一种LED晶圆片测试方法及测试系统技术方案

本发明专利技术提供一种LED晶圆片测试方法及测试系统，该测试系统包括依次相连的标准抽测机、LED晶圆片扫描图模板单元、标准抽测机扫描图模板设定单元、标准抽测机套模测试单元、抽测标准数据档单元、待测LED晶圆片校正函数单元、监控单元和分析处理单元；依次相连的Mapping全测机、LED晶圆片扫描图模板单元、Mapping全测机扫描图模板设定单元、Mapping全测机套模测试单元、Mapping全测数据临时档单元和Mapping全测数据标准档单元依次相连；Mapping全测机套模测试单元通过抽测晶粒Mapping数据档单元与待测LED晶圆片校正函数单元相连，监控单元与Mapping全测数据标准档单元相连。本发明专利技术减免了Mapping全测机校正、监测涉及的人员和物料成本的同时，提升机台产能利用率和降低了LED晶圆片制造成本。

【技术实现步骤摘要】
—种LED晶圆片测试方法及测试系统
本专利技术属于LED芯片制造领域，特别涉及一种LED晶圆片测试方法及测试系统。
技术介绍
LED晶圆片的波长、光强等光学参数在各Mapping全测机的测试值一致性问题，Mapping全测机频繁校正、监测的工作量及异常监控的滞后性问题，一直是LED芯片制造企业的难点之一。目前普遍做法是间隔若干批次或一定周期，采用LED标准样品(LED标准chip或标准封装器件)对LED晶圆片测试机进行逐一校正或监测,确认Mapping全测机与标准测试机之间的一致性符合机台管控要求时，才允许LED晶圆片上机扫描及光电参数的Mapping全测，否则需要暂停运行与标准测试机一致性较差的Mapping全测机，并进行重新校正。这种做法既占用了大量测试机的产能又周而复始的耗费着测试机校正或监测涉及的人力和物料成本。且长期以来，测试机一致性问题给LED晶圆片Mapping全测值带来较大误差，同时批量产品测试数据出现的异常需等到下一轮测试机监控时方能被发现，不但影响生产周期，而且会导致批量返工甚至出现品质降档或报废等损失。
技术实现思路
本专利技术提供了一种LED晶圆片测试方法及测试系统，可完全规避各Mapping全测机的一致性问题，减免了 Mapping全测机传统的校正、监测方式带来的大量工作量和相关成本，并且，通过对各待测LED晶圆片校正函数的实时监控有效、及时地发现和控制异常，解决了异常管控滞后性问题 ，从而提高了生产效率和产品良率。本专利技术的第一种技术方案是:一种LED晶圆片测试方法，其特殊之处在于:包括以下步骤:I】对所有Mapping全测机进行一致性校正:使用标准样品对所有Mapping全测机进行一致性校正,直至各Mapping全测机与标准抽测机的一致性符合管控标准；2】获得LED晶圆片扫描图模板:2.1】从待测LED晶圆片中取一张LED晶圆片作为参考LED晶圆片，并对该参考LED晶圆片做以下处理:将参考LED晶圆片载入标准抽测机Chuck盘，平边朝右，通过Chuck盘的旋转调整至参考LED晶圆片中任意一排左右两端晶粒在同一水平；从参考LED晶圆片中作为产品的晶粒中截取一颗外观无缺损、图层无畸变和污染的晶粒在CCD下的影像作为标准影像，将参考LED晶圆片中各晶粒的影像与标准影像的相似度进行对比；相似度低于70%的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将不存在图像，但会分配位置坐标，相似度大于或等于70%的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将存在图像；同时将参考LED晶圆片中央唯一一颗光照图样为十字形的晶粒的位置设置为扫描图原点坐标(0，0)，且在参考LED晶圆片扫描图中该处位置将不存在图像；由此获得参考LED晶圆片扫描图，该扫描图作为与参考LED晶圆片的晶粒具有同样图层Mask设计和尺寸规格的待测LED晶圆片扫描图模板；2.2】对上述参考LED晶圆片扫描图划分为外圈区域和内圈区域；所述外圈区域由外围N圈组成,且由外往内分别为外圈1、外圈2、......、外圈N,剩余区域为内圈区域，内圈区域包括M圈，N≥3的自然数，M> I ；2.3】对划分后的参考LED晶圆片扫描图的应用方式设置为A、B两类固定套模测试方式，分别如下:A固定套模测试方式为外圈I~(N-2)免测，外圈(N-1)~N全测，内圈区域X、Y方向间隔1、K颗晶粒进行抽测，其中，1、K为正整数；B固定套模测试方式为外圈I~(N-2)免测，外圈(N-1)~N和内圈全测；将设置后的LED晶圆片扫描图的应用方式建立LED晶圆片扫描图模板文件或软件；3】建立LED晶圆片扫描图自动套模系统:将LED晶圆片扫描图模板文件或软件拷贝或安装到其他Mapping全测机；标准抽测机选取A固定套模测试方式，并设置对应外圈数N与抽测晶粒间隔数1、K ;Mapping全测机选取B固定套模测试方式，并设置与标准抽测机一致的外圈数N ;根据参考LED晶圆片品名及机台号作相应存档；4】将待测LED晶圆片平边朝右方式载入标准抽测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及A固定套模测试方式测试，生成抽测标准数据档Sample Data, std,并上抛至局域网Database的指定位置；5】将上述待测LED晶圆片平边朝右方式载入Mapping全测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及B固定套模测试方式测试，生成Mapping全测数据临时档Mapping Data, map和步骤4】中测试到的晶粒在Mapping全测机全测方式产生的数据档,该数据档称作为抽测晶粒Mapping数据档SampleData, map,并上抛至局域网Database各自指定的位置；6】根据待测LED晶圆片批片号从局域网Database存放位置自动调出上述抽测标准数据档Sample Data, std与抽测晶粒Mapping数据档Sample Data, map,进行点对点数据对比同时运用运算方法得出待测LED晶圆片各自Mapping全测数据临时档Mapping Data,map的校正函数档Calibration Data, fn ;所述运算方法如下:借助0.1nm微分的数学方法将波长的一次线性校正函数化解为常数WL.0ffset=WL.std-WL.smap,将光强随不同波长响应的二次曲线校正函数化解为一次线性校正函数IV.gain = IV.std/IV.smap ;对于抽测缺失波长段的校正函数通过借助其相邻波长段的校正函数并采用内插法、顺延法或综合法来填补；7】通过监控单元，按预设的波长不同等级的监控标准A(WL)、B(WL)、C(WL),预设的光强不同等级的监控标准A(IV)、B (IV)、C (IV)对上述校正函数档Calibration Data, fn进行实时监控，并显示9种监控结果或异常类型和做出相应的预警；且各级监控标准及预警功能如下:A (WL)表示波长WL校正函数符合A级标准；B (WL)表示波长WL校正函数符合B级标准；C (WL)表示波长WL校正函数符合C级标准；A (IV)表示光强IV校正函数符合A级标准；B (IV)表示光强IV校正函数符合B级标准；C (IV)表示光强IV校正函数符合C级标准；所述9种监控结果的预警为:监控结果①，则预警为“执行自动校正Mapping全测数据临时档”；监控结果②、③、④，则预警为“执行自动校正Mapping全测数据临时档，并重新校正Mapping全测机”；监控结果⑤、⑥、⑦、⑧、⑨，则预警为“检查Mapping全测机是否异常，并确认该张待测LED晶圆片测试数据是否异常”；8】根据监控结果对待测LED晶圆片分别进行后续处理:对上述校正函数档Calibration Data, fn监控结果为①、②、③、④的待测LED晶圆片，根据待测LED晶圆片批片号调用对应的校正函数档Calibration Data, fn对其Mapping全测数据临时档Mapping Data, map进行校正,并生成待测LED晶圆片Mapping全测数据标准档Mapping Data, std,抛至局域网Database的指定位置；对上述校正函数档Calibratio本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED晶圆片测试方法，其特征在于：包括以下步骤：1】对所有Mapping全测机进行一致性校正：使用标准样品对所有Mapping全测机进行一致性校正，直至各Mapping全测机与标准抽测机的一致性符合管控标准；2】获得LED晶圆片扫描图模板：2.1】从待测LED晶圆片中取一张LED晶圆片作为参考LED晶圆片，并对该参考LED晶圆片做以下处理：将参考LED晶圆片载入标准抽测机Chuck盘，平边朝右，通过Chuck盘的旋转调整至参考LED晶圆片中任意一排左右两端晶粒在同一水平；从参考LED晶圆片中作为产品的晶粒中截取一颗外观无缺损、图层无畸变和污染的晶粒在CCD下的影像作为标准影像，将参考LED晶圆片中各晶粒的影像与标准影像的相似度进行对比；相似度低于70％的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将不存在图像，但会分配位置坐标，相似度大于或等于70％的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将存在图像；同时将参考LED晶圆片中央唯一一颗光照图样为十字形的晶粒的位置设置为扫描图原点坐标(0，0)，且在参考LED晶圆片扫描图中该处位置将不存在图像；由此获得参考LED晶圆片扫描图，该扫描图作为与参考LED晶圆片的晶粒具有同样图层Mask设计和尺寸规格的待测LED晶圆片扫描图模板；2.2】对上述参考LED晶圆片扫描图划分为外圈区域和内圈区域；所述外圈区域由外围N圈组成，且由外往内分别为外圈1、外圈2、……、外圈N，剩余区域为内圈区域，内圈区域包括M圈，N≥3的自然数，M＞1；2.3】对划分后的参考LED晶圆片扫描图的应用方式设置为A、B两类固定套模测试方式，分别如下：A固定套模测试方式为外圈1～(N?2)免测，外圈(N?1)～N全测，内圈区域X、Y方向间隔I、K颗晶粒进行抽测，其中，I、K为正整数；B固定套模测试方式为外圈1～(N?2)免测，外圈(N?1)～N和内圈全测；将设置后的LED晶圆片扫描图的应用方式建立LED晶圆片扫描图模板文 件或软件；3】建立LED晶圆片扫描图自动套模系统：将LED晶圆片扫描图模板文件或软件拷贝或安装到其他Mapping全测机；标准抽测机选取A固定套模测试方式，并设置对应外圈数N与抽测晶粒间隔数I、K；Mapping全测机选取B固定套模测试方式，并设置与标准抽测机一致的外圈数N；根据参考LED晶圆片品名及机台号作相应存档；4】将待测LED晶圆片平边朝右方式载入标准抽测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及A固定套模测试方式测试，生成抽测标准数据档Sample?Data.std，并上抛至局域网Database的指定位置；5】将上述待测LED晶圆片平边朝右方式载入Mapping全测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及B固定套模测试方式测试，生成Mapping全测数据临时档Mapping?Data.map和步骤4】中测试到的晶粒在Mapping全测机全测方式产生的数据档，该数据档称作为抽测晶粒Mapping数据档Sample?Data.map，并上抛至局域网Database各自指定的位置；6】根据待测LED晶圆片批片号从局域网Database存放位置自动调出上述抽测标准数据档Sample?Data.std与抽测晶粒Mapping数据档Sample?Data.map，进行点对点数据对比同时运用运算方法得出待测LED晶圆片各自Mapping全测数据临时档Mapping?Data.map的校正函数档Calibration?Data.fn；所述运算方法如下：借助0.1nm微分的数学方法将波长的一次线性校正函数化解为常数WL.offset＝WL.std?WL.smap，将光强随不同波长响应的二次曲线校正函数化解为一次线性校正函数IV.gain＝IV.std/IV.smap；对于抽测缺失波长段的校正函数通过借助其相邻波长段的校正函数并采用内插法、顺延法或综合法来填补；7】通过监控单元，按预设的波长不同等级的监控标准A(WL)、B(WL)、C(WL)，预设的光强不同等级的监控标准A(IV)、B(IV)、C(IV)对上述校正函 数档Calibration?Data.fn进行实时监控，并显示9种监控结果或异常类型和做出相应的预警；且各级监控标准及预警功能如下：A(WL)表示波长WL校正函数符合A级标准；B(WL)表示波长WL校正函数符合B级标准；C(WL)表示波长WL校正函数符合C级标准；A(IV)表示光强IV校正函数符合A级标准；B(IV)表...

【技术特征摘要】
1.一种LED晶圆片测试方法，其特征在于:包括以下步骤: 1】对所有Mapping全测机进行一致性校正: 使用标准样品对所有Mapping全测机进行一致性校正,直至各Mapping全测机与标准抽测机的一致性符合管控标准； 2】获得LED晶圆片扫描图模板: .2.1】从待测LED晶圆片中取一张LED晶圆片作为参考LED晶圆片，并对该参考LED晶圆片做以下处理:将参考LED晶圆片载入标准抽测机Chuck盘，平边朝右，通过Chuck盘的旋转调整至参考LED晶圆片中任意一排左右两端晶粒在同一水平；从参考LED晶圆片中作为产品的晶粒中截取一颗外观无缺损、图层无畸变和污染的晶粒在CCD下的影像作为标准影像，将参考LED晶圆片中各晶粒的影像与标准影像的相似度进行对比；相似度低于70%的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将不存在图像，但会分配位置坐标，相似度大于或等于70%的晶粒在参考LED晶圆片扫描图中将存在图像；同时将参考LED晶圆片中央唯一一颗光照图样为十字形的晶粒的位置设置为扫描图原点坐标(0，0)，且在参考LED晶圆片扫描图中该处位置将不存在图像；由此获得参考LED晶圆片扫描图，该扫描图作为与参考LED晶圆片的晶粒具有同样图层Mask设计和尺寸规格的待测LED晶圆片扫描图模板； .2.2】对上述参考LED晶圆片扫描图划分为外圈区域和内圈区域；所述外圈区域由外围N圈组成,且由外往内分别为外圈1、外圈2、......、外圈N,剩余区域为内圈区域，内圈区域包括M圈，N≥3的自然数，M > I ； . 2.3】对划分后的参考LED晶圆片扫描图的应用方式设置为A、B两类固定套模测试方式，分别如下: A固定套模测试方式为外圈I~(N-2)免测，外圈(N-1)~N全测，内圈区域X、Y方向间隔Ι、Κ颗晶粒进行抽测，其中，Ι、Κ为正整数； B固定套模测试方式为外圈I~(Ν-2)免测，外圈(N-1)~N和内圈全测； 将设置后的LED晶圆片扫描图的应用方式建立LED晶圆片扫描图模板文件或软件； 3】建立LED晶圆片扫描图自动套模系统: 将LED晶圆片扫描图模板文件或软件拷贝或安装到其他Mapping全测机；标准抽测机选取A固定套模测试方式，并设置对应外圈数N与抽测晶粒间隔数1、K ；Mapping全测机选取B固定套模测试方式，并设置与标准抽测机一致的外圈数N ;根据参考LED晶圆片品名及机台号作相应存档； 4】将待测LED晶圆片平边朝右方式载入标准抽测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及A固定套模测试方式测试，生成抽测标准数据档Sample Data, std,并上抛至局域网Database的指定位置； 5】将上述待测LED晶圆片平边朝右方式载入Mapping全测机，根据待测LED晶圆片品名及机台号实现自动调用该机对应的扫描图自动套模系统进行扫描及B固定套模测试方式测试，生成Mapping全测数据临时档Mapping Data, map和步骤4】中测试到的晶粒在Mapping全测机全测方式产生的数据档,该数据档称作为抽测晶粒Mapping数据档SampleData, map,并上抛至局域网Database各自指定的位置； 6】根据待测LED晶圆片批片号从局域网Database存放位置自动调出上述抽测标准数据档Sample Data, std与抽测晶粒Mapping数据档Sample Data, map,进行点对点数据对比同时运用运算方法得出待测LED晶圆片各自Mapping全测数据临时档Mapping Data, map的校正函数档Calibration Data, fn ;所述运算方法如下: 借助0.1nm微分的数学方法将波长的一次线性校正函数化解为常数WL.0ffset =WL.std-WL.smap，将光强随不同波长响应的二次曲线校正函数化解为一次线性校正函数IV.gain = IV.std/IV.smap ;对于抽测缺失波长段的校正函数通过借助其相邻波长段的校正函数并采用内插法、顺延法或综合法来填补； 7】通过监控单元，按预设的波长不同等级的监控标准A(WL) ,B(WL)、C(WL)，预设的光强不同等级的监控标准A(IV)、B(IV)、C(IV)对上述校正函数档Calibration Data, fn进行实时监控，并显示9种监控结果或异常类型和做出相应的预警；且各级监控标准及预警功能如下: A (WL)表示波长WL校正函数符合A级...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖余盟，陈起伟，周立业，缪炳有，李斌，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：