一种改善热分布集中的超大功率光电器件制造技术

一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，且每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，该区域相对较短边与相对较长边的比值＞0.5，但≤1。本实用新型专利技术通过采用多胞设计，并将其中若干单胞并联形成单胞组，且使各单胞组内的单胞排布在长宽比约为1的矩形内，进而使节温较高的单胞可向周围单胞传导热，使相邻单胞节温保持一致，避免节温较高的单胞成为热斑和热崩，从而有效提升大功率光电器件的工作性能，并延长其使用寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种改善热分布集中的超大功率光电器件
本技术涉及一种半导体光电器件，尤其涉及一种改善热分布集中的超大功率光电器件，属于半导体光电
。
技术介绍
光电器件是指光能和电能相互转换的一类器件。其种类众多，如:发光二极管(LED)、太阳能电池、光电探测器、激光器(LD)等等。LED以其固有的特点，如省电、寿命长、耐震动，响应速度快、冷光源等特点，广泛应用于各种照明等领域，但由于其亮度差、价格昂贵等条件的限制，无法作为通用光源推广应用。近几年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，LED制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色度方面已实现了可见光波段的所有颜色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出现。据国际权威机构预测，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代，被称为第四代发光源。目前，LED已经大量进入大屏幕显示、装饰照明、建筑照明、交通指示、IXD背光等市场，可是更大的市场在于普通照明，而LED还未能打入这个庞大市场。同时在荧光显微镜和投影仪市场中，LED所占的市场份额还很低，这是由于现在的LED还不能他们应用的要求造成的。普通照明、荧光显微镜以及投影仪需要大功率的LED产品，可是现在的大功率LED技术还不成熟，对于普通照明领域来说大功率LED制造成本还很昂贵。在工业生产中，增加芯片面积能起到降低成本的作用，有利于产品的升级、换代，可是涉及到产品的可靠性问题，尤其是在大功率应用中的热可靠性。如果不能有效控制芯片的可靠性，那么增加芯片面积就变得毫无意义，甚至导致生产成本骤增。以下简单分析LED芯片的热可靠性:一方面，LED的结温随电流的增大而上升；另一方面，电流随温度的上升，又以指数形式增大；这样就形成了热电正反馈。大功率器件的结温通常在芯片内是不均匀分布的，某些区域的温度较高，电流较大，在过激励的情况下，这些温度较高的区域，电流集中，导致该区域越来越亮，而其他区域由于分到电流减少，亮度减少，芯片发光便不均匀，影响器件使用。更严重的是电流严重集中，由于热电正反馈的作用，温度进一步增加，成为热斑，当温度超过所能承受的结温时，该处烧毁(热崩)，进而导致整个芯片失效。器件芯片面积越大，温度分布越不均匀，热斑出现的概率越大，可靠性也会随之下降。因此，提高热可靠性是大面积、大功率LED器件的关键。
技术实现思路
鉴于现有技术的以上不足，本技术的目的在于提供一种改善热分布集中的超大功率光电器件，以提高大功率光电器件的输出特性和成品率。为实现上述目的，本技术采用了如下技术方案:—种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短的边与相对较长的边的比值大于0.5，但小于或等于1作为较为优选的实施方案之一，所述芯片包括依次串联的复数个单胞组，每一单胞组包括两个以上并联设置的单胞。作为较为优选的实施方案之一，该复数个单胞组沿设定的折返曲线形轨迹依次串联。该复数个单胞组排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短的边与相对较长的边的比值大于0.5，但小于或等于I。进一步的，每一单胞组内的每一单胞的正、负极均与该单胞组的正、负极互联金属电连接。任一单胞组的正、负极互联金属还均与相邻单胞组的负、正极互联金属电连接。位于最上游的单胞组的正极互联金属和最下游的单胞组的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴极压焊区电连接，或者，位于最上游的单胞组的负极互联金属和最下游的单胞组的正极互联金属还分别与芯片的阴极压焊区和阳极压焊区电连接。进一步的，所述超大功率光电器件还包含转移基片，所述芯片通过倒装焊形式与转移基片结合。所述转移基片上分布有复数个互联金属组，每一单胞组的正、负极互联金属分别与转移基片上对应互联金属组内的正、负互联金属电连接，并且，每一互联金属组内的正、负互联金属还分别与相邻互联金属组内的负极、正极互联金属电连接，而位于最上游的互联金属组内的正极互联金属和最下游的互联金属组内的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴极压焊区电连接，或者，位于最上游的互联金属组内的负极互联金属和最下游的互联金属组内的正极互联金属还分别与芯片的阴极压焊区和阳极压焊区电连接。所述单胞的平面形状为规则几何形状或非规则形状，所述规则几何形状包括矩形、三角形、正多边形或圆形。优选的，该复数个单胞中，相邻单胞之间的间距在Iym以上，但是在ΙΟμπι以下。所述超大功率光电器件包括功率为10瓦以上的发光二极管或固态激光器。进一步的，该复数个单胞组排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于I。与现有技术相比，本技术至少具有如下优点:通过将光电器件芯片的有源区分割成许多小面积的单胞，并将其中若干单胞并联形成单胞组(或称，并联组)，且使并联组的单胞尽可能的排布在一个正方形或者长宽比接近I的矩形内，藉此设计，在出现某个单胞节温较高的情形时，该单胞可通过衬底向周围单胞传导热，并且热场呈环状扩散，进而使相邻单胞节温保持一致，避免热电正反馈作用使得节温较高的单胞成为热斑和热崩，从而有效提升大功率光电器件的可靠性、发光效率等方面的工作性能，并延长其使用寿命。【附图说明】图1是本技术一较佳实施方式的原理结构示意图；图2a是本技术实施例1中改善热分布集中的超大功率光电器件的主视图；图2b是本技术实施例1中改善热分布集中的超大功率光电器件的剖视图；图3a是本技术实施例2中改善热分布集中的超大功率光电器件的主视图；图3b是本技术实施例2中改善热分布集中的超大功率光电器件的剖视图；图3c是本技术实施例2中改善热分布集中的超大功率光电器件的光学照片。【具体实施方式】如前所述，本技术的主旨在于提供一种新型的超大功率光电器件，其通过采用多胞设计及独特的电路结构设计，进而有效改善了光电器件芯片内出现的热分布集中问题。在本技术的一优选实施方式中，其技术方案可以概括为:一种改善热分布集中的超大功率光电器件(亦可称为“改善热分布集中的多胞连接大功率光电器件”)，其芯片被分隔成m*n个单胞，每η个单胞的正极、负极由对应极性的互联金属分别连接在一起，因此可以称这每η个单胞为一个并联组(也可称为“单胞组”)，其中，m为大于I的正整数，η >> 1，亦为正整数。进一步地，每个并联组的正极、负极互联金属分别和相邻并联组的负极、正极互联金属连接。进一步地，最外侧(即，最上游和最下游)的并联组正极、负极互联金属分别和芯片的阳极、阴极压焊区连接。或者，该光电器件还可包含转移基片，光电器件的芯片通过倒装焊形式与转移基片结合，每个并联组单胞正极、负极金属分别通过转移基片上对应极性的互联金属连接，转移基板上每个并联组的正极、负极互联金属分别和相邻并联组的负极、正极互联金属连接，并且最外侧正极、负极互联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，其特征在于，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于1。

【技术特征摘要】
1.一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，其特征在于，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于I。2.根据权利要求1所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，所述芯片包括依次串联的复数个单胞组，每一单胞组包括两个以上并联设置的单胞。3.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，该复数个单胞组沿设定的折返曲线形轨迹依次串联。4.根据权利要求1或2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，每一单胞组内的每一单胞的正、负极均与该单胞组的正、负极互联金属电连接。5.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，任一单胞组的正、负极互联金属还均与相邻单胞组的负、正极互联金属电连接。6.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，位于最上游的单胞组的正极互联金属和最下游的单胞组的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玮，蔡勇，张宝顺，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：实用新型
国别省市：