一种用于高压功率MOSFET电路中的高压大电流控制电路制造技术

一种用于高压功率MOSFET中的高压大电流控制电路，包括PMOS管MP1、MP2和MP3，三极管Q1和Q2，MOSFET管M1和M2，电阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共栅极，源极与VDD连接，MP2和MP3的漏极分别与Q1和Q2的集电极连接。Q1和Q2的基极互连，Q1和Q2的发射极分别与R1和R2连接。M1和M2共栅极，共漏极，M1的源极与R1连接。M2的源极、R1和R2接地。Q1与Q2互相匹配，R1与R2是按照比例关系的匹配电阻。M1和M2的宽长比为一定比例。本发明专利技术不考虑晶体管沟道长度调制效应，由R1引入负反馈，将大电流转化为电流比较信号，实现了在高电压大电流模式下对电流的精确控制。

【技术实现步骤摘要】
—种用于高压功率MOSFET电路中的高压大电流控制电路
本专利技术涉及一种用于高压功率MOSFET的电流控制电路，尤其涉及一种精确设置普通M0S管电流基准转化为高压功率MOSFET电路的高压大电流控制电路。
技术介绍
图1是已知的电流源镜像电路，镜像参考电流IMf由低温度系数模块的电流基准源，即BIAS产生，MP1与MP2为普通PM0S管，丽1和丽2为普通NM0S管。流过NM0S管丽1的漏极电流ID1和流过NM0S管丽2的漏极电流ID2分别为:

【技术保护点】
一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其特征在于，包括MOSFET管（M1）、MOSFET管（M2）、PMOS管（MP1）、PMOS管（MP2）、PMOS管（MP3）、电阻（R1）、电阻（R2）、三极管（Q1）和三极管（Q2）；所述PMOS管（MP1）的源极、所述PMOS管（MP2）的源极和所述PMOS管（MP3）的源极与电源VDD连接；所述PMOS管（MP3）的栅极、所述PMOS管（MP2）的栅极、所述PMOS管（MP1）的栅极和所述PMOS管（MP1）的漏极的电流为基准电流Iref；所述PMOS管（MP2）的漏极与所述三极管（Q1）的集电极连接；所述PMOS管（MP3）的漏极分别与所述三极管（Q2）的集电极、所述MOSFET管（M1）的栅极和所述MOSFET管（M2）的栅极连接；所述三极管（Q1）的基极分别与自身的集电极和所述三极管（Q2）的基极连接；所述三极管（Q1）的发射极接入所述MOSFET管（M1）和所述电阻（R1）之间；所述三极管（Q2）集电极与所述PMOS管（MP3）的漏极、所述MOSFET管（M1）的栅极和所述MOSFET管（M2）的栅极连接；所述三极管（Q2）的发射极与所述电阻（R2）连接，所述电阻（R2）的另一端直接接地；所述MOSFET管（M1）的源极分别与所述三极管（Q1）的发射极和所述电阻（R1）连接，所述电阻（R1）的另一端直接接地；所述MOSFET管（M1）的漏极与所述MOSFET管（M2）的漏极相连；所述MOSFET管（M2）的源极直接接地；所述PMOS管（MP1）、所述PMOS管（MP2）和所述PMOS管（MP3）均采用长沟道的PMOS管。...

【技术特征摘要】
1.一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其特征在于，包括MOSFET管(Ml)、MOSFET 管(M2)、PMOS 管(MPl)、PMOS 管(MP2)、PMOS 管(MP3)、电阻(Rl)、电阻(R2)、三极管(Ql)和三极管(Q2);所述PMOS管(MPl)的源极、所述PMOS管(MP2)的源极和所述PMOS管(MP3)的源极与电源VDD连接；所述PMOS管(MP3)的栅极、所述PMOS管(MP2)的栅极、所述PMOS管(MPl)的栅极和所述PMOS管(MPl)的漏极的电流为基准电流I,ef ;所述PMOS管(MP2)的漏极与所述三极管(Ql)的集电极连接；所述PMOS管(MP3)的漏极分别与所述三极管(Q2)的集电极、所述MOSFET管(Ml)的栅极和所述MOSFET管(M2)的栅极连接； 所述三极管(Ql)的基极分别与自身的集电极和所述三极管(Q2)的基极连接；所述三极管(Ql)的发射极接入所述MOSFET管(Ml)和所述电阻(Rl)之间；所述三极管(Q2)集电极与所述PMOS管(MP3)的漏极、所述MOSFET管(Ml)的栅极和所述MOSFET管(M2)的栅极连接；所述三极管(Q2)的发射极与所述电阻(R2)连接，所述电阻(R2)的另一端直接接地； ...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱铁柱，王良坤，张明星，夏存宝，陈路鹏，黄武康，殷明，
申请(专利权)人：嘉兴中润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：