文采唇柱苣苔的组培方法技术

本发明专利技术属于植物组织培养领域，尤其是涉及一种文采唇柱苣苔的组培方法。取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，沥净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7-8min，经无菌水冲洗5-6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5-1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在温度为23℃的培养室里培养；并且逐步继代培养。每天光照10-12h，光照强度1600-2000Lx，湿度85%-90%。采用本发明专利技术的组培方法能使文采唇苣苔快速生长，并且其叶片呈深绿色，叶片厚挺拔，富光泽；株型整齐；苞片颜色纯正艳丽，可观赏性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于植物组织培养领域，尤其是涉及一种。
技术介绍
文采唇柱苣苔属于苦苣苔科(Gesneriaceae)，具有观赏和药用价值，叶呈肾形，基部呈心形，具掌状脉，花冠斜钟状，花紫色，裂片圆形，雄蕊和退化雄蕊着生于冠筒近基部。可以通过播种、扦插、分株和组织培养进行繁殖，其中前3种方式最为简单且常用。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种，以满足大规模培育繁殖文采唇柱苣苔的需要。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是:一种，取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，浙净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7-8min，经无菌水冲洗5_6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5-1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在温度为23°C的培养室里培养；并且逐步继代培养。每天光照10-12h，光照强度1600-2000LX，湿度85%-90%。所用培养基:诱导培养基MS+2mg/L6-BA+0.2mg/L NAA,分化培养基MS+lmg/L6-BA+0.lmg/L NAA，生根培养基 1/2MS+0.2mg/L IBA。本专利技术具有的优点和积极效果是:采用本专利技术的组培方法能使文采唇苣苔快速生长，并且其叶片呈深绿色，叶片厚挺拔，富光泽；株型整齐；苞片颜色纯正艳丽，可观赏性强。`【具体实施方式】为了理解本专利技术，下面通过具体的实施例对本专利技术作进一步说明。分为试验组和对照组，每个处理选择30个去掉叶柄的嫩叶叶片为试验材料。实验组实验方法:取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，浙净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7~8min，经无菌水冲洗5~6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5~I平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在培养室里培养；并且逐步继代培养。每天光照10~12h，光照强度1600 ~2000Lx，温度为(23 ± I) °C，湿度 85% ~90%。实例I采用诱导培养基:MS+2mg/L6-BA+0.2mg/L NAA ；MS+2mg/L6-BA+0.lmg/L NAA ；MS+2mg/L6-BA+0.02mg/L NAA栽培条件为每天光照10~12h，光照强度1600~2000LX，温度为(23±1)°C，湿度85% ~90% ο实例2采用分化培养基:采用生根培养基:l/2MS+0.2mg/L MS+lmg/L6_BA+0.5mg/L NAA ；MS+0.5mg/L6-BA+0.lmg/L NAA ；MS+lmg/L6-BA+0.lmg/L NAA ;栽培条件为每天光照 10 ~12h，光照强度 1600 ~2000Lx，温度为(23 ± I) °C，湿度 85% ~90%。实例3IBA ；1/2MS+1.0mg/L IBA ；MS+0.2mg/L IBA ；栽培条件为每天光照10~12h，光照强度1600~2000Lx，温度为(23 ± I) °C，湿度85% ~90%ο结果:评测指标:包括芽丛数、根数。分析:从表1中可以看出，随着6-BA/NAA增大，芽丛数就越大。当6_BA2mg/L，NAA0.2mg/L时，芽丛的诱导率最高，产生的芽最多。形成芽丛最适宜的培养基为MS+2mg/L6-BA+0.2mg/L NAA+琼脂+糖，pH值5.6~5.8。将幼嫩叶片接种到上述适宜培养基上，培养30天后，叶片可直接分化出许多丛生芽，诱导率100%。将分化出的小丛生芽切割分开，接到分化培养基MS+lmg/L6-BA+0.lmg/L NAA上继续培养，15~20天即可继代一次。表2中，6-B A能抑制根的生长；IBA增加，生根率增大；当培养基由MS变为1/2MS时，生根率达到100%。采用本专利技术组培文采唇柱苣苔的叶片呈深绿色，叶片厚挺拔，不下垂，有光泽；株型整齐；苞片颜色纯正艳丽，可观赏性强。表1 6-BA和NAA对组培苗芽丛形成的影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种文采唇柱苣苔的组培方法，其特征在于：取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，沥净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7?8min，经无菌水冲洗5?6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5?1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在温度为23℃的培养室里培养；并且逐步继代培养。每天光照10?12h，光照强度1600?2000Lx，湿度85%?90%。

【技术特征摘要】
1.一种文采唇柱苣苔的组培方法，其特征在于:取去掉叶柄的嫩叶叶片，经流水冲洗30min后，浙净水份，在超净工作台上用75%的酒精浸润30s，再用浓度为0.1%的升汞溶液消毒7-8min，经无菌水冲洗5_6次，充分去除残留的升汞。将消好毒的叶片切成0.5-1平方厘米的小块接种在芽诱导培养基上，放在温度为23°C的培养室里培养；并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨铁顺，赵亮，柯盛发，刘青，吴建平，闵宇，刘阳，
申请(专利权)人：天津滨海国际花卉科技园区股份有限公司，
类型：发明
国别省市：