一种用于在Si片上沉积碳膜的设备制造技术

技术编号:9791812 阅读:87 留言:0更新日期:2014-03-21 03:13
本发明专利技术公开了一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于:包括有放电管,在所述的放电管内设有基片安装座,在所述基片安装座内设有能加热基片的加热器,在所述的放电管上设有进气管,在所述放电管上设有用于与抽真空装置连接的连接管,在所述放电管外壁上套设有线圈。本发明专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,生产成本低,用于在Si片上沉积碳膜的设备。

【技术实现步骤摘要】
一种用于在Si片上沉积碳膜的设备
本专利技术涉及一种用于在Si片上沉积碳膜的设备。
技术介绍
现有的用于在Si片上沉积碳膜的设备其结构相对比较用于在Si片上沉积碳膜的设备复杂,生产成本高。故有必要提供一种结构简单,投入成本低的用于在Si片上沉积碳膜的设备,以满足需求。
技术实现思路
专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种结构简单,生产成本低,用于在Si片上沉积碳膜的设备。为了达到上述目的,专利技术采用以下方案:一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于:包括有放电管,在所述的放电管内设有基片安装座,在所述基片安装座内设有能加热基片的加热器,在所述的放电管上设有进气管,在所述放电管上设有用于与抽真空装置连接的连接管,在所述放电管外壁上套设有线圈。如上所述的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于在所述的进气管上设有气阀。如上所述的一种`用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于所述基片垂直于放电管的管轴方向。如上所述的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于所述的基片安装座包括有沿放电管的管轴方向设置的底座,在所述底座端部上设有垂直于放电管的管轴方向设置的垂直安装座,所述基片设置在所述垂直安装座上。综上所述,专利技术相对于现有技术其有益效果是:本专利技术产品结构简单,生产成本相对较低。【附图说明】图1为本专利技术的示意图。【具体实施方式】下面结合【附图说明】和【具体实施方式】对本专利技术作进一步描述:如图1所示的一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,包括有放电管1,在所述的放电管I内设有基片安装座2,在所述基片安装座2内设有能加热基片3的加热器4,在所述的放电管I上设有进气管5,在所述放电管I上设有用于与抽真空装置连接的连接管6,在所述放电管I外壁上套设有线圈7。本专利技术中在所述的进气管5上设有气阀8。所述基片3垂直于放电管I的管轴方向。所述的基片安装座2包括有沿放电管I的管轴方向设置的底座21,在所述底座21端部上设有垂直于放电管I的管轴方向设置的垂直安装座22,所述基片3设置在所述垂直安装座22上。本装置利用SiH4的脉冲感应放电生长a _Si。脉冲等离子体由通入73KA的电流的螺线管线圈激发所产生,放电管充满SiH4Ar气体21%SiH4:79%Ar,薄膜沉积在与放电管相垂直的基片上,纯SiH4以IOcm3Aiin速度引入,薄膜沉积在Si片上,基片垂直于管轴方向放置。利用本专利技术装置制备所得到的非晶碳膜的光学带隙随基片温度和放电电压的增加而减小。膜在红外区透明,且与处于室温的基片结合良好。可大量应用在太阳能电池上。以上显示和描述了专利技术的基本原理和主要特征以及专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解,专利技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明专利技术的原理,在不脱离专利技术精神和范围的前提下,专利技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保 护的专利技术范围内。专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于:包括有放电管(1),在所述的放电管(1)内设有基片安装座(2),在所述基片安装座(2)内设有能加热基片(3)的加热器(4),在所述的放电管(1)上设有进气管(5),在所述放电管(1)上设有用于与抽真空装置连接的连接管(6),在所述放电管(1)外壁上套设有线圈(7),在所述的进气管(5)上设有气阀(8)。

【技术特征摘要】
1.一种用于在Si片上沉积碳膜的设备,其特征在于:包括有放电管(1),在所述的放电管(I)内设有基片安装座(2 ),在所述基片安装座(2 )内设有能加热基片(3 )的加热器(4 ),在所述的放电管(I)上设有进气管(5 ),在所述放电管(I)上设有用于与抽真空装置连接的连接管(6),在所述放电管(I)外壁上套设有线圈(7),在所述的进气管(5)上设有气阀(8)。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈路玉
申请(专利权)人:中山市创科科研技术服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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