【技术实现步骤摘要】
半导体制造过程中使用的清洗液
本专利技术涉及半导体工艺制造
，尤其涉及一种感光膜清洗液。
技术介绍
感光材料是是一种新兴的材料，广泛应用于半导体制造产业中。在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成感光膜的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的感光膜。在这个过程中要求完全除去不需要的感光膜，同时不能腐蚀任何基材。目前，感光膜清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的感光膜。如JP1998239865公开了一种清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’ - 二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。将晶片浸入该清洗液中，于50?100°C下除去金属和电介质基材上的20iim以上的感光膜；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的感光膜，清洗能力不足；US5529887由氢氧化钾(KOH)、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40?90°C下除去金属和电介质基材上的厚膜感光膜。其对半导体晶片基材的腐蚀较高；US5091103公开了N-甲基吡咯烷酮、1，2_丙二醇和四甲基氢氧化铵的清洗液，于105?125°C下去除经高温烘焙过(hard bake)的感光膜,其特征是不含有水、操作温度高,一旦清洗液混入水,其对金属铝和铜的腐蚀速率均上升。由此可见，寻找更为有效抑制金属腐蚀抑制方法和高效的感光膜去除能力是该类感光膜清洗液努力改进的优先...
【技术保护点】
一种新型的感光膜清洗液，其特征在于：包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。
【技术特征摘要】
1.一种新型的感光膜清洗液，其特征在于:包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。2.如权利要求1所述的感光膜清洗液，其特征在于:季戊四醇的质量百分比为0.1_15%，氢氧化钾的质量百分比为0.1_10%，有机胺的质量百分比为0.5-30%，防腐蚀剂0.5-5%，溶剂为余量，各组分质量百分比之和为100%。3.如权利要求1或2所述的感光膜清洗液，其特征在于:季戊四醇的质量百分比为10%,氢氧化钾的质量百分比为8%,有机胺的质量百分比为25%,防腐蚀剂3%,溶剂为54%。4.如权利要求1至3所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述机胺为选自包括单乙醇胺、异丙醇胺、氨基乙氧基乙醇、n-甲基乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、2-氨乙基氨基乙醇、氨乙基哌嗪、氨丙基哌嗪、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-氨基-4-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、2-苯基哌嗪、1-氨乙基哌啶、1-氨基哌啶和1-氨甲基哌啶的组的至少一种化合物。5.如权利要求1至4所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。6.如权利要求1至5所述的感光膜清洗液，其特征在于:所述的亚砜为二甲基亚砜；所述的砜为环丁砜；所述的咪唑烷酮为I，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮为1，3_ 二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺；所述的醇为丙二醇、二乙二醇；醚为乙二醇醚或丙二醇醚。7.如权利要求1至6所述的抗蚀膜剥离剂，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙霞，
申请(专利权)人：青岛华仁技术孵化器有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。