分配器可以以简单的方式可不同地调节地实现功率分配，而对主导线的适配没有反作用。按照本专利技术的解决方案的特征在于，设置在初级或主内导体和外导体之间的第二内导体这样构成，使得第二内导体与第一内导体和/或外导体的距离是可改变的，因此可不同地调节。因为根据不同的距离按照串联分支原理在第一和第二内导体之间实现不同的高频功率分配(参见“TaschenbuchderHochfrequenztechnik”，H.Meinke和F.W.Gundlach，Springer-Verlag，Berlin/Heidelberg/NewYork，1968，373和374页)。由此实现了一种无方向性的HF功率分配器，其以简单的手段能够实现变化的功率分配。所述调节机构在此可以通过合适的技术措施实现，例如借助例如具有两个不导电的销或突出装置的径向导向装置实现，所述不导电的销或突出装置穿过外导体壳体并且这样使得可以调从外面节第二内导体关于第一内导体和/或外导体的相对位置。第二内导体可以在宽的范围中不同地成形。在一种优选的实施形式中，第二内导体具有半管状的构造。这能够在内导体和外导体之间的间隙中在宽的界限内沿径向方向、因此横向于内导体和/或外导体布置结构实现任意的相对调节。但所述第二内导体在横向剖视图中不是必须构造成半管状的。所述第二内导体可以不同于圆形地形成。当然其优选在横截面中具有包括朝内导体凹入的并且朝外导体凸出的倾斜面的半圆形造形。当然第二内导体在横截面中也可以构造成板状的或在横截面中构造成U形或V形的，并且更确切地说是这样，使得内导体可以进入第二内导体的U形或V形的构造之间的空间中。在其他情况下内导体和外导体壳体都可以具有任意的横截面形状。内导体也不必一定构造成圆柱形或管状的，即具有圆形的横截面，而是可以例如构成为具有长方形或正方形的横截面、一般性地n边形的横截面。相应的情况也适用于第二内导体、外导体或外导体壳体的内面轮廓等。通过本专利技术因此能够实现按照串联分支原理的频带非常宽的并且特别是无级变化的功率分配，例如在380MHz-2700MHz的范围内。所述功率分配在此例如可以在6至20dB之间。如提到的，这优选通过嵌套的内导体系统实现，其中第二内导体相对于第一内导体横向(因此优选径向)可移动，或反之。两个串联阻抗的总和宽频带地并且在尽管存在变化的功率分配的情况下(大致)形成系统波阻。耦合区的长度在此可以关于需要传输的HF频率的下限频率大于λ/10。附图说明接着借助附图进一步解释本专利技术。在此各附图具体示出：图1按照本专利技术的第一实施例的分解视图；图2按照图1的实施例在安装状态中的轴向的纵剖面图；图3沿图2中的线III-III延伸的剖面图；图4a至6b用于阐明不同的实施例的不同的示意的横截面图，在所述实施例中部分地第二内导体在相对于第一内导体或相对于外导体的不同的调节位置中示出。具体实施方式在图1中示出无方向性的HF功率分配器的按照本专利技术的第一实施例。该HF功率分配器在此包括具有由导电的材料制成的外导体壳体1'的外导体1，该外导体可以具有任意的横截面形状。在所示实施例中，外导体棒状地以横向于纵向尺寸L的正方形横截面形成。换句话说，外导体1具有纵向尺寸L、高度H和宽度B，其中高度和宽度在所示实施例中相等。在壳体状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无方向性的高频功率分配器，具有如下特征：‑包括外导体（1）和/或外导体壳体（1′），‑包括第一内导体（11），‑该第一内导体（11）在外导体（1）中或在外导体壳体（1′）中延伸，‑包括第二内导体（13），‑该第二内导体（13）在间隔空间（15）中延伸，该间隔空间在第一内导体（11）与外导体（1）或外导体壳体（1′）之间形成，‑该第二内导体（13）电连接于或设有从其引开的分支导线（17），‑该分支导线（17）安装在第二内导体（13）的两个端部之间的中心中，其特征在于如下其他的特征：‑第二内导体（13）在其相对于第一内导体（11）的距离和/或在其相对于外导体（1）或相对于外导体壳体（1′）的距离方面能相对调节/或定位，以实现变化的功率分配。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.22 DE 102011108316.61.一种无方向性的高频功率分配器，-包括外导体(1)或形成外导体(1)的外导体壳体(1')，-包括第一内导体(11)，-该第一内导体(11)在外导体(1)中或在外导体壳体(1')中延伸，-包括第二内导体(13)，-该第二内导体(13)在间隔空间(15)中延伸，该间隔空间在第一内导体(11)与外导体(1)或外导体壳体(1')之间形成，-该第二内导体(13)电连接于或设有从其引开的分支导线(17)，-该分支导线(17)安装在第二内导体(13)的两个端部之间的中心中，其特征在于：-第二内导体(13)平行于第一内导体(11)延伸，-第二内导体(13)在其相对于第一内导体(11)的距离和在其相对于外导体(1)或相对于外导体壳体(1')的距离方面能相对调节，以实现变化的功率分配，-第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度并且由此在第一内导体(11)和第二内导体(13)之间形成的耦合区的长度大于0.6·λ/10，其中λ是下限频率。2.按照权利要求1所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度并且由此在第一内导体(11)和第二内导体(13)之间形成的耦合区的长度小于1.4·λ/10，其中λ是下限频率。3.按照权利要求2所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度并且由此在第一内导体(11)和第二内导体(13)之间形成的耦合区的长度大于0.7·λ/10和/或小于1.3·λ/10，其中λ是下限频率。4.按照权利要求3所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度并且由此在第一内导体(11)和第二内导体(13)之间形成的耦合区的长度大于0.8·λ/10和/或小于1.2·λ/10，其中λ是下限频率。5.按照权利要求4所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度并且由此在第一内导体(11)和第二内导体(13)之间形成的耦合区的长度大于0.9·λ/10和/或小于1.1·λ/10，其中λ是下限频率。6.按照权利要求5所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度和借此在第一和第二内导体(11、13)之间形成的耦合区的长度关于下限频率大于λ/10。7.按照权利要求6所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)和/或第二内导体(13)的长度和借此在第一和第二内导体(11、13)之间形成的耦合区的长度关于下限频率大于λ/11。8.按照权利要求1至7之一所述的高频功率分配器，其特征在于，外导体(1)或外导体壳体(1')具有两个相对置的或两个彼此错开放置的耦连器(5a、5b)，在这两个耦连器上分别连接或能连接一条同轴导线，并且在这两个耦连器(5a、5b)之间设置有第三耦连器(5c)，通过该第三耦连器连接或能连接另一条同轴的连接导线，其中第三耦连器(5c)具有与第二内导体(13)电连接的内导体端子(6)。9.按照权利要求1至7之一所述的高频功率分配器，其特征在于，第一内导体(11)相对于外导体(1)或相对于在外导体(1)中的或在外导体壳体(1')中的接纳孔(9)同...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·豪恩贝格尔，M·施托勒，C·道雷尔，
申请(专利权)人：凯瑟雷恩工厂两合公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE