半导体封装件及其制法与中介板结构制造技术

一种半导体封装件及其制法与中介板结构，该半导体封装件制法，包括切割一基材以形成多个中介板，再分别置放各该中介板于一承载件的多个开口上，且任二该开口之间具有间距，待形成第一封装胶体以包覆该些中介板后，再移除该承载件，之后再结合至少一半导体组件于该中介板上。借由先切割该基材，以选择良好的中介板重新排设，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体封装件及其制法与中介板结构，该半导体封装件制法，包括切割一基材以形成多个中介板，再分别置放各该中介板于一承载件的多个开口上，且任二该开口之间具有间距，待形成第一封装胶体以包覆该些中介板后，再移除该承载件，之后再结合至少一半导体组件于该中介板上。借由先切割该基材，以选择良好的中介板重新排设，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。【专利说明】半导体封装件及其制法与中介板结构
本专利技术涉及一种半导体封装件，尤指一种具硅穿孔的半导体封装件及其制法与中介板结构。
技术介绍
在现行的覆晶技术因具有缩小芯片封装面积及缩短信号传输路径等优点，目前已经广泛应用于芯片封装领域，例如，芯片尺寸构装(Chip Scale Package, CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached, DCA)以及多芯片模块封装(Multi — Chip Module, MCM)等型态的封装模块，均可利用覆晶技术而达到封装的目的。于覆晶封装工艺中，因芯片与封装基板的热膨胀系数的差异甚大，所以芯片外围的凸块无法与封装基板上对应的接点形成良好的接合，使得凸块易自封装基板上剥离。另一方面，随着集成电路的积集度的增加，因芯片与封装基板之间的热膨胀系数不匹配(mismatch),其所产生的热应力(thermal stress)与翅曲(warpage)的现象也日渐严重，其结果将导致芯片与封装基板之间的可靠度(reliability)下降，并造成信赖性测试失败。为了解决上述问题，遂发展出以半导体基材作为中介结构的工艺，通过于一封装基板与一半导体芯片之间增设一娃中介板(Silicon interposer)。因该娃中介板与该半导体芯片的材质接近，所以可有效避免热膨胀系数不匹配所产生的问题。图1A至图1C为现有半导体封装件I的制法。如图1A所示，于一整片娃中介板10中形成多个导电娃穿孔(Through-siliconvia, TSV) 100，再于该硅中介板10的上侧形成线路重布结构(图略)，以将半导体芯片11接置于该硅中介板10的上侧，且借由导电凸块110电性连接该导电硅穿孔100。如图1B所示，形成封装胶体12于该硅中介板10上以包覆该半导体芯片11，以形成多个封装体la。如图1C所示,于该娃中介板10的下侧依需求形成线路重布结构(Redistributionlayer，RDL)13，再进行切单工艺，以将单一封装体Ia借由多个导电凸块14接置且电性连接于该封装基板15。然而，现有半导体封装件I的制法中，该硅中介板10形成该导电硅穿孔100的制作成本极高，且该硅中介板10的每一硅中介板单元10’因工艺良率之故，往往存在有良好者与不良者。所以当半导体晶圆切割成半导体芯片11 (该半导体芯片11的制造成本也高)后，再经电性量测后，可选择好的半导体芯片11接置于该硅中介板10上所对应的硅中介板单元10’上。因此，好的半导体芯片11可能会接置于不良的硅中介板单元10’上，导致于后续测试封装体Ia后，需将好的半导体芯片11与供其接置的不良硅中介板单元10’ 一并报废，而令制造该娃中介板10模块的成本无法降低。此外，若于形成该封装胶体12之前即已发现不良的硅中介板单元10’，而不放置好的半导体芯片11于不良的硅中介板单元10’上，则该硅中介板10上将出现空位，致将无法控制该封装胶体12的胶量，且因空位的位置并非可预期，将无法借由程控该封装胶体12的流动路径，也就是该封装胶体12的流动路径不一致，遂令无法均匀覆盖该半导体芯片11。另外，将半导体芯片11置放于未经切割的一整片硅中介板10上，该半导体芯片11的尺寸面积会受到限制，也就是该半导体芯片11的尺寸面积需小于该硅中介板单元10’的尺寸面积，所以该半导体芯片11的电极(即结合导电凸块110处)的数量无法增加，导致该硅中介板单元10’的模块功能及效率等受到限制。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术的主要目的在于提供一种半导体封装件及其制法与中介板结构，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。本专利技术的半导体封装件包括:第一封装胶体；中介板，其嵌埋于该第一封装胶体中，且该中介板具有相对的第一表面与第二表面及连接该第一与第二表面的侧面，并具有连通该第一与第二表面的多个导电穿孔，该导电穿孔具有相对的第一端面与第二端面，令该导电穿孔的第一端面对应该第一表面，且令该中介板的侧面上覆盖有该第一封装胶体；以及至少一半导体组件，其设于该中介板的第一表面的上并电性连接该中介板。本专利技术还提供一种半导体封装件的制法，其包括:提供一具有相对的第一表面与第二表面的基材，该基材中具有连通该第一表面的多个导电穿孔，该导电穿孔具有相对的第一端面与第二端面，令该导电穿孔的第一端面对应该第一表面；切割该基材以形成多个中介板，各该中介板具有连接该第一与第二表面的侧面；将各该中介板以其第一表面置于一承载件上，且该承载件具有多个开口，以令各该中介板分别对应置于各该开口中，又任二该开口之间具有间距；形成第一封装胶体于该承载件上，以令该第一封装胶体形成于该中介板的侧面上并包覆该些中介板；移除该承载件；以及结合至少一半导体组件于该中介板的第一表面之上，且电性连接该中介板。前述的制法中，该中介板的第一表面上具有多个导电组件，以令该导电组件位于该开口中，且该些导电组件电性连接该导电穿孔的第一端面。于移除该承载件后，该半导体组件结合于该些导电组件上，且电性连接该些导电组件。前述的制法中，还包括形成粘着材料于该承载件的开口中，以将该中介板结合至该承载件。前述的制法中，还包括于接置该半导体组件于该中介板的工艺后，进行切割工艺，以形成多个半导体封装件。前述的半导体封装件及其制法中，该中介板的第一表面上具有线路重布结构，以电性连接该导电穿孔的第一端面，且该半导体组件结合至该线路重布结构并电性连接该线路重布结构。前述的半导体封装件及其制法中，还包括当移除该承载件之前或之后，形成线路重布结构于该中介板的第二表面上，且该线路重布结构电性连接该导电穿孔的第二端面。前述的半导体封装件及其制法中，该半导体组件与该中介板的导电穿孔的第一端面借由多个导电组件作电性连接。前述的半导体封装件及其制法中，于移除该承载件后，该些导电组件凸出该第一封装胶体的表面。前述的半导体封装件及其制法中，还包括形成第二封装胶体于该第一封装胶体上，以包覆该半导体组件。前述的半导体封装件及其制法中，还包括移除该第二封装胶体的部分材质，以外露该半导体组件未接置该中介板的一侧。另外，前述的半导体封装件及其制法中，还包括移除该中介板的第二表面的部分材质，以外露该导电穿孔的第二端面。本专利技术还提供一种中介板结构，其包括:封装胶体；以及中介板，其嵌埋于该封装胶体中，且该中介板具有相对的第一表面与第二表面及连接该第一与第二表面的侧面，并具有连通该第一与第二表面的多个导电穿孔，该导电穿孔具有相对的第一端面与第二端面，令该导电穿孔的第一端面对应该第一表面，且令该中介板的侧面上覆盖有该封装胶体。前述的中介板结构中，该中介板的第一表面与该封装胶体的表面齐平。前述的中介板结构中，该封装胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其包括：第一封装胶体；中介板，其嵌埋于该第一封装胶体中，且该中介板具有相对的第一表面与第二表面及连接该第一与第二表面的侧面，并具有连通该第一与第二表面的多个导电穿孔，该导电穿孔具有相对的第一端面与第二端面，令该导电穿孔的第一端面对应该第一表面，且令该中介板的侧面上覆盖有该第一封装胶体；以及至少一半导体组件，其设于该中介板的第一表面之上并电性连接该中介板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄冠纬，林畯棠，廖怡茜，赖顗喆，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71