一种分区域制样的TEM样品的制作方法技术

本发明专利技术提供一种分区域制样的TEM样品的制作方法，包括：提供样品，所述样品包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离不超过30微米，垂直距离不超过1微米；对所述样品进行预切，并且对预切后的样品进行U型切；对U型切后的样品中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的目标区域的样品与样品边缘；将所述具有多个厚度的目标区域的样品与所述样品边缘进行分离。利用本发明专利技术的方法能够在制作具有不同厚度的多个目标区域的TEM样品，大大提高了TEM样品制备的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种分区域制样的TEM样品的制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种分区域制样的TEM样品的制作方法。
技术介绍
在半导体
，透射电子显微镜(TEM)是常见的检测期间的薄膜的形貌、尺寸及特征的工具。TEM的工作原理是:将待检测的样片以切割、研磨、离子减薄等方式减薄，最终放入TEM观测室，以高压加速的电子束照射样片，并将样片形貌放大、投影到屏幕上、照相，之后进行分析，TEM的一个优点是其具备较高的分辨率。TEM样品的制备是TEM分析技术中非常重要的一个步骤。现有技术通常采用FIB (聚焦离子束)制作TEM样品。现有技术利用FIB进行TEM样品制备的方法有很多种，但都是在一个TEM样品上只能制备同一厚度的样片，因而制作的TEM样品只能用于观察同一厚度位置。例如对于SRAM的器件分析，只能在一个TEM样品上制备NMOS器件，在另外一个样品上制备PMOS器件，这样在两个TEM样品上分别观察NMOS器件和PM0S。因此，有必要对现有的TEM样品制作方法进行改进，能够在同一 TEM样品上制作具有不同厚度的多个目标区域，提高TEM样品制备的效率，节约FIB制样的时间。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种分区域制样的--Μ样品的制作方法，在同一TEM样品上可以制备具有不同厚度的多个目标区域，大大提高了 TEM样品制备的效率。为了解决上述问题，本专利技术提供一种分区域制样的TEM样品的制作方法，包括:`提供样品，所述样品包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离不超过30微米，垂直距离不超过I微米；对所述样品进行预切，并且对预切后的样品进行U型切；对U型切后的样品中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的目标区域的样品与样品边缘；将所述具有多个厚度的目标区域的样品与所述样品边缘进行分离。可选地，在对U型切后的样品中多个目标区域分别进行减薄时，不同的目标区域之间的样品的厚度与预切后的样品的厚度相同。可选地，所述预切后的样品的厚度为200纳米-1微米。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点:利用本专利技术的方法能够在同一 TEM样品制作多个具有不同厚度的目标区域的样品的问题，大大提高了 TEM样品制备的效率。利用本专利技术的方法可以减少FIB制样时间40%左右，并且可以减少样品提取时间约50%，TEM样品观测时间约40%。 【附图说明】图1是本专利技术一个实施方式的分区域制样的TEM样品的制作方法流程示意图；图2-图5是本专利技术一个实施例的分区域制样的TEM样品制作方法剖面结构示意图；图6-图9是图2-图5所示的TEM样品的俯视结构示意图。【具体实施方式】根据
技术介绍
可知，现有技术利用FIB进行TEM样品制备的方法有很多种，但都是在一个TEM样品上只能制备同一厚度的样片，因而制作的TEM样品只能用于观察同一厚度位置。例如对于SRAM的器件分析,只能在一个TEM样品上制备NMOS器件,在另外一个样品上制备PMOS器件，这样在两个TEM样品上分别观察NMOS器件和PM0S。因此，有必要对现有的TEM样品制作方法进行改进，能够在同一 TEM样品上制作具有不同厚度的多个目标区域，提高TEM样品制备的效率，节约FIB制样的时间。为了解决上述问题，本专利技术提供一种分区域制样的TEM样品的制作方法，请参考图1，图1是本专利技术一个实施方式的分区域制样的TEM样品的制作方法流程示意图，所述方法包括:步骤SI，提供样品，所述样品包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离不超过30微米，垂直距离不超过I微米；步骤S2，对所述样品进行预切，并且对预切后的样品进行U型切；步骤S3，对U型切后的样品中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的目标区域的样品与样品边缘；步骤S4，将所述具有多个厚度的目标区域的样品与所述样品边缘进行分离。下面结合具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明。为了更好地说明本专利技术的技术方案，请参考图2-图5所示的本专利技术一个实施例的分区域制样的TEM样品制作方法剖面结构示意图。首先,请参考图2,并参考图6,图6为图2所示的样品的俯视结构示意图。执行步骤SI，提供样品10，所述样品10包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离D不超过30微米，垂直距离L不超过I微米。作为一个实施例，所述样品10包括2个目标区域，分别是第一目标区域11和第二目标区域12。然后，请参考图3及图7,图7为图3所不的样品的俯视结构不意图，执行步骤S2,对所述样品10进行预切，并且对预切后的样品进行U型切。所述预切后的样品10的厚度为200纳米-1微米。接着，请参考图4及图8,图8为图4所不的样品的俯视结构不意图，执行步步骤S3，对U型切后的样品10中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的目标区域的样品与样品边缘。作为本专利技术的一个实施例，对U型切割后的样品10的第一目标区域11和第二目标区域12所在的样品区域的两侧形成凹陷，使得第一目标区域11的厚度达到其预定的目标厚度，所述第二目标区域12的厚度达到其预定的目标厚度，至此，形成具有两个厚度的目标区域的样品14，样品14具有样品边缘13，在后续的步骤中将样品14与样品边缘13进行分离，对样品14进行制备和提取。作为优选的实施例，在对U型切后的样品中多个目标区域分别进行减薄时，不同的目标区域之间的样品的厚度与预切后的样品的厚度相同，这样的目的是为了对最终制作的样品提供足够的支撑。最后请参考图5及图9,图9为图5所不的样品的俯视结构不意图，执行步骤S4,将所述具有多个厚度的目标区域的样品14与所述样品边缘14进行分离，之后利用具有多个厚度的目标区域的样品完成后续的提取和TEM观测。综上，利用本专利技术的方法能够在同一 TEM样品制作多个具有不同厚度的目标区域的样品的问题，大大提高了 TEM样品制备的效率。利用本专利技术的方法可以减少FIB制样时间40%左右，并且可以减少样品提取时间约50%，TEM样品观测时间约40%。虽然本专利技术己以较佳实施例披露如上，但本专利技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本专利技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分区域制样的TEM样品的制作方法，其特征在于，包括：提供样品，所述样品包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离不超过30微米，垂直距离不超过1微米；对所述样品进行预切，并且对预切后的样品进行U型切；对U型切后的样品中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的目标区域的样品与样品边缘；将所述具有多个厚度的目标区域的样品与所述样品边缘进行分离。

【技术特征摘要】
1.一种分区域制样的TEM样品的制作方法,其特征在于,包括: 提供样品，所述样品包括多个目标区域，所述目标区域之间的水平距离不超过30微米，垂直距离不超过I微米； 对所述样品进行预切，并且对预切后的样品进行U型切； 对U型切后的样品中的多个目标区域分别进行减薄，每个目标区域具有与其对应的目标厚度，获得具有多个厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，高林，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：