【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前生产VDF单体的方法主要采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，在经过一系列的前处理步骤，最终通过精馏得到VDF单体。该方法在实际生产过程中，裂解气中所含的杂质，没有合适的办法从精馏系统中采出，大部分还是循环回到前面的流程，而杂质的存在与积累会影响产品VDF的纯度，并且会对实际的生产操作有比较大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，其能有效去除裂解气中所含的杂质。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种包括如下步骤: 1)采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解； 2)前处理:除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱； 3)偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分； 4)偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；` 5)侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度-35 V，塔釜温度90-95 V，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80 ； 6)回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。本专利技术的优点和有益效果在于:提供一种，其能有效去除裂解气中所含的杂质。【具体实施方式】下面结合实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。本专利技术具体实施的技术方案是: 实施例1 一种包括如下步骤: 1)采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解； 2)前处理:除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱； 3)偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组...
【技术保护点】
偏氟乙烯单体的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解；2）前处理：除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱；3）偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分；4）偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；5）侧线除杂塔除去杂质和高沸物，塔顶塔釜回收偏氟乙烯，塔釜底部采出高沸物杂质，塔顶温度?35℃，塔釜温度90?95℃，塔顶压力2MPa，全塔压降控制在9KPa，摩尔回流比为80；6）回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。
【技术特征摘要】
1.偏氟乙烯单体的生产方法，其特征在于，包括如下步骤: . 1)采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解； .2)前处理:除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱； . 3)偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分； . 4)偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体；...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建林，邹建良，宗建青，仇峰，
申请(专利权)人：常熟振氟新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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