LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片，包括蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，其特征在于所述的蓝宝石基板的粗糙度为0.006um，蓝宝石基板底部还设有反射层，所述的反射层材料为SiO2/TiO2。本实用新型专利技术的有益效果是把蓝宝石基板的粗糙度设置在0.006um，增加光的反射率，提升亮度3%~5%。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
LED芯片
本技术涉及一种led芯片。
技术介绍
蓝宝石基板是led芯片重要的部件，目前市场上在做led蓝宝石基板减薄的制程中，并没有特别去控制芯片减薄后的背面粗造度，大部份都做完减薄制程后就往下作业，无形中失去提升亮度的机会。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本技术提供一种led芯片，控制蓝宝石基板减薄后的背面粗造度，背面粗造度更细致RA值控制在0.006um内，可以提升亮度约3%。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是:一种led芯片，包括:蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，蓝宝石基板的粗糙度为0.006um。进一步改进，所述的蓝宝石基板底部还设有反射层，所述的反射层材料为Si02/Ti02。本技术的有益效果是:把`蓝宝石基板的粗糙度设置在0.006um，增加光的反射率，所以在芯片在表面粗糙度的条件就直接影向光的反射率。所以直接由实验的数值来看，RA值越小，对于光的提升是有明显的帮助，提升亮度約3%~5%。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中:1、蓝宝石基板，2、外延层，3、Ρ电极，4、Ν电极，5、反射层。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步说明。如图1所示，一种led芯片，包括:蓝宝石基板1、外延层2和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极3和N电极4，蓝宝石基板I的粗糙度为0.006um，提升亮度約3%~5%。进一步改进，所述的蓝宝石基板I底部还设有反射层5，所述的反射层5材料为Si02/Ti02。

【技术保护点】
一种led芯片，包括蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，其特征在于所述的蓝宝石基板的粗糙度为0.006um。

【技术特征摘要】
1.一种led芯片，包括蓝宝石基板、外延层和欧姆电极，所述的欧姆电极包括P电极和N电极，其特征在于所述的蓝宝石基板的粗糙度为0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋嘉铭，胡世一，
申请(专利权)人：晶旺光电徐州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：