【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种双重图形化膜层的方法，双重图形化膜层后形成的图形呈长条状结构，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有膜层；在所述膜层上形成具有第一图形的第一掩膜层，所述第一图形在长度方向定义出待形成的相邻两个长条状结构之间的距离；形成填充层，填充所述第一图形之间的空隙，所述填充层为有机材料；在所述填充层上形成具有第二图形的第二掩膜层，所述第二图形在垂直长度方向定义出待形成的两个长条状结构之间的距离；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀所述膜层形成长条状结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟晓莹，何其旸，韩秋华，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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