【技术实现步骤摘要】
一种用于在Si片上沉积碳膜的设备
本专利技术涉及一种用于在Si片上沉积碳膜的设备。
技术介绍
现有的用于在Si片上沉积碳膜的设备其结构相对比较用于在Si片上沉积碳膜的设备复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的用于在Si片上沉积碳膜的设备，以满足需求。
技术实现思路
专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，用于在Si片上沉积碳膜的设备。为了达到上述目的，专利技术采用以下方案:一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于:包括有放电管，在所述的放电管内设有基片安装座，在所述基片安装座内设有能加热基片的加热器，在所述的放电管上设有进气管，在所述放电管上设有用于与抽真空装置连接的连接管，在所述放电管外壁上套设有线圈。如上所述的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于在所述的进气管上设有气阀。如上所述的一种`用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于所述基片垂直于放电管的管轴方向。如上所述的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于所述的基片安装座包括有沿放电管的管轴方向设置的底座，在所述底座端部上设有垂直于放电管的管轴方向设置的垂直安装座，所述基片设置在所述垂直安装座上。综上所述，专利技术相对于现有技术其有益效果是:本专利技术产品结构简单，生产成本相对较低。【附图说明】图1为本专利技术的示意图。【具体实施方式】下面结合【附图说明】和【具体实施方式】对本专利技术作进一步描述:如图1所示的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，包括有放电管1，在所述的放电管I内设有基片安装座2，在所述基片安装座2内设有能加热...
【技术保护点】
一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于：包括有放电管（1），在所述的放电管（1）内设有基片安装座（2），在所述基片安装座（2）内设有能加热基片（3）的加热器（4），在所述的放电管（1）上设有进气管（5），在所述放电管（1）上设有用于与抽真空装置连接的连接管（6），在所述放电管（1）外壁上套设有线圈（7），在所述的进气管（5）上设有气阀（8）。
【技术特征摘要】
1.一种用于在Si片上沉积碳膜的设备，其特征在于:包括有放电管(1)，在所述的放电管(I)内设有基片安装座(2 )，在所述基片安装座(2 )内设有能加热基片(3 )的加热器(4 )，在所述的放电管(I)上设有进气管(5 )，在所述放电管(I)上设有用于与抽真空装置连接的连接管(6)，在所述放电管(I)外壁上套设有线圈(7)，在所述的进气管(5)上设有气阀(8)。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈路玉，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：发明
国别省市：
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