一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。本发明专利技术通过在过孔内的像素电极上形成遮光层，避免了过孔区像素电极上由于外部光反射而引起的显示效果下降，同时，在制作遮光层的之前，先形成一层阻挡层，从而保证了制作遮光层时无遮光层残留物残留于基板上，提高了显示装置的显示性能。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
TFT-LCD（ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器）由于具有体积小、功耗低、无辐射等特点而备受关注，在平板显示领域中占据了主导地位，被广泛的应用到各行各业中。然而，现有的TFT阵列基板中的过孔区像素电极层上会发生外部光反射，如图1所示，外部光在过孔区像素电极上的反射光R与透过基板的有用光U产生混光现象，导致显示效果的下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，能够避免在基板上的过孔区的像素电极上发生外部光的反射，进行提高显示效果。为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术的一方面提供了一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、像素电极、隔离层、贯穿所述隔离层形成的过孔，所述薄膜晶体管漏极与所述像素电极通过所述过孔电连接，所述过孔内的像素电极上形成有第一遮光层。可选的，阵列基板还包括第二遮光层，所述第二遮光层位于在正投影方向上与所述薄膜晶体管相重叠区域。优选的，所述第一遮光层和所述第二遮光层一体形成为遮光层。可选的，在所述像素电极与所述第一遮光层之间形成有阻挡层。可选的，所述阻挡层还位于所述像素电极与所述第二遮光层之间。可选的，所述隔离层包括第一保护层、彩色滤光层和第二保护层；所述彩色滤光层位于所述第一保护层与第二保护层之间。可选的，所述隔离层还包括公共电极和第三保护层，所述第三保护层位于所述公共电极与所述像素电极之间。可选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。本专利技术另一方面还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术的再一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成包括薄膜晶体管的源极和漏极的图案；在所述薄膜晶体管的源极和漏极上形成隔离层以及贯穿所述隔离层的过孔；在形成有所述过孔的隔离层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔内过与所述漏极电连接；在所述过孔内的所述像素电极上形成第一遮光层。可选的，在所述过孔内的所述像素电极上形成第一遮光层，还包括：在正投影方向上与所述薄膜晶体管相重叠区域形成第二遮光层；所述第一遮光层和所述第二遮光层一体形成遮光层。可选的，在所述过孔内的所述像素电极上形成第一遮光层之前，还包括以下步骤：所述过孔内的像素电极与所述第一遮光层之间形成阻挡层；可选的，上述所述过孔内的像素电极与所述第一遮光层之间形成阻挡层的步骤中还包括：在所述像素电极与所述第二遮光层之间形成所述阻挡层；可选的，所述像素电极、所述阻挡层和所述遮光层的形成步骤，具体包括：在形成有所述过孔的隔离层上依次形成透明导电薄膜、金属薄膜及黑色遮光材料薄膜；利用掩模板对所述黑色遮光材料进行曝光、显影，形成黑色遮光材料完全保留区域、半保留区域和完全去除区域；所述黑色遮光材料完全保留区域对应所述薄膜晶体管区域，所述黑色遮光材料部分保留区域对应预定形成的狭缝状的像素电极区域，所述黑色遮光材料完全去除区域对应所述黑色遮光材料完全保留区域和所述黑色遮光材料半保留区域以外的区域；去除所述黑色遮光材料完全去除区域的透明导电薄膜和金属薄膜；去除掉所述黑色遮光材料半保留区域的黑色遮光材料薄膜；去除所述黑色遮光材料半保留区域的金属薄膜。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术通过解决现有的阵列基板结构中过孔区域内的像素电极上的外部光的反射问题，提高了显示效果。同时，本专利技术的提供的制作方法可以在一次构图工艺中形成像素电极、阻挡层和遮光层，不仅减少了构图工艺的次数，还可以防止遮光层工艺工程中在像素电极上的残留。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是现有技术的阵列基板中存在的外部光反射问题的示意图；图2是本专利技术实施例一提供的阵列基板结构示意图；图3是本专利技术实施例二提供的阵列基板结构示意图；图4是现有技术中在阵列基板上形成黑矩阵时，产生黑矩阵残留现象的示意图；图5是本专利技术实施例三提供的阵列基板结构示意图；图6是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作方法流程图一；图7是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作方法流程图二；图8是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作过程示意图一；图9是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作过程示意图二；图10是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作过程示意图三；图11是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作过程示意图四；图12是本专利技术实施例四提供的阵列基板制作过程示意图五。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术提供方案做详细的描述。本专利技术所提到的方向用语，如表示方向的“上”、“下”，仅是参考附图的方向以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。本专利技术提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管、隔离层、穿过所述隔离层形成的过孔、像素电极，所述薄膜晶体管漏极与所述像素电极通过所述过孔电连接，其特征在于，所述过孔内的像素电极上形成有第一遮光层。可选的，所述阵列基板还包括第二遮光层，所述第二遮光层位于在正投影方向上与所述薄膜晶体管相重叠区域。优选的，所述第一遮光层和所述第二遮光层一体形成为遮光层。可选的，在所述像素电极与所述第一遮光层之间形成有阻挡层。可选的，所述阻挡层还位于所述像素电极与所述第二遮光层之间。本专利技术通过在过孔内的像素电极上形成遮光层，避免了过孔区由于外部光在像素电极表面的反射。同时，在制作遮光层之前，先形成一层阻挡层，从而保证了制作遮光层时无遮光层残留物残留于像素电极上，提高了显示装置的显示性能。实施例一：图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括基板1、在基板1上依次形成的栅极2、栅绝缘层3、半导体层4、源极5和漏极6、在形成有薄膜晶体管的基板1上形成的隔离层M、在对应于漏极6的区域，形成贯穿隔离层M的过孔Q、在形成有过孔Q的隔离层M上形成的像素电极12、像素电极12通过过孔Q与漏极6电连接。在过孔Q区内的像素电极12上形成第一遮光层14a。其中隔离层M包括第一保护层7，过孔Q贯穿第一保护层7而形成，在形成有过孔Q的第一保护层7上形成像素电极12。本实施例中过孔内Q的像素电极12上形成第一遮光层14a，阻挡了外部光在过孔Q区的像素电极12上的反射，提高了显示效果。进一步的，阵列基板还包括位于第二遮光层14b，其位于像素电极12上方，且至少覆盖薄膜晶体管半导体层4所在的区域。当然，第二遮光层14b还可以位于覆盖薄膜晶体管半导体层4所在区域的其他地方，例如：第二遮光层14b位于源极5和漏极6的上方，且至少覆盖薄膜晶体管半导体层4所在的区域。进一步的，所述第二遮光层14b位于在正投影方向上与所述薄膜晶体管相重叠区域。第一遮光层14a主要的目的在于防止外部的光在过孔区的像素电极表面产生反光的现象，而第二遮光层14b主要的设置目的在于遮挡未经调制的光，同时它也可以遮挡外部的光。所谓未经调制的光指的是，从基板1底部入射的光未经过液晶层而无法改变光的偏振方向的光。实施例二：图3为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板。该阵列基板包括基板1、在基板1上依次形成的栅极2、栅绝缘层3、半导体层4、源极5和漏极6、在形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、隔离层、贯穿所述隔离层形成的过孔、像素电极，所述薄膜晶体管漏极与所述像素电极通过所述过孔电连接，其特征在于，所述过孔内的像素电极上形成有第一遮光层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、隔离层、贯穿所述隔离层形成的过孔、像素电极，所述薄膜晶体管漏极与所述像素电极通过所述过孔电连接，其特征在于，所述过孔内的像素电极上形成有第一遮光层；在所述像素电极与所述第一遮光层之间形成有阻挡层，其中所述阻挡层采用金属或合金；所述隔离层包括第一保护层、彩色滤光层和第二保护层；所述彩色滤光层位于所述第一保护层与第二保护层之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二遮光层，所述第二遮光层位于在正投影方向上与所述薄膜晶体管相重叠区域。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光层和所述第二遮光层一体形成为遮光层。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层还位于所述像素电极与所述第二遮光层之间。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离层还包括公共电极和第三保护层，所述第三保护层位于所述公共电极与所述像素电极之间。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述阵列基板。8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成包括薄膜晶体管的源极和漏极的图案；在所述薄膜晶体管源极和漏极上形成隔离层以及贯穿所述隔离层的过孔；在形成有所述过孔的隔离层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接；在所述过孔内的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，金熙哲，宋泳锡，刘圣烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11