本发明专利技术的目的在于提供一种半导体加工用划片胶带，其在将半导体晶片进行划片处理的工序中具有充分保持晶片的粘合力，且在封装体划片后，不会发生被单片化的封装体贴合至托盘或装置等。本发明专利技术提供一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；上述粘合剂层的厚度为10～30μm；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JISZ0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用划片胶带
本专利技术涉及适合在将半导体晶片划片成芯片时等中固定保持晶片的划片胶带(dicing tape)，特别涉及适合作为高密度实装半导体封装加工用的半导体加工用划片胶带。
技术介绍
以往，在对于形成有电路图案的半导体晶片进行分离成芯片状的、所谓划片加工时，晶片的固定采用了使用半导体加工用胶带的拾取(pickup)方式。在该方式中，大直径的晶片以贴合、固定于半导体加工用胶带的状态被划片成芯片状，清洗、干燥后，经过拾取工序，通过树脂密封而被封装化。近年来，作为使半导体元件小型化的方式之一，各公司开发了在图案电路侧具有电极的倒装芯片型封装体。在该倒装芯片型封装体中，晶片级芯片尺寸封装体(WLCSP)通过对结束预处理的晶片依次进行聚酰亚胺涂布、Cu再配置布线形成、Cu柱形成、树脂密封、树脂研磨、端子形成这样的封装处理后，最后切割为各个芯片来制作的，其为尺寸级别与芯片尺寸相同的封装体。如此，被树脂整体密封的WLCSP —般通过将半导体芯片键合(bonding)到玻璃环氧基板或引线架，用封装模制树脂整体模制后进行固化，将固化得到的物质粘贴至半导体加工用胶带并固定，利用划片刀片进行划片来得到。在封装的划片工序中，切断时的负荷大。此外，封装树脂含有脱模剂，其表面具有拥有微小的凹凸的构造。因此，对于半导体加工用胶带使用有柔软的粘合剂，以便能够牢固地保持封装体，并且防止发生在划片时封装体飞溅等问题。但是，由于划片刀切入至胶带，因此在使用这样的柔软的粘合剂的情况下，有时会发生胶带粘合层的卷翘，卷翘的微小胶球残留在被单片化的封装体的侧面。由于这样残留于封装体侧面的微小胶球，在拾取封装体后输送时，有时会产生封装体附着于托盘或输送管而无法剥离的问题。作为抑制胶球的对策，报道有如下划片胶带:单体成分的至少I种为(甲基)丙烯酸烷基酯，并且将该烷基为脂环式烃基的共聚物作为基础聚合物(base polymer)的粘合剂形成在基材薄膜的至少一面(专利文献I)。该划片胶带可认为是侧面粘合剂的附着防止性非常优秀的粘合胶带。另一方面，从在划片时保持晶片的观点出发，粘合剂层的厚度越厚越优选。但是，实际情况是，根据上述的传统型划片胶带，在粘合剂层的厚度很厚的情况下，有时会产生封装体侧面的残胶，从而期望进一步的改善。另一方面，为了使残留在封装体侧面的微小胶球失去粘合性，已知有如下方法:在划片后，将半导体加工用胶带与基板连同环形框架放入加热炉，使微小胶球固化。然而，在这种情况下，若半导体加工用胶带中的基材或粘合剂层的耐热性低，则存在如下问题:在加热工序后，拾取封装体时，粘合剂大量残留于贴合至粘合剂层的封装体树脂面(封装体背面)的封装体激光标记(package laser mark)部分,使印刷在封装体的激光标记变得不清楚。此外还存在这样的问题:在从环形框架剥离胶带时，胶残留于环形框架，而在应该重复使用的环形框架的再使用上产生障碍。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-100064号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 因此，本专利技术是鉴于如上所述的现有技术的问题而完成的，本专利技术的课题在于提供一种半导体加工用划片粘合胶带，其在对半导体晶片进行划片处理的工序中，具有充分保持晶片或其被切断了的芯片的粘合力，并且在封装体划片后，即使在微小胶球附着于被单片化的封装体时，在不进行热处理工序的情况下，也不会贴合至托盘或装置，并且在通过输送管输送时不会发生附着至装置或被单片化的封装体彼此附着。用于解决课题的手段本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，通过使用拥有在放射线照射前后具有特定粘合强度及探头粘着性峰强度的放射线固化型粘合剂层的半导体加工用划片胶带，从而在保持芯片方面可获得充分的密合性，并且，即使在微小胶球附着于被单片化的封装体时，也能够在封装体不贴合到托盘或输送管的情况下进行输送，由此完成本专利技术。gp，本专利技术提供:(I) 一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；上述粘合剂层的厚度为10~30μ-- ;上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Ζ0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0~2.0N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50~150mN/mm2 ；(2)根据(I)所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.0~10.0N/25mm胶带宽度，并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为250~750mN/mm2 ;及(3)根据(I)或(2)所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，构成上述粘合剂层的树脂组合物的玻璃化转变温度为-30~-10°C，上述树脂组合物中的上述基础聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分；(4) 一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，所述丙烯酸系聚合物含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-乙基己酯作为单体成分；上述树脂组合物的玻璃化转变温度为-30~-11°C ;上述粘合剂层的厚度为10~30 μ m ;上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JISZ0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0?1.9N/25mm胶带宽度；上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为54?148mN/mm2 ;上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.3?9.7N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为253?723mN/mm20专利技术效果本申请专利技术的半导体加工用划片胶带是在基材薄膜的至少一面形成放射线固化型粘合剂层而形成的，由于粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成，因此在减低对半导体晶片或封装体的污染性的方面优秀。此外，通过使该粘合剂层的厚度为10?30 μ m，从而可以在划片时，防止晶片的崩边(Chipping)或封装体侧面的残胶，并且充分保持晶片。进而，该粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0?2.0N/25mm胶带宽度，由此能够抑制拾取时周围芯片的散乱、或输送时封装体从胶带脱离。并且，该粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50?150mN/mm2，由此即使在封装体中产生胶球的情况下，也能够抑制封装体在托盘或输送管上的附着。【附图说明】图1为本专利技术的半导体加工用划片胶带的概略剖面图。【具体实施方式】以下，参照附图，对于本专利技术的半导体加工用划片胶带的优选实施方式进行说明。本专利技术的半导体加工用划片胶带I是在基材薄膜3的至少一面形成放射线固化型粘合剂层5而形成的。作为基材薄膜3，只要是通常用于半导体本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体加工用划片胶带，其特征在于，其在将半导体封装体划片的工序中进行使用；在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层；上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成；上述粘合剂层的厚度为10～30μm；上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS?Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0～2.0N/25mm胶带宽度；并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50～150mN/mm2。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.28 JP 2011-2372231.一种半导体加工用划片胶带，其特征在于， 其在将半导体封装体划片的工序中进行使用； 在基材薄膜的至少一面，形成有放射线固化型粘合剂层； 上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成； 上述粘合剂层的厚度为10?30 μ m ; 上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0?2.0N/25mm胶带宽度；并且 上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50?150mN/mm2 ο2.根据权利要求1所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射前的粘合力为5.0?10.0N/25mm胶带宽度，并且上述粘合剂层在放射线照射前的探头粘着性峰强度为250?750mN/mm2o3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用划片胶带，其特征在于，构成上述粘合剂层的树脂组合...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津晃，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：
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