一种高瞬发半导体桥发火组件制造技术

技术编号:9830061 阅读:83 留言:0更新日期:2014-04-01 19:08
本发明专利技术提供了一种高瞬发半导体桥发火组件,属于半导体桥发火装置领域。所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元;所述管壳(7)为套筒结构,其一端为开口端,另一端为封闭端,在封闭端上开有轴向通孔;所述换能元包括陶瓷电极塞(11),在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片;所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4),电桥(1)和铝电极(6);所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上;所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3),两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高瞬发半导体桥发火组件,其特征在于:所述高瞬发半导体桥发火组件包括管壳(7)以及安装在管壳(7)内的装药和换能元;所述管壳(7)为套筒结构,其一端为开口端,另一端为封闭端,在封闭端上开有轴向通孔;所述换能元包括陶瓷电极塞(11),在所述陶瓷电极塞(11)的上方设有半导体桥芯片;所述半导体桥芯片从下到上依次包括硅衬底、多晶硅基片(4),电桥(1)和铝电极(6);所述硅衬底的下端面粘接在所述陶瓷电极塞(11)的上端面上;所述铝电极(6)包括两块分开且对称设置的电极区(3),两个电极区(3)通过所述电桥(1)连接;所述装药包括两层装药,分别为第一层装药(9)和第二层装药(8);所述第二层装药(8)与管壳(7)的封闭端接触,第二层装药(8)覆盖在第一层装药(9)上,第一层装药(9)覆盖在电桥(1)的上表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:任慧穆慧娜焦清介周庆李含建
申请(专利权)人:北京理工大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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