本发明专利技术提供一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内至少包括：开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、OLED、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其中驱动晶体管为氧化物TFT，数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动芯片，且OLED的阴极接产生负电压的芯片。由于本发明专利技术中将OLED的阴极由接地转成接负向电压，使得驱动电路两端的电压差变大，从而使得现有的低温多晶硅AMOLED驱动芯片能够成功驱动氧化物TFT，而无需给包含氧化物TFT的AMOLED驱动电路特制驱动IC，进而有效降低氧化物TFT?AMOLED的制作成本。
【技术实现步骤摘要】
一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置
本专利技术涉及平板显示
，更具体的说是涉及一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置。
技术介绍
0LED (有机发光二极管或有机发光二极管显示器)根据其驱动方式分为主动矩阵有机发光显示器(AMOLED)和被动矩阵有机发光显示器(PM0LED)。在平板显示技术中，AMOLED以其轻薄、主动发光、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD (液晶显示器)之后的第三代显示器。目前，商业化的AMOLED的驱动晶体管采用LTPSTFT (低温多晶硅薄膜晶体管)背板，其应用在显示器上时均匀性较差，其生产过程中还需要昂贵的激光晶化设备，从而造成其应用受到限制。而氧化物TFT (薄膜晶体管)具有较好的大面积均匀性，不需要激光晶化设备进行生产且能利用现有的a-SiTFT的生产线的大部分设备，从而有利于减少投资，该方面讲氧化物TFT具有更好的市场竞争力。如图1所示，为AMOLED每个发光像素单元中驱动晶体管为氧化物TFT时的驱动电路，包括:开关晶体管T01、驱动晶体管T02、存储电容Cs、提供扫描信号&_的扫描电压源、提供数据信号1_的数据电压源和提供供电电压Vdd的电源。其中，开关晶体管T01的栅极与所述扫描电压源相连，其漏极与所述数据电压源相连，开关晶体管T01的源极与存储电容Cs的一端相连，并与驱动晶体管T02的栅极相连；存储电容Cs的另一端及驱动晶体管T02的源极及0LED的阳极相连；驱动晶体管T02的漏极与提供供电电压Vdd的电源相连；所述0LED的阴极接地。现有技术中，在氧化物TFT AMOLED像素驱动电路中，所述氧化物TFT必须使用为氧化物TFT特定制备的驱动IC01来驱动，而无法直接使用现有的LTPS AMOLED source IC(低温多晶硅AMOLED驱动集成芯片)进行驱动，因此，导致氧化物TFT在AMOLED领域中的应用成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置，以解决现有技术中的AMOLED像素驱动装置采用氧化物TFT时，无法使用现有的LTPS AMOLED source1C进行驱动，从而导致的氧化物TFT在AMOLED领域的应用成本较高的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案:一种AMOLED像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AMOLED像素驱动电路至少包括:开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其中，所述驱动晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的芯片。优选地，所述产生负电压的芯片产生的负向电压的绝对值范围为大于0V且小于有机发光二极管的阳极到阴极的跨压。优选地，所述氧化物薄膜晶体管的有源层材料为In-Ga-Zn-0、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O 或 In-Al-Zn-0 中的一种或几种。优选地，所述产生负电压的芯片烧录有所述有机发光二极管材料的衰减特性信肩、Ο优选地，所述氧化物薄膜晶体管结构为底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触、顶栅顶接触、多栅型中的一种或几种。优选地，所述扫描电压源为非晶硅IXD驱动芯片或为在氧化物薄膜晶体管背板上集成的芯片。优选地，所述AMOLED像素驱动装置为De-Multiplexers电路。优选地，所述De-Multiplexers电路为一分二、一分三、一分四电路中的一种。优选地，所述扫描电压源为在氧化物薄膜晶体管背板上集成的芯片，所述芯片上还集成有时间控制结构。经由上述的技术方案可知，本专利技术提供的AMOLED像素驱动装置，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其中，所述驱动晶体管为氧化物薄膜场效应晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动集成芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的集成芯片。由于本专利技术中将AMOLED像素驱动装置中的0LED的阴极由接地转成接负向电压，使得驱动电路两端的电压差变大，即由原来的1C输出电压(S卩1C输出电压-0V)变为1C输出电压与负向电压的绝对值之和(也即1C输出电压-负向电压)，从而使得现有的LTPS AMOLED source 1C能够成功驱动包含驱动晶体管为氧化物TFT的像素驱动电路，使0LED发光，相对于现有技术中需要专门制备氧化物TFT的驱动1C的方案，本专利技术中提供的AMOLED像素驱动装置，能够有效降低氧化物TFT AMOLED的制作成本，从而推动氧化物TFT AMOLED技术的发展。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中氧化物TFT AMOLED像素驱动装置图；图2为本专利技术实施例提供的一种AMOLED像素驱动装置图；图3为本专利技术实施例提供的另一种AMOLED像素驱动装置图；图4为本专利技术实施例提供的另一种AMOLED像素驱动装置图；图5为本专利技术实施例提供的一种0LED与氧化物TFT背板结合剖面图；图6为本专利技术实施例提供的一种氧化物TFT的转移特性曲线图；图7为本专利技术实施例提供的一种氧化物TFT的输出特性曲线图。【具体实施方式】正如
技术介绍
部分所述，现有技术中的氧化物TFT相较于LTPS TFT具有技术上的优势，但是由于其应用时必须重新设计自身特需的驱动1C，造成氧化物TFT的应用受到阻碍，专利技术人发现，出现上述现象的原因是，由于氧化物TFT的载流子迁移率较低，其驱动电压相较于现有技术中的低温多晶硅TFT的驱动电压较大，而现有的LTPS AMOLED source IC的输出电压仅仅能够驱动载流子迁移率高的低温多晶硅TFT，而不能驱动载流子迁移率较低的氧化物TFT，为此，在应用氧化物TFT时，需要重新设计和制作氧化物TFT专用的输出电压较大的1C (集成芯片)，但是这样会增加氧化物TFT在AMOLED领域的应用成本，即在成本方面又降低了氧化物TFT的市场竞争力。基于此，专利技术人经过研究提供了 一种AMOLED像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AMOLED像素驱动装置包括:开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，所述驱动晶体管为氧化物薄膜场效应晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动集成芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的集成芯片。由上述的技术方案可知，本专利技术提供的AMOLED像素驱动装置，将0LED的阴极由接地改为接负向电压，即将0LED阴极电压为0V改变为阴极电压为负电压，从而使得驱动电路的初始端与末端的电压差增大，进而使得现有技术中LPTS AMOLED IC的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AMOLED像素驱动电路至少包括：开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其特征在于，所述驱动晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的芯片。
【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AM0LED像素驱动电路至少包括:开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其特征在于，所述驱动晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的芯片。2.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动装置，其特征在于，所述产生负电压的芯片产生的负向电压的绝对值范围为大于0V且小于有机发光二极管的阳极到阴极的跨压。3.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动装置，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管的有源层材料为 In-Ga-Zn-0、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O 或 In-Al-Zn-0 中的一种或几种。4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：何剑，苏君海，柯贤军，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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