本发明专利技术的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明专利技术的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可定位在紧密接近基板处。该边缘保护板重叠基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边、及背面上的反射涂层提供保护。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。
技术介绍
影印平版印刷术期间，诸如光掩膜(photomask)即光标线片(reticle)的基板通常定位在光源与受处理的晶片之间，以在晶片上形成图案化的特征。该基板含有反映待形成于晶片上的特征配置方式的图案。光掩膜基板一般包括光学透明的硅类材料(诸如石英)的基板，该基板具有形成于工作表面上的光遮蔽金属层金属以及形成于其余表面上的高反射涂层，该光遮蔽金属层金属一般是铬，该高反射涂层诸如为氮化铬。光遮蔽金属层经图案化与蚀刻而形成界定该图案的特征，该图案与待通过影印平版印刷术工艺转移至晶片(诸如半导体晶片)的特征相对应。沉积与蚀刻工艺通常用于制造图案化的光掩膜基板。高反射涂层在沉积或蚀刻工艺期间可能受损。例如，使用等离子体蚀刻光遮蔽金属层中的图案的同时，高反射涂层若暴露至等离子体，可能会劣化。图1是在等离子体环境中受处理的基板100的示意性侧视图。基板100包括基板102，该基板102具有光遮蔽金属层104以及光反射涂层106，该光遮蔽金属层104形成在顶面112上，而该光反射涂层106形成在底面114与侧表面116上。在传统上，于光遮蔽金属层104上形成图案的同时，将基板100配置在支撑组件108上，而光遮蔽金属层104面向等离子体110。然而，光反射涂层106 (尤其是侧表面116上的光反射涂层106)可能暴露至等离子体110,因而在工艺期间会有所折损(compromised)。因此，需要一种于基板上形成图案而不至于损坏基板上的反射涂层的方法与设备。
技术实现思路
本专利技术的实施例大体上提供用于处理基板的设备与方法。更详言之，本专利技术的实施例提供用于在等离子体处理期间保护基板边缘及/或侧边的设备与方法。本专利技术的一个实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该支撑组件包含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括等离子体源，该等离子体源被配置以在处理空间中生成或供应等离子体，该设备还包括边缘保护板，该边缘保护板以可移动的方式配置在处理空间中位在该支撑组件上方。该边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。本专利技术的另一实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该腔室主体包含腔室壁以及腔室盖，该腔室盖配置在该等腔室壁上方。该支撑组件含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括天线，该天线配置在该腔室盖上方并且被配置以在处理空间中生成等离子体，该设备还包括边缘保护组件，该边缘保护组件配置在处理空间中。该致动的边缘保护组件包括举升箍、三个或更多个支撑销以及边缘保护板，该举升箍以可移动式配置在处理空间中，该等支撑销从该举升箍延伸，而该边缘保护板具有配置在该支撑组件上方的通孔。该边缘保护板耦接该三个或更多个支撑销并且可随该举升箍移动。本专利技术的又一实施例提供一种用于处理基板的方法。该方法包括以下步骤:在支撑组件上接收基板，该支撑组件配置在等离子体腔室的处理空间中；以及将边缘保护板定位在该基板上方。该边缘保护板具有小于该基板的通孔，且该通孔具有实质上与基板相同的形状。该方法进一步包含以下步骤:在该边缘保护板上方生成等离子体以处理该基板。【附图说明】通过参考实施例(一些实施例说明于附图中)，可获得于【
技术实现思路
】中简要总结的本专利技术的更特定的说明，而能详细了解于【
技术实现思路
】记载的本专利技术的特征。然而应注意附图仅说明此专利技术的典型实施例，因而不应将该等附图视为限制本专利技术的范畴，因为本专利技术可容许其他等效实施例。图1是在等离子体环境中受处理的基板的示意性侧视图。图2是根据本专利技术的一个实施例的处理腔室的示意性截面侧视图。图3是根据本专利技术的一个实施例的边缘保护组件的部分透视图。图4A是显示在下方处理位置的边缘保护板的截面侧视图。图4B是显示在上方处理位置的边缘保护板的截面侧视图。 图4C是显示在基板传送位置的边缘保护板的截面侧视图。图5A是根据本专利技术一个实施例的边缘保护板的俯视图。图5B是图5A的边缘保护板的截面侧视图。图6A是根据本专利技术一个实施例的边缘保护板的俯视图。图6B是图6A的边缘保护板的截面侧视图。为了助于了解，若可能则使用同一元件符号标注各图中共通的同一元件。应了解，在一个实施例中揭露的元件可有利地用于其他实施例，而无须特别记载。【具体实施方式】本专利技术的实施例大体上关于用于等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边、与背面的方法与设备。尤其，本专利技术的实施例提供一种处理腔室，该处理腔室包括独立致动的边缘保护板。本专利技术的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有一通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可被定位在紧邻基板处。该边缘保护板重迭基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边，及背面上的反射涂层提供保护。术语“基板”指示在形成电子元件的工艺中所使用的任何基板，诸如半导体基板、电绝缘体基板、遮罩、光掩膜基板或光标线片。图2是根据本专利技术一个实施例的处理腔室200的示意性截面侧视图。可适于与在此揭露的原理一并使用的适合的处理腔室包括例如Decoupled Plasma Source (DPS?) II反应器，或Tetra I与Tetra II Photomask蚀刻系统，所有前述反应器及系统皆可购自美国加州Santa Clara的应用材料公司。在此所显示的处理腔室200的特定实施例是供以说明之用，而不应将该等特定实施例用于限制本专利技术的范畴。应考量本专利技术可用在包括来自其他贩售商的其他的等离子体处理腔室中。处理腔室200大体上包括由腔室壁202与腔室盖204所界定的处理空间206。处理腔室200包括等离子体源222，该等离子体源222用于在处理空间206中供应或生成等离子体。一个实施例中，等离子体源222包括天线210，该天线210配置在腔室盖204上方用于在处理空间206中生成感应耦合的等离子体。天线210可包括一个或多个同轴线圈210a、210b，如图2所示。天线210可经由匹配网络214耦接等离子体电源212。支撑组件208配置在处理空间206内用于将受处理的基板100支撑在抬高部分230上。支撑组件208可包括静电卡盘216，该静电卡盘216具有连接夹持电源供应器220的至少一个夹箝电极218。支撑组件208可包括其他基板保持(retention)机构,该机构诸如基座(sus^ptor)夹箝环、机械式卡盘，与类似机构。支撑组件208可包括静电卡盘216之外的其他基板保持机构，诸如基座夹箝环、机械式卡盘，与类似机构。支撑组件208可包括耦接加热器电源226的电阻式加热器224与用于温度控制的散热器(heat sink) 228。支撑组件208也包括基板适配器234，该基板适配器234用于在抬高部分230与外部传送装置(诸如外部机器人)之间传送基板100。基板适配器234配置于静电卡盘216之上，且可具有开口 236，该开口 236使抬高部分230得以延伸通过该开口本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，包含：腔室主体，界定处理空间；支撑组件，配置在所述处理空间中，其中所述支撑组件包含抬高部分，所述抬高部分用于在处理期间支撑基板；等离子体源，被配置以在所述处理空间中生成或供应等离子体；以及边缘保护板，以可移动式配置在所述处理空间中位在所述支撑组件上方，其中所述边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.31 US 61/491,6931.一种用于处理基板的设备，包含: 腔室主体，界定处理空间； 支撑组件，配置在所述处理空间中，其中所述支撑组件包含抬高部分，所述抬高部分用于在处理期间支撑基板； 等离子体源，被配置以在所述处理空间中生成或供应等离子体；以及边缘保护板，以可移动式配置在所述处理空间中位在所述支撑组件上方，其中所述边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。2.如权利要求1所述的设备，进一步包含举升箍，所述举升箍耦接所述边缘保护板，其中所述举升箍在所述处理空间中可垂直移动。3.如权利要求2所述的设备，进一步包含轴杆，所述轴杆从所述举升箍延伸，其中所述举升箍配置在所述支撑组件周围，且所述轴杆将所述举升箍连接至致动器。4.如权利要求2所述的设备，进一步包含数个支撑销，所述支撑销以固定式将所述边缘保护板附接所述举升箍。5.如权利要求4所述的设备，进一步包含边缘遮蔽件，所述边缘遮蔽件配置在所述边缘保护板的周边周围。6.如权利要求2所述的设备，进一步包含: 离子自由基遮蔽件，配置在所述处理空间中位于所述边缘保护板上方；以及 数个支撑脚架，所述支撑脚架支撑所述离子自由基遮蔽件。7.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述边缘保护板具有数个贯孔，所述数个支撑脚架的每一个通过所述边缘保护板的所述数个贯孔的一个贯孔，以使所述边缘保护板得以独立于所述离子自由基遮蔽件而移动。8.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述通孔被塑造成在形状上实质类似...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·辛格，G·J·斯科特，A·萨布哈瓦尔，A·库玛，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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