低频谐振点火器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种低频谐振点火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8；MOS管Q5的漏极、MOS管Q7的漏极均与正电源连接，MOS管Q6的源极、MOS管Q8的源极均接地；MOS管Q5的源极与MOS管Q6的漏极连接，且MOS管Q5的源极为负输出端；MOS管Q7的源极与MOS管Q8的漏极连接，MOS管Q7的源极还与电感T3的一端连接，电感T3的另一端为正输出端；正输出端与负输出端之间，还连接有谐振电容。本实用新型专利技术的低频谐振点火器具有电路结构简单、易控制，高压稳定性高，并且可调高压及脉宽的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
低频谐振点火器
本技术涉及HID点火技术，具体涉及低频谐振点火器。
技术介绍
现有的在低频方波的电子镇流器方案中，点火技术采用电感倍压式点火，高压触发二极管倍压式点火，外接辅助的高压启动电路式点火。这些点火方案，需要增加大量的外围电路，从而增加了产品的成本。随着光源的迅速发展，目前一些世界上主流的HID光源的启动条件，不仅仅只有高压的条件限制，高压的宽度也有一定的要求。传统的启动方案已经不能满足现在光源启动的需求。由于光源的需求，有些光源需要采用低频方波的驱动方式才能够稳定的工作，大多的低频方波都采用全桥的结构实现(如图1)，由MOS管Q5、Q6、Q7、Q8以及电感T3组成，OUT+,OUT-之间接HID光源。通过MOS管Q5，Q8与Q6、Q7的低频开关(100赫兹)，使OUT+、OUT-之间所接的负载上面产生100赫兹的方波，以供HID光源的正常工作。HID光源需要一个高压的触发才能启动，传统的点火方案，电路复杂，高压的一致性不好。
技术实现思路
针对上述现有技术不足，本技术要解决的技术问题是提供一种电路结构简单、易控制，高压稳定性高，并且可调高压及脉宽的低频点火器。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为，低频谐振点火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8 ；M0S管Q5的漏极、MOS管Q7的漏极均与正电源连接，MOS管Q6的源极、MOS管Q8的源极均接地；M0S管Q5的源极与MOS管Q6的漏极连接，且MOS管Q5的源极为负输出端；M0S管Q7的源极与MOS管Q8的漏极连接，MOS管Q7的源极还与电感T3的一端连接，电感T3的另一端为正输出端；正输出端与负输出端之间,还连接有谐振电容。优选地，所述谐振电容为电容C32和电容C33的串联支路。优选地，所述电容器C32的电容值为3.3nF，电容C33的电阻值为3.3nF，电感T3的电感值为970 ii H。进一步的技术方案为，还包括用于在光源点亮前产生在低频方波边缘叠加高频方波成分的谐振波并在光源点亮后仅产生低频方波的波形发生器；M0S管Q6的栅极、MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极均与所述波形发生器连接。优选地，正电源与地之间还连接有电容C29。本技术的低频谐振点火器具有电路结构简单、易控制，高压稳定性高，并且可调高压及脉宽的优点。【附图说明】图1是现有技术的点火器示意图。图2是本技术的低频谐振点火器的示意图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步的详细叙述。如图2所示，本技术的低频谐振点火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8 ；M0S管Q5的漏极、MOS管Q7的漏极均与正电源V+连接，MOS管Q6的源极、MOS管Q8的源极均接地；M0S管Q5的源极与MOS管Q6的漏极连接，且MOS管Q5的源极为负输出端OUT- ；M0S管Q7的源极与MOS管Q8的漏极连接，MOS管Q7的源极还与电感T3的一端连接，电感T3的另一端为正输出端OUT+ ;正输出端OUT+与负输出端OUT-之间，还连接有电容C32和电容C33的串联支路。正电源与地之间还连接有电容C29。HID光源(图未示出)连接在正输出端OUT+和负输出端OUT-之间，在HID光源未被击穿之前电容C32、电容C33与电感T3构成串联的状态，在电容与电感串联的电路上加上一定的频率，让电感与电容构成串联谐振，那么将会在电容的两端产生点火电压，可以用于启动HID光源，当光源被击穿之后电容C32、电容C33相当于被HID光源短路，低频的方波电流电压直接通过HID光源，即使HID正常工作。谐振频率f=l/2*n V LC(Hz)，底频方波的工作频率约在IOOHz左右，如果按这个频率去设计串联谐振的高压，那么电感量与电容都需要非常大的值，而电感的感量同时是由灯的电流来决定的，根据不同的电流大约都是在几百微亨左右，考虑到综合性价比，提高谐振频率到几十甚至几百kHz，这时电容的容量很小，同时也易采购。例如本实施例中电容C32、电容C33的电容值分别为3.3nF，电感T3的电感值为970 ii H，此时的高频频率为125kHz。由于是低频的方波输出电路，频率比较低，需要取消常规的高频逆变电路中的隔直电容，才能使低频的电流电压到达HID光源。其中，常规的高频逆变电路中的隔直电容是连接在MOS管Q7、MOS管Q8的节点与正输出端OUT+之间。然而同时又需要高频串联谐振去触发HID光源，在没有隔直电容时，电感上面会出现直流偏磁问题，轻则会使电感和功率半导体的功耗增加，温升加剧，严重的情况还会损坏功率模块。针对这样的问题，本技术还包括用于在光源点亮前产生在低频方波边缘叠加高频方波成分的谐振波并在光源点亮后仅产生低频方波的波形发生器(图未示出)；M0S管Q6的栅极、MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极均与所述波形发生器连接，即向各个MOS管输入在低频方波边缘叠加了高频方波成分的谐振波，并在光源点亮后取消该高频方波成分。在本领域技术人员的常识中，所述低频是指100Hz-400Hz的频率范围，一般实施中是采用100Hz-150Hz的频率，所述高频是指高于20kHz的频率范围，一般实施中采用几十至几百kHz的频率。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
低频谐振点火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8；MOS管Q5的漏极、MOS管Q7的漏极均与正电源连接，MOS管Q6的源极、MOS管Q8的源极均接地；MOS管Q5的源极与MOS管Q6的漏极连接，且MOS管Q5的源极为负输出端；MOS管Q7的源极与MOS管Q8的漏极连接，MOS管Q7的源极还与电感T3的一端连接，电感T3的另一端为正输出端；其特征在于：正输出端与负输出端之间，还连接有谐振电容。

【技术特征摘要】
1.低频谐振点火器，包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7以及MOS管Q8；M0S管Q5的漏极、MOS管Q7的漏极均与正电源连接，MOS管Q6的源极、MOS管Q8的源极均接地；M0S管Q5的源极与MOS管Q6的漏极连接，且MOS管Q5的源极为负输出端；M0S管Q7的源极与MOS管Q8的漏极连接，MOS管Q7的源极还与电感T3的一端连接，电感T3的另一端为正输出端；其特征在于:正输出端与负输出端之间，还连接有谐振电容。2.根据权利要求1所述的低频谐振点火器，其特征在于:所述谐振电容为电容C32和电容C33的串联...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉杰，张然，褚青松，
申请(专利权)人：深圳市朗科智能电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：