【技术实现步骤摘要】
—种集成电路芯片电极的修复方法
本专利技术属于半导体集成电路芯片制造领域,尤其涉及。
技术介绍
半导体集成电路芯片都采用平面工艺来制作,主要的工艺流程是先制作电路功能层,最后将金属材料蒸镀在电路功能层上形成电极;但是在实际的生产过程中,因为制作工艺偏差或者检测技术偏差,通常都会出现一定的品质异常的情况。比如在蒸镀金属后发现金属电极上有污染或者金属电极被划伤等等,此时为保证产品质量,往往需要对集成电路芯片上的金属电极进行返工处理。目前,传统的电极修复工艺为:光刻形成光刻胶保护层-刻蚀缺陷电极-重新光刻构图一蒸镀金属电极。上述工艺流程中,刻蚀缺陷电极时往往需要采用强酸液来腐蚀掉金属,再重新对准光刻构图后,通过重新蒸镀金属材料来修复电极。这种方式存在两个缺点:一是返工工序烦多,返工效率低下;二是刻蚀缺陷电极过程中需要采用强酸浸泡,这会产生大量废液,这种废液的环保处理成本很高,而且处理过程危险系数也很大。鉴于此,亟待开发一种工艺简单、高效、环保的缺陷电极修复方法,以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了,该修复方法具备高效率、高环保的优点。本专利技术提出的集成电路芯片电极的修复方法为:去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护层;去除保护层后,采用光刻工艺重新将除了电极以外的区域涂上光刻胶;此后将集成电路芯片置于等离子体干法刻蚀机的刻蚀腔内,采用等离子体干法刻蚀对集成电路芯片表面的金属电极进行部分刻蚀,此后,将集成电路芯片取出后投入到酸性溶液中进行电极剩余部分的刻蚀,直至将集成电路芯片表面的金属电极完全刻蚀干净后,采用去离子水冲洗集成电路芯片 ...
【技术保护点】
一种集成电路芯片电极的修复方法,依次包括如下步骤:(1)去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护层;(2)去除保护层后,采用光刻工艺重新将除了电极以外的区域涂上光刻胶;(3)将集成电路芯片置于等离子体干法刻蚀机的刻蚀腔内,采用等离子体干法刻蚀对集成电路芯片表面的金属电极进行部分刻蚀;(4)在步骤(3)之后,将集成电路芯片取出后投入到酸性溶液中进行电极剩余部分的刻蚀,直至将集成电路芯片表面的金属电极完全刻蚀干净后,采用去离子水冲洗集成电路芯片表面残余的酸性溶液后,进行干燥处理;(5)待干燥处理完毕后,将集成电路芯片置入金属蒸镀腔中,在集成电路芯片表面蒸镀预定厚度的金属材料层(6)去除集成电路芯片表面的光刻胶,形成完好的金属电极,完成集成电路芯片电极的修复。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片电极的修复方法,依次包括如下步骤: (1)去除覆盖在集成电路芯片电极边缘的保护层; (2)去除保护层后,采用光刻工艺重新将除了电极以外的区域涂上光刻胶; (3)将集成电路芯片置于等离子体干法刻蚀机的刻蚀腔内,采用等离子体干法刻蚀对集成电路芯片表面的金属电极进行部分刻蚀; (4)在步骤(3)之后,将集成电路芯片取出后投入到酸性溶液中进行电极剩余部分的刻蚀,直至将集成电路芯片表面的金属电极完全刻蚀干净后,采用去离子水冲洗集成电路芯片表面残余的酸性溶液后,进行干燥处理; (5)待干燥处理完毕后,将集成电路芯片置入金属蒸镀腔中,在集成电路芯片表面蒸镀预定厚度的金属材料层 (6)去除集成电路芯片表面的光刻胶,形成完好的金属电极,完成集成电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:丛国芳,
申请(专利权)人:溧阳市东大技术转移中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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