基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法技术

本发明专利技术一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取芯片内所有缺陷的特征信息；将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k；统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路的迅速发展与关键尺寸按比例缩小，其制造工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制造工艺一般都包含几百个工艺步骤，其中的一个步骤出现问题就会引起整个半导体集成电路芯片的问题，严重的还可能导致整个芯片的失效。基于上述考虑，业界普遍通过扫描芯片上的缺陷，根据芯片上的缺陷数量来判断生产中芯片的缺陷是否有超出控制标准，进而判断芯片缺陷正常与否。如图1所示，在现有技术中，缺陷扫描方法是通过在缺陷扫描机台对生产线上的芯片进行扫描，收集芯片上缺陷的位置并统计其数量，将芯片上缺陷的数量与该芯片所设定的控制标准值(比如，10颗缺陷)进行比较，若芯片上缺陷的数量不超过所设定的控制标准值，则认为芯片是正常的，继续进行下一生产流程。然而，上述缺陷扫描方法存在如下问题:在芯片上缺陷的数量不超过所设定的控制标准值时，因芯片上存在有对其良率有重要影响的缺陷(如金属腐蚀、金属放电和离子污染等致命缺陷)，直接导致芯片上有一颗此类缺陷就需报废芯片或者停机清机，而上述缺陷扫描方法不能发现芯片存在的此类问题，产品将继续进行后面的生产步骤，导致有问题的机台不能及时被发现，降低了产品良率和生产效率。因此，如何在现有以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率是亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的为，针对上述问题，提出了一种，该方法通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取芯片内所有缺陷的特征信息；将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k ;统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提闻广品的良率和生广效率。为实现上述目的，本专利技术一种，包括如下步骤:步骤SOl:将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取所述芯片内所有缺陷的特征信息；步骤S02:将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k;步骤S03:统计所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其中，当所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和小于控制标准值w时，芯片上的缺陷正常。优选地，在步骤SOl之后还包括预判断过程，其预先统计所述芯片上所有缺陷的数量之和，并与所述芯片的控制标准相比较。若所述芯片上所有缺陷的数量之和大于或等于控制标准，则芯片上的缺陷不正常；若所述芯片上所有缺陷的数量之和小于控制标准，进入步骤S02。优选地，所述缺陷的特征信息包括位置、形状、成分和尺寸。优选地，所述缺陷数据库通过在生产线上实时收集各种缺陷的特征信息，并根据每一缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予其相应的修正系数k。优选地，根据每一缺陷的形状、成分和尺寸来综合判断其对芯片良率的影响，进而赋予其相应的修正系数k。优选地，所述缺陷对芯片良率的影响越大，所对应的修正系数k越大。优选地，所述每一个缺陷经修正后的数量为1+k或者l*k,其中，k的范围为I?W。优选地，所述每一个缺陷经修正后的数量为1+k，其中，所述芯片上具有一颗所述缺陷就需报废芯片时，所述k值为w-1。优选地，所述每一个缺陷经修正后的数量为l*k，其中，所述芯片上具有一颗所述缺陷就需报废芯片时，所述k值为W。从上述技术方案可以看出，本专利技术一种，通过将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取芯片内所有缺陷的特征信息；将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k ;统计芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其在以缺陷数量来判断芯片缺陷是否正常的前提下，引入致命缺陷这一修正因素更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率。【附图说明】为能更清楚理解本专利技术的目的、特点和优点，以下将结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细描述，其中:图1为现有技术中缺陷扫描方法的流程示意图；图2为本专利技术的流程示意图。【具体实施方式】体现本专利技术特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非用以限制本专利技术。上述及其它技术特征和有益效果，将结合附图2对本专利技术的一较佳实施例进行详细说明。图2为本专利技术的流程示意图。请参阅图2，以下将具体说明本专利技术，其包括如下步骤:步骤SOl:将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取该芯片内所有缺陷的特征信息。具体来说，将n个连续的芯片依次输送到缺陷扫描机台上进行扫描，其中，n为大于I的整数，然后通过扫描电子显微镜、光学显微镜或电子束显微镜摄影获得芯片上所有缺陷影像，通过分析芯片上所有缺陷的影像提取出该芯片内所有缺陷的特征信息。进一步地，上述所说缺陷的特征信息包括位置、形状、成分、尺寸和其它一些与缺陷相关的特征，具体地，也即是说，所说缺陷的特征信息为:缺陷位于芯片的什么位置，是产品位置上还是非产品位置上，或者缺陷位于芯片的重要区域或者其他次要区域；芯片上的缺陷的形状是什么，比如，三角形，圆形，圆弧形，线形或其他的图形；芯片上的缺陷尺寸大小；芯片上缺陷的成分，比如，是否包含F、Al、Cu、As或其他一些元素。此外，在步骤SOl之后还包括预判断过程，该预判断过程通过预先统计芯片上所有缺陷的数量之和，然后与该芯片所预设的控制标准相比较。若芯片上所有缺陷的数量之和大于或等于控制标准，则芯片上的缺陷不正常，即芯片是失效的，然后通过电镜对该芯片上的所有缺陷进行分析，确定缺陷的类型以及导致缺陷过高的原因快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率；若芯片上所有缺陷的数量之和小于控制标准，则进一步地对其进行基于致命缺陷修正的判断，以更精确和快速的判断芯片缺陷是否正常，并能快速发现有问题的机台，减少其对产品的持续影响，提高产品的良率和生产效率。步骤S02:将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k;将上述芯片上所有缺陷的特征信息输入缺陷数据库，其中，该缺陷数据库在生产线上实时收集各种缺陷的特征信息，通过对每一个缺陷的所有特征信息，比如，缺陷在芯片上的位置、缺陷的形状、缺陷的成分、缺陷的尺寸，逐个的与缺陷数据库中预设的信息进行比对，根据缺陷每一个特征信息对芯片良率的影响赋予相应的修正值，然后综合缺陷每一个特征信息所对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取所述芯片内所有缺陷的特征信息；步骤S02：将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k；步骤S03：统计所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其中，当所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和小于控制标准值w时，芯片上的缺陷正常。

【技术特征摘要】
1.一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤SOl:将芯片置于缺陷扫描机台上进行扫描，提取所述芯片内所有缺陷的特征信息； 步骤S02:将所有缺陷的特征信息输入到缺陷数据库，获取每一个缺陷所对应的修正系数k，其中，该缺陷数据库根据缺陷的所有特征信息对芯片良率的影响赋予不同的修正系数k ; 步骤S03:统计所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和，与所述芯片的控制标准值w相比较，判断芯片上的缺陷是否正常，其中，当所述芯片上所有经修正的缺陷数量之和小于控制标准值w时，芯片上的缺陷正常。2.根据权利要求1所述的一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，其特征在于，在步骤SOl之后还包括预判断过程，其预先统计所述芯片上所有缺陷的数量之和，并与所述芯片的控制标准相比较。若所述芯片上所有缺陷的数量之和大于或等于控制标准，则芯片上的缺陷不正常；若所述芯片上所有缺陷的数量之和小于控制标准，进入步骤S02。3.根据权利要求1所述的一种基于致命缺陷修正的缺陷扫描方法，其特征在于，所述缺陷的特征信息包括位置、形状、成分和尺寸。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：何理，许向辉，郭贤权，陈超，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：